
- •Ю.Ф. Адамов, а.М. Грушевский, с.П. Тимошенков Современные проблемы проектирования и технологии микроэлектронных систем
- •Часть 1
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Технология микроэлектроники и микроэлектронные полупроводниковые приборы
- •1.1. Типовые структуры и характеристики кремниевых биполярных транзисторов
- •1.2. Пределы миниатюризации кремниевых биполярных транзисторов
- •1.3. Типовые структуры и характеристики кремниевых
- •1.4. Тиристорный эффект в комплементарных моп - схемах
- •1.5. Ударная ионизация в канале и обусловленный ею ток подложки
- •1.6. Размерные эффекты в моп - транзисторах
- •1.7. Физические ограничения размеров моп - транзисторов
- •1.8. Прогноз предельных параметров моп-транзисторов
- •1.9. Прогноз развития элементной базы микроэлектроники
- •2. Единство интегральной технологии и схемотехники
- •2.1. Интегральная схемотехника – продукт развития технологии
- •2.2. Принципы интегральной схемотехники
- •2.3. Правила масштабирования моп - транзисторов
- •Закономерности масштабирования согласно трем различным методам
- •2.4. Топологическое проектирование масштабируемых микросхем
- •2.5. Влияние сложности логических схем на характеристики системы металлизации
- •2.6. Немасштабируемые элементы структуры
- •3. Проблемы развития интегральной схемотехники для нанометровых технологий
- •3.1. Кризис схемотехники нанометровых микросхем
- •3.2. Пути унификации схемотехнических решений
- •3.3. Характеризация библиотек транзисторов, логических элементов и простых функциональных блоков
- •4. Литография
- •4.1. Основные определения
- •4.2. Фотолитография – ключевой процесс планарной технологии
- •4.3. Электронно-лучевая литография
- •4.4. Резисты – полимеры, чувствительные к облучению
- •5. Эпитаксия полупроводниковых слоев
- •5.1. Основные определения
- •5.2. Эпитаксиальное выращивание слоев кремния из парогазовой фазы
- •5.3. Молекулярно - лучевая эпитаксия
- •5.4. Развитие эпитаксиальной технологии
- •Основные характеристики диэлектрических подложек, используемых при гетероэпитаксии кремния
- •6. Процессы нанесения диэлектрических покрытий
- •6.1. Назначение диэлектрических слоев и требования к ним
- •6.2. Методы получения диэлектрических покрытий
- •6.3. Термическое окисление кремния
- •6.4. Осаждение диэлектрических пленок
- •6.5. Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок
- •7. Легирование полупроводников
- •7.1. Назначение процесса легирования
- •7.2. Модели диффузии в твердом теле
- •Предельная растворимость примесей в кремнии
- •7.3 Диффузионные процессы легирования
- •8. Ионная имплантация – основной метод легирования полупроводников
- •8.1. Преимущества процесса имплантации
- •8.2. Оборудование для ионного легирования
- •8.3. Распределение пробегов ионов при имплантации
- •Значения критического угла каналирования в кремнии
- •8.4. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
- •8.5. Отжиг дефектов и активация примеси
- •9. Плазмохимическое травление полупроводников, диэлектриков и металлов
- •9.1. Классификация процессов плазмохимического травления
- •9.2. Особенности плазмохимического травления
- •9.3. Травление кремния и металлов
- •9.4. Травление двуокиси и нитрида кремния
- •9.5. Плазмохимическое травление органических материалов
- •9.6. Производительность и управляемость процессом плазмохимического травления
- •10. Металлизированные соединения и омические контакты
- •10.1. Требования к металлизации
- •10.2. Материалы для электрических соединений
- •10.3. Омические контакты
- •10.4. Оборудование для нанесения металлических пленок
- •10.5. Методы осаждения металлов
- •10.6. Интеграция процессов металлизации
- •Характеристики металлов, применяемых для создания ок к GaAs
- •11. Интеграция технологических процессов в производственный маршрут изготовления микросхем
- •11.1. Взаимосвязь технологических процессов
- •11.2. Интеграция приборов в структуре микросхемы
- •11.3. Спецификация производственного маршрута
- •11.4. Принципы построения маршрута
- •11.5. Иерархическое построение маршрута
- •11.6. Цикличность маршрута
- •11.7. Управляемость и воспроизводимость
- •11.8. Электровакуумная гигиена
- •12. Маршрут производства и физические структуры кмоп - микросхем.
- •12.1. Применение, достоинства и недостатки кмоп - микросхем
- •12.2. Требования к структуре кмоп - микросхем
- •Параметры кмоп - структур
- •12.3. Физическая структура и маршрут изготовления быстродействующих цифровых микросхем
- •12.4. Изоляция приборов
- •12.5. Области истока, стока и контакты к «карманам»
- •12.6. Подзатворный диэлектрик
- •12.7. Затворы субмикронных моп - транзисторов
- •12.8. Контакты к поликремниевым затворам, истокам и стокам
- •12.9. Металлизация
- •13. Физические структуры и технология биполярных микросхем
- •13.1. Области применения и особенности технологии биполярных микросхем
- •13.2. Высокочастотные биполярные транзисторы
- •13.3. Высоковольтные биполярные транзисторы
- •13.5. Биполярные транзисторы в кмоп - микросхемах
- •14. Структуры и процессы формирования пассивных элементов микросхем.
- •14.1. Требования к пассивным элементам микросхем и их состав.
- •14.2. Интегральные резисторы
- •14.3. Интегральные конденсаторы
- •14.4. Интегральные индукторы
- •14.5. Пассивные элементы на основе волноводов
- •14.6. Варакторы
- •14.7. Диоды Шоттки
- •Высота барьера Шоттки б
- •15. Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений a3b5 и кремний - германий
- •15.1. Свойства гетеропереходов
- •15.2. Технология гетероструктурных микросхем
- •15.3. Биполярные транзисторы на подложках арсенида галлия
- •15.4. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- •15.5. Гетероструктурные полевые транзисторы на основе широкозонных полупроводников
- •15.6. Микросхемы на основе гетероструктур кремний - германий
- •16. Функциональные приборы и устройства
- •16.1. Основные определения
- •16.2. Оптоэлектронные приборы
- •16.3. Акустоэлектронные приборы
- •Параметры основных пьезоэлектрических материалов
- •16.4. Микроэлектронные электромеханические устройства
- •Важнейшие свойства Si, SiC, AlN
- •Технология поверхностной микромеханики
- •Технология объемной микромеханики
- •Технология корпускулярно - лучевого формообразования
- •Химическое травление кремния при получении многослойных структур
- •Плазмохимическое травление кремниевых структур.
- •Сращивание подложек с использованием промежуточных слоев
- •Перспективы применения структур кремний – на - изоляторе в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике
- •Методы производства кни - структур
- •Специфика технологии микроэлектромеханических устройств
- •Компоненты нано- и микросистемной техники Микроакселерометр на поверхностных акустических волнах
- •Принцип действия и основы проектирования микроакселерометра
- •Полевой датчик Холла на основе структур «кремний – на - изоляторе»
- •Микрозеркала в кремниевом кристалле
- •Биосенсоры и биомолекулярная электроника
- •16.5. Магниточувствительные устройства
- •17. Процессы сборки и герметизации микросхем
- •17.1. Разделение пластин на кристаллы
- •Скрайбирование
- •Резка диском с наружной алмазной режущей кромкой
- •Резка ультразвуком
- •Резка пластин термоударом
- •Резка лучом лазера
- •17.2. Корпуса для интегральных микросхем
- •Корпусная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских параметров кристаллов по годам
- •17.3. Монтаж кристаллов в корпуса
- •17.4. Бескорпусная элементная база
- •Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов
- •Кристаллы с балочными выводами
- •17.5. Многокристальные модули в трехмерном исполнении
- •Анализ состояния возможностей 3d проектирования
- •Тенденции эволюции микропроцессоров
- •17.6. Герметизация микросхем
- •Защита от альфа-частиц
- •Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы
- •17.7. Тенденции и перспективы развития сборочной технологии
- •Глава 18. Многоуровневые коммутационные платы. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании.
- •18.1. Общие сведения о печатных платах. Конструктивные исполнения.
- •Конструкторско-технологические характеристики печатных плат
- •Наименьшие номинальные значения основных размеров элементов печатного монтажа для узкого места в зависимости от классов точности
- •Линейные размеры пп
- •Электрические характеристики печатных плат
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка, расположенными в соседних слоях
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка на наружных слоях пп
- •Допустимые значения воздействующего фактора по группам жесткости
- •Классификация конструкций пп
- •Тонкопленочные платы
- •Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия
- •Толстопленочные платы
- •18.2. Материалы печатных плат
- •18.3. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании
- •Рекомендации по проектированию кп (на стеклотекстолите) в тпм
- •18.4. Изготовление фотошаблонов печатных плат
- •Предельные отклонения размеров элементов топологии фш
- •Значения несовмещений по контактным площадкам
- •18.5. Перспективы проектирования для техники поверхностного монтажа
- •Типовые конструкции многоуровневых коммутационных плат (мкп) и технология их реализации
- •Глава 19. Сборка электронных устройств на печатных платах
- •19.1. Методы выполнения электрических соединений
- •19.2. Технология создания микросварных соединений
- •Физико-химические особенности сварки
- •Особенности соединений
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Сварка сдвоенным (расщепленным) электродом
- •Сварка взрывом
- •Ультразвуковая сварка
- •19.3. Особенности микромонтажа бескорпусных микросхем
- •Оценка структуры
- •Оценка напряжений в сварных соединениях
- •Конструктивное исполнение сварных узлов
- •Технологические рекомендации по выполнению сварных узлов
- •19.4. Технология создания микроконтактов методами пайки
- •Подготовка поверхностей
- •Механическая очистка поверхностей
- •Химическая очистка поверхностей
- •Предварительное облуживание поверхностей
- •Проверка подготовленных поверхностей
- •Особенности и способы пайки. Флюсы для пайки
- •Марки флюсов, их состав и назначение
- •Технология пайки
- •Перспективы бессвинцовых технологий в производстве электронных средств
- •Основные типы бессвинцовых припоев
- •Совместимость покрытий
- •Маркировка
- •Возможные дефекты
- •Способы пайки
- •Пайка расплавлением дозированного припоя лазером
- •Достоинства и недостатки методов пайки
- •19.5. Конструктивные варианты монтажа на печатной плате
- •Заключение
- •Литература
17.4. Бескорпусная элементная база
Наименьшая монтажная площадь, которую может занимать СБИС на коммутационной плате − посадочная площадь самого кристалла. Бескорпусная технология сборки СБИС практически реализует эту возможность, обеспечивая и решение вопроса по созданию СБИС КГА. При этом, в отличие от корпусов типа 2 (зарубежный аналог DIP) и поверхностно монтируемых корпусов типов 4 и 5 (зарубежные аналоги SO, SOIC, PLCC, QFP, CLCC, BGA и подобные по стандартам организаций JEDEK (США), EIAJ (Япония)), бескорпусные кристаллы (БК) СБИС, в сущности, могут быть смонтированы на платах из любых материалов, если позволяет точность изготовления знакоместа монтажной платы, поскольку для БК имеется широкий выбор материалов и разновидностей выводов, а также технологий микроконтактирования, упрощающих решение проблем согласования ТКЛР сопрягаемых материалов при монтаже БК СБИС. Вместе с тем, БК СБИС имеют наименьшие значения переходных сопротивлений, паразитных емкостей и индуктивностей, что способствует повышению скорости обработки сигналов МКМ (табл. 17.3).
Таблица 17.3
Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов
Характеристики |
БИС в DIP-корпусе |
Корпусированные БИС (микрокорпуса и кристаллодержатели с укороченными выводами и безвыводные) |
Бескорпусные БИС |
|
ТАВ-конструкция на полиимидном носителе |
Кристалл со столбиковыми выводами |
|||
Площадь знакоместа на КП, мм2 |
1711,5 |
77,44 – 390,06 |
41,22 |
32,72 |
Длина вывода, мм |
7,62 |
0,6 – 3,41 |
0,25 |
До 0,1 |
Сопротивление проводов, Ом |
1,0 |
0,22 |
0,09 |
0,002 |
Индуктивность выводов, нГн |
22,0 |
1,8 – 6,5 |
0,5 – 1,2 |
0,03 |
Межвыводная емкость, пФ |
4,12 |
0,3 – 0,5 |
Не более 0,1 |
Не более 0,01 |
Задержка распространения сигнала, нс |
Более 0,3 |
0,03 – 0,12 |
Менее 0,03 |
Менее 0,01 |
Масса компонента, г |
23,3 |
1,6 – 2,86 |
0,16 |
0,09 |
Для стандартизации бескорпусной элементной базы существует отраслевой стандарт (ОСТ) ОСТ В11 079.067…
В соответствии с ОСТом БК ЭБ подразделяется на 5 модификаций:
-
модификация «1» – микросхемы с гибкими проволочными выводами;
-
модификация «2» – микросхемы с ленточными выводами на гибком полимерном носителе;
-
модификация «3» – микросхемы с жесткими (шариковыми или столбиковыми) выводами;
-
модификация «4» – микросхемы на общей пластине;
-
модификация «5» – микросхемы на общей пластине, разделенные без потери ориентации.
Надежность бескорпусных СБИС не уступает, а при определенных конструктивных исполнениях и выше, чем у корпусированных, по следующим причинам:
-
уменьшено количество микросварных и паянных соединений на одну контактную площадку;
-
исключено влияние корпуса на функционирование СБИС;
-
улучшены условия теплоотвода за счет непосредственного монтажа на теплоотводящие платы без дополнительных переходных элементов;
-
повышена устойчивость к механическим воздействиям, чему способствует прежде всего малая масса БК СБИС и конструктивов с их применением.
Таким образом, преимущества БК СБИС очевидны, особенно если учесть возможность формирования выводных контактных площадок по всей рабочей поверхности кристалла. В среднем, с учетом разных методов монтажа, максимальное число микроконтактных соединений (в том числе матричных) на 10 мм2 поверхности кристалла может составлять от 300 до 1600. Это немаловажно, так как стоимость многовыводных кристаллодержателей (более чем 300- выводных) сегодня составляет почти 80 % стоимости готовой корпусированной СБИС.
Современные методы сборки бескорпусных СБИС основываются на двух направлениях: проволочной сборке и сборке с организованными выводами.
ИМС с проволочными выводами. Современные методы сборки бескорпусных СБИС основываются на двух направлениях: проволочная сборка и сборка с организованными выводами. До недавнего времени наиболее распространенным методом являлась проволочная сборка с помощью алюминиевых или золотых проволочных выводов. Процессы присоединения таких выводов к контактным площадкам кристалла достаточно отработаны, аналогичны монтажу кристалла в корпус, и широко освещены в литературе [5, 31]: чаще всего применяются термокомпрессионная или ультразвуковая сварка.
Однако автоматизация процесса монтажа СБИС с проволочными выводами на плату крайне затруднена, так как связана с очень кропотливым процессом совмещения при выполнении каждого соединения. Кроме того, необходимость электрической проверки кристалла после сборки для получения СБИС КГА заставляет использовать при монтаже специальную промежуточную тару или промежуточные носители, к которым присоединяются выводы от устанавливаемых на них кристаллов и которые позволяют после этого производить измерение кристалла и его монтаж на коммутационную плату вместе с носителем.
Применение промежуточных носителей обеспечивает автоматизацию сборки и монтажа, однако приводит к увеличению посадочного места кристалла на плате и, как следствие, к уменьшению плотности монтажа.
Дальнейшая автоматизация процессов создания СБИС КГА и монтажа кристаллов на плату МКМ достигается применением так называемых организованных выводов (методы беспроволочного соединения). Наибольшее распространение получили методы:
-
присоединение с помощью балочных выводов;
-
присоединение перевернутым кристаллом с шариковыми (столбиковыми) выводами;
-
сборка с использованием гибких полимерных носителей.