
- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
19. Электрический и тепловой пробой.
Твердые диэлектрики являются важной составной частью любого электротехнического устройства. Задача их — не допускать прохождения тока нежелательными путями. Находясь под напряжением, твердая электрическая изоляция не может выдерживать любые его значения. При некотором критическом напряжении, превышающем Upаб, ток проводимости резко (скачкообразно) возрастет и диэлектрик утратит свои электроизоляционные свойства — наступает пробой. Пробой твердых диэлектриков завершается их тепловым или (и) механическим разрушением. При пробое в твердой изоляции образуется проплавленное, прожженное или пробитое отверстие, и при повторном приложении напряжения по этому месту снова произойдет пробой, но уже при значительно меньшем значении напряжения. Пробой твердой изоляции электротехнического устройства означает аварию. Электротехническое устройство с пробитой твердой изоляцией эксплуатировать нельзя, оно требует ремонта — замены детали с пробитой изоляцией или устройства в целом.
Различают три основные формы пробоя твердых диэлектриков:
электрическую,
Электротепловую и
электрохимическую, — каждая из которых может иметь место у одного и того же диэлектрика в зависимости от его состояния и внешних условий — наличия дефектов, в том числе пор, охлаждения, времени воздействия напряжения, характера электрического поля (постоянное, переменное или импульсное, низкой или высокой частоты) и т.п. Наиболее часто встречаемой и наиболее хорошо изученной является электротепловая форма пробоя. Каждый из этих трех видов пробоя может протекать самостоятельно, но чаще один механизм накладывается на другой, или пробой начинается по одной из форм пробоя, а завершается другой.
Кроме указанных трех видов пробоя, в литературе встречаются высказывания о возможности других разновидностей пробоя или промежуточных его форм: электромеханической, электротермомеханической и др. Однако существование этих разновидностей окончательно не доказано.
5.4.1. Электрический пробой
На практике электрический пробой твердых диэлектриков обычно происходит при попадании в электроустановку грозового разряда (молнии) или в результате коммутационных перенапряжений. Эта форма пробоя не обусловлена ни тепловыми процессами (электротепловой пробой), ни электрическим старением (электрохимический пробой). Электрический пробой происходит, когда практически исключено влияние диэлектрических потерь, частичных электрических разрядов в порах изоляции и на ее поверхности (около электродов) и т.п.
В основе механизма электрического пробоя твердых диэлектриков лежат электронные лавинообразные процессы. Пробой наступает вследствие образования в диэлектрике между электродами плазменного газоразрядного канала, в формировании которого участвуют эмиссионные токи из катода и свободные заряды, образующиеся в результате электронной ударной ионизации и фотоионизации. Завершается пробой механическим или тепловым разрушением, вызванным током короткого замыкания Iкз.
Существенное влияние на механизм электрического пробоя оказывает отрицательный объемный заряд, образующийся при инжекции электронов из катода за счет их захвата ловушками диэлектрика.
На основании имеющихся экспериментальных данных механизм электрического пробоя твердых диэлектриков выглядит следующим образом. На начальной стадии из-за неполного пробоя образуется прерывистый канал небольшого диаметра (у NaCl менее 1мкм). Далее, в результате увеличения плотности тока до 108—109 А/м2 , канал проплавляется до диаметра 10—12 мкм и начинает прорастать к противоположному электроду. Вокруг прорастающего канала наблюдается свечение прилегающей области, диаметр которой намного больше диаметра канала. В завершающей стадии, когда проводящий канал касается электрода, ток резко возрастает — наступает пробой. Степень разрушения диэлектрика в завершающей стадии зависит не только от природы самого диэлектрика, но и в значительной степени от величины тока в разрядной цепи Iкз, т.е. от мощности источника напряжения и сопротивления внешней цепи. В аморфных диэлектриках форма канала неполного пробоя имеет вид извилистой, ветвящейся линии. В кристаллах эти каналы прямолинейны и, как правило, ориентированы в одном из кристаллографических направлений. Времени, необходимого для образования канала пробоя, требуется в 10—100 раз больше, чем при пробое воздуха.
С точки зрения зонной теории твердого тела, механизм электронной ударной ионизации можно представить следующим образом. Электрон, находящийся в зоне проводимости (ЗП) (свободный электрон), разгоняясь под действием электрического поля, увеличивает свою энергию. Эту приобретенную (добавочную) энергию электрон с некоторой вероятностью может передать другому электрону, находящемуся в валентной зоне (ВЗ). В случаях, когда энергия, получаемая электроном, находящимся в ВЗ, будет равна или больше ширины запрещенной зоны (33) ∆W (∆Wравна энергии ионизации Wи), этот электрон из ВЗ перейдет в ЗП. Если при этом сам ионизирующий электрон остается в ЗП, то происходит лавинное увеличение электронов в ЗП. Наступает пробой.
Напряженность поля, при которой происходит пробой твердых диэлектриков, достигает высоких значений — до 103 МВ/м и более. Такие высокие значения Епр можно объяснить тем, что по сравнению с воздухом твердый диэлектрик имеет более высокую (в ~1000 раз) плотность упаковки своего тела частицами (молекулами или ионами) и, следовательно, малую величину средней длины свободного пробега электрона λ. Поэтому для образования электронных лавин необходимы более высокие значения напряженности поля, чем у воздуха.
Получить чисто электрическую форму пробоя трудно. Обычно на этот вид пробоя накладывается электротепловая или (и) электрохимическая форма пробоя. Чтобы исключить (или снизить) различные побочные влияния на электрическую форму, пробой производят на импульсах напряжения в среде жидкого диэлектрика, ε которого больше, чем ε испытуемого образца. Для электрического пробоя характерны:
а) малое время развития пробоя (10-6с и менее);
б) незначительная зависимость Епр (практически не зависит) от толщины образца при h ≥ 10—20 мкм и времени приложения напря жения при τ ≥ 10-7 — 10-6 с. При толщине образца менее 10—20 мкм имеет место электрическое упрочнение — существенное увеличение Епр при уменьшении h.
При электрической форме пробоя величина Епр существенно зависит от плотности упаковки структурных элементов диэлектрика, т-е. от плотности упаковки ионов — при ионном строении, молекул — при молекулярном строении, макромолекул и образуемых ими надмолекулярных структур (типа и размера) — у полимеров. Плотность упаковки структурных элементов, в свою очередь, зависит от химического состава и строения диэлектрика.