
- •Ю.Ф. Адамов, а.М. Грушевский, с.П. Тимошенков Современные проблемы проектирования и технологии микроэлектронных систем
- •Часть 1
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Технология микроэлектроники и микроэлектронные полупроводниковые приборы
- •1.1. Типовые структуры и характеристики кремниевых биполярных транзисторов
- •1.2. Пределы миниатюризации кремниевых биполярных транзисторов
- •1.3. Типовые структуры и характеристики кремниевых
- •1.4. Тиристорный эффект в комплементарных моп - схемах
- •1.5. Ударная ионизация в канале и обусловленный ею ток подложки
- •1.6. Размерные эффекты в моп - транзисторах
- •1.7. Физические ограничения размеров моп - транзисторов
- •1.8. Прогноз предельных параметров моп-транзисторов
- •1.9. Прогноз развития элементной базы микроэлектроники
- •2. Единство интегральной технологии и схемотехники
- •2.1. Интегральная схемотехника – продукт развития технологии
- •2.2. Принципы интегральной схемотехники
- •2.3. Правила масштабирования моп - транзисторов
- •Закономерности масштабирования согласно трем различным методам
- •2.4. Топологическое проектирование масштабируемых микросхем
- •2.5. Влияние сложности логических схем на характеристики системы металлизации
- •2.6. Немасштабируемые элементы структуры
- •3. Проблемы развития интегральной схемотехники для нанометровых технологий
- •3.1. Кризис схемотехники нанометровых микросхем
- •3.2. Пути унификации схемотехнических решений
- •3.3. Характеризация библиотек транзисторов, логических элементов и простых функциональных блоков
- •4. Литография
- •4.1. Основные определения
- •4.2. Фотолитография – ключевой процесс планарной технологии
- •4.3. Электронно-лучевая литография
- •4.4. Резисты – полимеры, чувствительные к облучению
- •5. Эпитаксия полупроводниковых слоев
- •5.1. Основные определения
- •5.2. Эпитаксиальное выращивание слоев кремния из парогазовой фазы
- •5.3. Молекулярно - лучевая эпитаксия
- •5.4. Развитие эпитаксиальной технологии
- •Основные характеристики диэлектрических подложек, используемых при гетероэпитаксии кремния
- •6. Процессы нанесения диэлектрических покрытий
- •6.1. Назначение диэлектрических слоев и требования к ним
- •6.2. Методы получения диэлектрических покрытий
- •6.3. Термическое окисление кремния
- •6.4. Осаждение диэлектрических пленок
- •6.5. Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок
- •7. Легирование полупроводников
- •7.1. Назначение процесса легирования
- •7.2. Модели диффузии в твердом теле
- •Предельная растворимость примесей в кремнии
- •7.3 Диффузионные процессы легирования
- •8. Ионная имплантация – основной метод легирования полупроводников
- •8.1. Преимущества процесса имплантации
- •8.2. Оборудование для ионного легирования
- •8.3. Распределение пробегов ионов при имплантации
- •Значения критического угла каналирования в кремнии
- •8.4. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
- •8.5. Отжиг дефектов и активация примеси
- •9. Плазмохимическое травление полупроводников, диэлектриков и металлов
- •9.1. Классификация процессов плазмохимического травления
- •9.2. Особенности плазмохимического травления
- •9.3. Травление кремния и металлов
- •9.4. Травление двуокиси и нитрида кремния
- •9.5. Плазмохимическое травление органических материалов
- •9.6. Производительность и управляемость процессом плазмохимического травления
- •10. Металлизированные соединения и омические контакты
- •10.1. Требования к металлизации
- •10.2. Материалы для электрических соединений
- •10.3. Омические контакты
- •10.4. Оборудование для нанесения металлических пленок
- •10.5. Методы осаждения металлов
- •10.6. Интеграция процессов металлизации
- •Характеристики металлов, применяемых для создания ок к GaAs
- •11. Интеграция технологических процессов в производственный маршрут изготовления микросхем
- •11.1. Взаимосвязь технологических процессов
- •11.2. Интеграция приборов в структуре микросхемы
- •11.3. Спецификация производственного маршрута
- •11.4. Принципы построения маршрута
- •11.5. Иерархическое построение маршрута
- •11.6. Цикличность маршрута
- •11.7. Управляемость и воспроизводимость
- •11.8. Электровакуумная гигиена
- •12. Маршрут производства и физические структуры кмоп - микросхем.
- •12.1. Применение, достоинства и недостатки кмоп - микросхем
- •12.2. Требования к структуре кмоп - микросхем
- •Параметры кмоп - структур
- •12.3. Физическая структура и маршрут изготовления быстродействующих цифровых микросхем
- •12.4. Изоляция приборов
- •12.5. Области истока, стока и контакты к «карманам»
- •12.6. Подзатворный диэлектрик
- •12.7. Затворы субмикронных моп - транзисторов
- •12.8. Контакты к поликремниевым затворам, истокам и стокам
- •12.9. Металлизация
- •13. Физические структуры и технология биполярных микросхем
- •13.1. Области применения и особенности технологии биполярных микросхем
- •13.2. Высокочастотные биполярные транзисторы
- •13.3. Высоковольтные биполярные транзисторы
- •13.5. Биполярные транзисторы в кмоп - микросхемах
- •14. Структуры и процессы формирования пассивных элементов микросхем.
- •14.1. Требования к пассивным элементам микросхем и их состав.
- •14.2. Интегральные резисторы
- •14.3. Интегральные конденсаторы
- •14.4. Интегральные индукторы
- •14.5. Пассивные элементы на основе волноводов
- •14.6. Варакторы
- •14.7. Диоды Шоттки
- •Высота барьера Шоттки б
- •15. Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений a3b5 и кремний - германий
- •15.1. Свойства гетеропереходов
- •15.2. Технология гетероструктурных микросхем
- •15.3. Биполярные транзисторы на подложках арсенида галлия
- •15.4. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- •15.5. Гетероструктурные полевые транзисторы на основе широкозонных полупроводников
- •15.6. Микросхемы на основе гетероструктур кремний - германий
- •16. Функциональные приборы и устройства
- •16.1. Основные определения
- •16.2. Оптоэлектронные приборы
- •16.3. Акустоэлектронные приборы
- •Параметры основных пьезоэлектрических материалов
- •16.4. Микроэлектронные электромеханические устройства
- •Важнейшие свойства Si, SiC, AlN
- •Технология поверхностной микромеханики
- •Технология объемной микромеханики
- •Технология корпускулярно - лучевого формообразования
- •Химическое травление кремния при получении многослойных структур
- •Плазмохимическое травление кремниевых структур.
- •Сращивание подложек с использованием промежуточных слоев
- •Перспективы применения структур кремний – на - изоляторе в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике
- •Методы производства кни - структур
- •Специфика технологии микроэлектромеханических устройств
- •Компоненты нано- и микросистемной техники Микроакселерометр на поверхностных акустических волнах
- •Принцип действия и основы проектирования микроакселерометра
- •Полевой датчик Холла на основе структур «кремний – на - изоляторе»
- •Микрозеркала в кремниевом кристалле
- •Биосенсоры и биомолекулярная электроника
- •16.5. Магниточувствительные устройства
- •17. Процессы сборки и герметизации микросхем
- •17.1. Разделение пластин на кристаллы
- •Скрайбирование
- •Резка диском с наружной алмазной режущей кромкой
- •Резка ультразвуком
- •Резка пластин термоударом
- •Резка лучом лазера
- •17.2. Корпуса для интегральных микросхем
- •Корпусная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских параметров кристаллов по годам
- •17.3. Монтаж кристаллов в корпуса
- •17.4. Бескорпусная элементная база
- •Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов
- •Кристаллы с балочными выводами
- •17.5. Многокристальные модули в трехмерном исполнении
- •Анализ состояния возможностей 3d проектирования
- •Тенденции эволюции микропроцессоров
- •17.6. Герметизация микросхем
- •Защита от альфа-частиц
- •Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы
- •17.7. Тенденции и перспективы развития сборочной технологии
- •Глава 18. Многоуровневые коммутационные платы. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании.
- •18.1. Общие сведения о печатных платах. Конструктивные исполнения.
- •Конструкторско-технологические характеристики печатных плат
- •Наименьшие номинальные значения основных размеров элементов печатного монтажа для узкого места в зависимости от классов точности
- •Линейные размеры пп
- •Электрические характеристики печатных плат
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка, расположенными в соседних слоях
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка на наружных слоях пп
- •Допустимые значения воздействующего фактора по группам жесткости
- •Классификация конструкций пп
- •Тонкопленочные платы
- •Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия
- •Толстопленочные платы
- •18.2. Материалы печатных плат
- •18.3. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании
- •Рекомендации по проектированию кп (на стеклотекстолите) в тпм
- •18.4. Изготовление фотошаблонов печатных плат
- •Предельные отклонения размеров элементов топологии фш
- •Значения несовмещений по контактным площадкам
- •18.5. Перспективы проектирования для техники поверхностного монтажа
- •Типовые конструкции многоуровневых коммутационных плат (мкп) и технология их реализации
- •Глава 19. Сборка электронных устройств на печатных платах
- •19.1. Методы выполнения электрических соединений
- •19.2. Технология создания микросварных соединений
- •Физико-химические особенности сварки
- •Особенности соединений
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Сварка сдвоенным (расщепленным) электродом
- •Сварка взрывом
- •Ультразвуковая сварка
- •19.3. Особенности микромонтажа бескорпусных микросхем
- •Оценка структуры
- •Оценка напряжений в сварных соединениях
- •Конструктивное исполнение сварных узлов
- •Технологические рекомендации по выполнению сварных узлов
- •19.4. Технология создания микроконтактов методами пайки
- •Подготовка поверхностей
- •Механическая очистка поверхностей
- •Химическая очистка поверхностей
- •Предварительное облуживание поверхностей
- •Проверка подготовленных поверхностей
- •Особенности и способы пайки. Флюсы для пайки
- •Марки флюсов, их состав и назначение
- •Технология пайки
- •Перспективы бессвинцовых технологий в производстве электронных средств
- •Основные типы бессвинцовых припоев
- •Совместимость покрытий
- •Маркировка
- •Возможные дефекты
- •Способы пайки
- •Пайка расплавлением дозированного припоя лазером
- •Достоинства и недостатки методов пайки
- •19.5. Конструктивные варианты монтажа на печатной плате
- •Заключение
- •Литература
Резка ультразвуком
При ультразвуковой резке (УЗР) к рабочему торцу инструмента 1 (рис.17.4), совершавшего ультразвуковые возвратно-поступательные колебания в направлении обрабатываемого изделия 3, подается абразивная суспензия 2. Абразивные частицы под действием инструмента выкалывают микрочастицы материала (действуют как штамп), что дает возможность получать заготовки сложной формы в виде круглых кристаллов менее 1 мм, а также кристаллов с глухими отверстиями.
Рис. 17.4. Схема ультразвуковой резки:
1 – инструмент; 2 – абразивная суспензия; 3 – заготовка
Резка пластин термоударом
Этот метод использует локальный термоудар, который создает напряженные линии на поверхности полупроводниковой пластины.
Напряженные линии образуются при помощи параллельной сетки из вольфрамовой проволоки диаметром 0,1 мм, которая накладывается на поверхность полупроводниковой пластины. Через проволоку пропускается импульс тока. В результате резкого нагрева и быстрого охлаждения на поверхности полупроводниковой пластины возникают линии термоупругих механических напряжений, по которым затем происходит разламывание пластины на кристаллы. Нагрев осуществляется в инертной среде. При этом пластина с одной стороны локально нагревается, а с другой – охлаждается жидким воздухом.
Резка лучом лазера
Разработка мощных и надежных лазеров на алюмоиттриевом гранате с неодимом и CO2 , работавших в непрерывном и импульсном режиме, позволила осуществить лазерное разделение полупроводниковых пластин.
Схема лазерного разделения представлена на рис.17.5.
Рис.17.5. Схема устройства для лазерного разделения материалов:
1 – сопло; 2 – фокусирующая линза; 3 –зеркало;4 –луч лазера; 5 – диафрагма; 6 – излучатель; 7 – разделяемый материал
Излучение лазера 4,отражаясь от зеркала 3, фокусируется линзой 2 на поверхность обрабатываемого материала 7 и с помощью соосного с лучом сопла 1 в зону нагрева направляется газовая струя. Давление газа (обычно инертные газы или воздух) (1,5-3)*105 Па, диаметр сопла 5 мм, расстояние от сопла до разрезаемого материала l тоже равно 5 мм.
После разделения пластин на кристаллы, наклеенные на пленку, передаются на участок сортировки. После сортировки отобранные годные кристаллы поступают на участок сборки, а затем в цех контроля. Процессы сборки отличаются для корпусных и бескорпусных микросхем.
17.2. Корпуса для интегральных микросхем
В зависимости от материала центральной части основания корпуса, на котором проводится монтаж кристалла, и материалов для изоляции выводов существуют четыре основных конструктивно-технологических варианта корпусов:
-
металлостеклянный (стеклянное или металлическое основание с изолированными выводами и металлическим колпачком, соединяемым с основанием сваркой или пайкой);
-
металлокерамический (керамическое основание и металлическая крышка);
-
керамический (керамические основание и крышка);
-
пластмассовый (кристалл и рамка выводов спрессовываются или заливаются пластмассой).
По форме проекции тела корпуса микросхемы на плоскость основания и расположению выводов корпуса подразделяются на типы, определяющие способ монтажа на плату, и на подтипы определяющие размеры корпуса и число выводов.
В соответствии с ГОСТ 17467-89 (вместо ГОСТ 17467-79) конструкции корпуса ИС подразделяются на шесть типов (табл. 17.1):
Таблица 17.1
Тип корпуса |
Подтип корпуса |
Форма корпуса |
Расположение выводов относительно плоскости основания |
Внешний вид корпуса |
1 |
11 12 13 14 15 |
Прямоугольная |
Перпендикулярное, в один ряд Перпендикулярное, в два ряда Перпендикулярное, в три ряда Перпендикулярное, по контуру прямоугольника Перпендикулярное, в один ряд или в отформованном виде, в два ряда |
|
2 |
21 22 |
Прямоугольная |
Перпендикулярное, в два ряда
Перпендикулярное, в четыре ряда в шахматном порядке |
|
3 |
31
32 |
Прямоугольная
Овальная |
Перпендикулярное по одной окружности
Перпендикулярное по одной окружности |
|
4 |
41
42
43
44
45 |
Прямоугольная |
Параллельное, по двум противоположным сторонам Параллельное, по четырём сторонам Параллельное, отформованное по двум противоположным сторонам Параллельное, отформованное по четырём сторонам Параллельное, отформованное под корпус по четырём сторонам |
|
5 |
51
52 |
Прямоугольная |
Перпендикулярное для боковых выводных площадок по четырём сторонам, в плоскости основания, для нижних выводных площадок Перпендикулярное для боковых площадок по четырём сторонам |
|
6 |
61 62 |
Квадратная |
Перпендикулярное, в четыре ряда и более Перпендикулярное, в два ряда и более со стороны крышки корпуса |
|
-
прямоугольный с выводами, расположенными по периметру и перпендикулярно основанию (корпус типа 1);
-
прямоугольный с параллельным расположением выводов, изогнутых перпендикулярно основанию (корпус типа 2);
-
круглый с выводами, расположенными по окружности и перпендикулярно основанию (корпус типа 3);
-
прямоугольный (плоский) с выводами, расположенными параллельно плоскости основания (корпус типа 4);
-
прямоугольный (квадратный) плоский корпус безвыводной или с малыми размерами выводов (корпус типа 5);
-
квадратный корпус с выводами, расположенными перпендикулярно плоскости основания (корпус типа 6).
По габаритным и присоединительным размерам конструкции корпусов подразделяются на типоразмеры с цифровым обозначением подтипа (12, 21, 31, 41, 51, 61) и порядкового номера (две цифры).
Выводы корпусов микросхем в поперечном сечении могут круглой, квадратной или прямоугольной формы. Шаг выводов составляет 0,625; 1; 1,25; 1,7 и 2,5 мм.
Пример условного обозначения корпуса микросхемы:
4119.28-1 (старое обозначение 405.28-1, см. табл. 1.30), где 4 – тип корпуса; 41 – подтип; 4119 – шифр типоразмера (подтип корпуса и порядковый номер типоразмера); 28 – число выводов; 1 – порядковый регистрационный номер.
Для микросхем, поставляемых на экспорт, вместо регистрационного номера вводится буквенное обозначение (например, буква е) в соответствии с латинским алфавитом.
Условные обозначения корпусов, присвоенные по ранее выпущенному ГОСТу 14767-79, остаются неизменными.
Каждому типу корпуса присущи свои достоинства и недостатки. Например, использование плоских прямоугольных металлокерамических и металлостеклянных корпусов позволяет повысить плотность монтажа (можно проводить сборку на обеих сторонах печатной платы без сверления в ней отверстий под выводы корпуса) и получить наилучшие массогабаритные характеристики. Пластмассовые корпуса самые дешевые, обеспечивают наилучшую защиту от механических воздействий, но хуже в отношении защиты от климатических воздействий и обеспечения оптимальных тепловых режимов работы.
Дальнейшим развитием плоских корпусов с четырехсторонним расположением выводов стали корпуса подтипов 51 и 52 (Н-типа) с укороченными выводами и безвыводные корпуса. Дальнейшим развитием корпусов типа 2 являются корпуса для мощных ИС.
Некоторые конструктивно-технологические особенности корпусов в зависимости от классификации по материалам:
Пластмассовые корпуса. Кристаллы микросхем монтируются на жесткую рамку, затем защищаются эпоксидным лаком, затем опрессовываются в пластмассу. Лишние детали рамки обрезаются перед измерением микросхем. Выводы держатся за счет связи с пластмассовым телом корпуса. Это самый дешевый вид сборки. Технология обеспечивает изготовление корпусов типов 2, 4 и 5.
Металлокерамические корпуса. В керамическом теле корпуса спрессованы изолирующие и проводящие слои. В состав композиции входят окись алюминия, окись кремния, металлические порошки. После обжига тело корпуса твердеет. На проводящие слои гальванически осаждается металл (никель или золото). Металлическая рамка приваривается к покрытым металлом проводящим слоям керамики. Кристалл монтируется в полости корпуса и герметизируется металлической крышкой. Металлокерамические корпуса обеспечивают наилучшую герметичность и надежность микросхем. Широко используются в аппаратуре специального назначения. Технология используется для корпусов 2, 4, 5, 6 типов.
Металлостеклянные корпуса. Металлическое основание корпуса и металлическую крышку получают штамповкой из тонких листов. В основании делаются отверстия, в которые вставляются металлические выводы корпуса и привариваются к основанию легкоплавким стеклом. Стекло выполняет функции изоляции, герметизации и крепления выводов корпуса. Кристалл монтируется в полости корпуса и герметизируется металлической крышкой. Герметизация крышки выполняется электросваркой или пайкой с оловянно-свинцовым припоем. Металлостеклянные корпуса обеспечивают наилучший теплоотвод, т.к. корпус практически весь металлический. Дорогая технология. Используется для корпусов 1, 3, 4 типов.
Стеклокерамические корпуса. Заготовками для корпуса являются две керамических чашки и металлическая рамка. Рамка приваривается стеклом к основанию корпуса. Кристалл монтируется на основании и соединяется с рамкой. Герметизация микросхемы производится привариванием керамической крышки на стекло. Самый дешевый метод герметичной сборки микросхем. Однако этот метод имеет два существенных недостатка. Температура сварки стеклом 400 – 450°С. Кристаллы микросхем не всегда выдерживают такую температуру и деградируют. Сварочное стекло выделяет при высокой температуре пары окислов металлов, активно разрушающие проводники в микросхемах. Есть модификации корпусов с отверстием в верхней половине корпуса. В этом случае кристалл монтируется в это отверстие после сварки стеклом и герметизируется металлической крышкой. Корпус от этого становится дороже и теряет преимущество в цене перед металлокерамической конструкцией. Отмеченные недостатки очень ограничивают распространение стеклокерамических корпусов. Технология используется для 2 и 4 типов.
В зарубежной классификации корпусов используются обозначения латинскими буквами, которые являются аббревиатурами англоязычных названий корпусов. Например, QFP (Quadrate Flat Package). Широко распространены корпуса следующих типов:
-
DIP, PDIP, SOIC (соответствуют типу 2);
-
QFP, LQFP, TQFP (соответствуют типу 4);
-
PLCC, QFP (соответствуют типу 5);
-
BGА (соответствует типу 6).
Номенклатура корпусов и соответствующих им обозначений постоянно расширяется, и для расшифровки маркировки требуются специальные справочники или техническая информация от производителя.