- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
Все без исключения материалы взаимодействуют с внешним магнитным полем, т.е. проявляют определенные магнитные свойства.
Объясняется это тем, что любой материал под действием внешнего магнитного поля приобретает магнитный момент, т.е. намагничивается. Поскольку магнитное поле образуется при движении электрического заряда, естественно полагать, что магнитные свойства материалов проявляются в результате движения электронов, входящих в состав атомов (ионов, молекул). Магнитным моментом обладают также и ядра атомов. Однако их влиянием на магнитные свойства атомов можно пренебречь, так как магнитный момент ядра на три десятичных порядка меньше магнитного момента электрона. Каждый электрон атома осуществляет два вида движения: орбитальное и спиновое, создавая соответственно орбитальный магнитный момент Морб и спиновой магнитный момент Мсп Полный магнитный момент атома Мат представляет векторную сумму орбитальных и спиновых магнитных моментов всех электронов данного атома: z z
Мат = ∑Морб + ∑ Мсп. (14.1)
l l
В отсутствие внешнего магнитного поля магнитный момент атома Мат не равен нулю только при наличии незаполненной у него электронной оболочки. В заполненных электронных оболочках не только орбитальные, но и спиновые магнитные моменты электронов полностью скомпенсированы.
Для характеристики магнитных свойств материалов вводят следующие величины:
В — магнитная индукция (плотность магнитного потока ), Тл;
Н — напряженность магнитного поля, А/м;
М — намагниченность материала под действием магнитного поля, А/м — это векторная сумма магнитных моментов атомов Мат, находящихся в единице объема V магнитного материала:
М=1/V ∑Мат;
km — магнитная восприимчивость (величина безразмерная);
μ— относительная магнитная проницаемость (или магнитная проницаемость) — величина безразмерная
Диамагнетики
Диамагнетизм заключается в индуцировании внешним магнитным полем в электронных оболочках атомов, ионов или молекул магнитного момента (в том числе дополнительного). Поэтому он присущ всем материалам независимо от их агрегатного состояния и вида химической связи. В чистом виде диамагнетизм можно наблюдать только у тех материалов, в которых магнитный момент атома Мат(см. формулу (14.1)) равен нулю. Такие материалы называют диамагнетиками .
Диамагнетиками являются материалы, атомы, ионы или молекулы которых в отсутствие внешнего магнитного поля не имеют результирующего магнитного момента. В них существует только магнитный момент, наведенный внешним магнитным полем.
Для диамагнетиков характерно то, что у них вектор намагниченности направлен против вектора внешнего намагничивающего поля. По этой причине они подвергаются слабому выталкивающему действию последнего. Магнитная восприимчивость km диамагнетиков отрицательная (km < 0) и по абсолютному значению очень мала (|km| = 10─4 - 10─8). В большинстве случаев km не зависит от температуры и напряженности магнитного поля. Магнитная проницаемость и у них немного меньше единицы (μ < 1).
Диамагнетиками являются все инертные газы, водород, аммиак и др., ряд металлов (Си, Ag, Аи, Zn, Pb, Hg и др.), металлоиды (Р, S, Si и др.), вещества неорганические (стекла, мрамор, вода и др.) и органические (воск, нефть и др.). Значения km и μ некоторых диамагнетиков приведены в табл. 14.1.
Таблица 14.1
Значения магнитной восприимчивости km и магнитной проницаемости ц для некоторых диамагнетиков и парамагнетиков
Вещество km μ = 1 + km
Диамагнетики _
Висмут -1,7 10─4 0,99983
Вода -0,88 10─5 0,9999912
Медь -0,94 10─5 0,9999906
Кремний -0,3 10─5 0,999997
Водород -0,208 10─4 0,9999999979
Парамагнетики
СаО 5,8 10─3 1,0058 Платина 2,93 10─4 1,000293 Алюминий 2,14 10─4 1,000214 Воздух 3,65 10─7 1,000000365
Парамагнетики
Парамагнетизм наблюдается у материалов, атомы (ионы) которых имеют нечетное число электронов (кроме Си, Ag, Sb, Bi).
Атомы (ионы или молекулы) парамагнетиков в отсутствие внешнего магнитного поля уже обладают собственным магнитным моментом, который обусловлен нескомпенсированными в атомах спиновыми магнитными моментами электронов. Но поскольку взаимодействие между магнитными моментами атомов (ионов или молекул) равно нулю или очень мало, их магнитные моменты расположены беспорядочно (рис. 14.1, а), и результирующая намагниченность Л/ материала равна нулю.
При приложении магнитного поля магнитные моменты атомов парамагнетиков ориентируются в направлении внешнего магнитного поля и усиливают его, т. е. проявляется положительная намагниченность (km>0), вследствие чего они втягиваются в области с максимальной напряженностью магнитного поля. По абсолютному значению km очень мала (\km\ = 10─3 — 10─4) и не зависит от напряженности магнитного поля, но зависит от температуры. Магнитная проницаемость μ немного больше единицы (μ > 1). Значения km и μ некоторых парамагнетиков приведены в табл. 14.1. Парамагнетизм проявляется у щелочных металлов (Na, К и др.); переходных металлов (Ti, V, Cr, Мn и др.), имеющих недостроенную Зd-электронную оболочку; редкоземельных элементов (лантаноидов) от церия Се до лютеция Lu, имеющих недостроенную 4f-электронную оболочку. Однако переходные металлы Fe, Co и Ni имеют большие значения km и μ и являются типичными ферромагнетиками (см. гл. 14.1.3). Элементы Мn, Сr, их оксиды и некоторые соединения Мn, хотя и имеют значения km и μ того же порядка, что и парамагнетики, по внутренней магнитной структуре они ближе к ферромагнетикам. На основании этого выделены в самостоятельную группу и названы антиферромагнетиками (см. 14.1.4).
Pис. 14.1. Схематическое изображение магнитных моментов атомов в отсутствие внешнего магнитного поля в парамагнетиках (а), ферромагнетиках (б), антиферромагнетиках (в) и ферримагнетиках(г)
