
- •Ю.Ф. Адамов, а.М. Грушевский, с.П. Тимошенков Современные проблемы проектирования и технологии микроэлектронных систем
- •Часть 1
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Технология микроэлектроники и микроэлектронные полупроводниковые приборы
- •1.1. Типовые структуры и характеристики кремниевых биполярных транзисторов
- •1.2. Пределы миниатюризации кремниевых биполярных транзисторов
- •1.3. Типовые структуры и характеристики кремниевых
- •1.4. Тиристорный эффект в комплементарных моп - схемах
- •1.5. Ударная ионизация в канале и обусловленный ею ток подложки
- •1.6. Размерные эффекты в моп - транзисторах
- •1.7. Физические ограничения размеров моп - транзисторов
- •1.8. Прогноз предельных параметров моп-транзисторов
- •1.9. Прогноз развития элементной базы микроэлектроники
- •2. Единство интегральной технологии и схемотехники
- •2.1. Интегральная схемотехника – продукт развития технологии
- •2.2. Принципы интегральной схемотехники
- •2.3. Правила масштабирования моп - транзисторов
- •Закономерности масштабирования согласно трем различным методам
- •2.4. Топологическое проектирование масштабируемых микросхем
- •2.5. Влияние сложности логических схем на характеристики системы металлизации
- •2.6. Немасштабируемые элементы структуры
- •3. Проблемы развития интегральной схемотехники для нанометровых технологий
- •3.1. Кризис схемотехники нанометровых микросхем
- •3.2. Пути унификации схемотехнических решений
- •3.3. Характеризация библиотек транзисторов, логических элементов и простых функциональных блоков
- •4. Литография
- •4.1. Основные определения
- •4.2. Фотолитография – ключевой процесс планарной технологии
- •4.3. Электронно-лучевая литография
- •4.4. Резисты – полимеры, чувствительные к облучению
- •5. Эпитаксия полупроводниковых слоев
- •5.1. Основные определения
- •5.2. Эпитаксиальное выращивание слоев кремния из парогазовой фазы
- •5.3. Молекулярно - лучевая эпитаксия
- •5.4. Развитие эпитаксиальной технологии
- •Основные характеристики диэлектрических подложек, используемых при гетероэпитаксии кремния
- •6. Процессы нанесения диэлектрических покрытий
- •6.1. Назначение диэлектрических слоев и требования к ним
- •6.2. Методы получения диэлектрических покрытий
- •6.3. Термическое окисление кремния
- •6.4. Осаждение диэлектрических пленок
- •6.5. Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок
- •7. Легирование полупроводников
- •7.1. Назначение процесса легирования
- •7.2. Модели диффузии в твердом теле
- •Предельная растворимость примесей в кремнии
- •7.3 Диффузионные процессы легирования
- •8. Ионная имплантация – основной метод легирования полупроводников
- •8.1. Преимущества процесса имплантации
- •8.2. Оборудование для ионного легирования
- •8.3. Распределение пробегов ионов при имплантации
- •Значения критического угла каналирования в кремнии
- •8.4. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
- •8.5. Отжиг дефектов и активация примеси
- •9. Плазмохимическое травление полупроводников, диэлектриков и металлов
- •9.1. Классификация процессов плазмохимического травления
- •9.2. Особенности плазмохимического травления
- •9.3. Травление кремния и металлов
- •9.4. Травление двуокиси и нитрида кремния
- •9.5. Плазмохимическое травление органических материалов
- •9.6. Производительность и управляемость процессом плазмохимического травления
- •10. Металлизированные соединения и омические контакты
- •10.1. Требования к металлизации
- •10.2. Материалы для электрических соединений
- •10.3. Омические контакты
- •10.4. Оборудование для нанесения металлических пленок
- •10.5. Методы осаждения металлов
- •10.6. Интеграция процессов металлизации
- •Характеристики металлов, применяемых для создания ок к GaAs
- •11. Интеграция технологических процессов в производственный маршрут изготовления микросхем
- •11.1. Взаимосвязь технологических процессов
- •11.2. Интеграция приборов в структуре микросхемы
- •11.3. Спецификация производственного маршрута
- •11.4. Принципы построения маршрута
- •11.5. Иерархическое построение маршрута
- •11.6. Цикличность маршрута
- •11.7. Управляемость и воспроизводимость
- •11.8. Электровакуумная гигиена
- •12. Маршрут производства и физические структуры кмоп - микросхем.
- •12.1. Применение, достоинства и недостатки кмоп - микросхем
- •12.2. Требования к структуре кмоп - микросхем
- •Параметры кмоп - структур
- •12.3. Физическая структура и маршрут изготовления быстродействующих цифровых микросхем
- •12.4. Изоляция приборов
- •12.5. Области истока, стока и контакты к «карманам»
- •12.6. Подзатворный диэлектрик
- •12.7. Затворы субмикронных моп - транзисторов
- •12.8. Контакты к поликремниевым затворам, истокам и стокам
- •12.9. Металлизация
- •13. Физические структуры и технология биполярных микросхем
- •13.1. Области применения и особенности технологии биполярных микросхем
- •13.2. Высокочастотные биполярные транзисторы
- •13.3. Высоковольтные биполярные транзисторы
- •13.5. Биполярные транзисторы в кмоп - микросхемах
- •14. Структуры и процессы формирования пассивных элементов микросхем.
- •14.1. Требования к пассивным элементам микросхем и их состав.
- •14.2. Интегральные резисторы
- •14.3. Интегральные конденсаторы
- •14.4. Интегральные индукторы
- •14.5. Пассивные элементы на основе волноводов
- •14.6. Варакторы
- •14.7. Диоды Шоттки
- •Высота барьера Шоттки б
- •15. Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений a3b5 и кремний - германий
- •15.1. Свойства гетеропереходов
- •15.2. Технология гетероструктурных микросхем
- •15.3. Биполярные транзисторы на подложках арсенида галлия
- •15.4. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- •15.5. Гетероструктурные полевые транзисторы на основе широкозонных полупроводников
- •15.6. Микросхемы на основе гетероструктур кремний - германий
- •16. Функциональные приборы и устройства
- •16.1. Основные определения
- •16.2. Оптоэлектронные приборы
- •16.3. Акустоэлектронные приборы
- •Параметры основных пьезоэлектрических материалов
- •16.4. Микроэлектронные электромеханические устройства
- •Важнейшие свойства Si, SiC, AlN
- •Технология поверхностной микромеханики
- •Технология объемной микромеханики
- •Технология корпускулярно - лучевого формообразования
- •Химическое травление кремния при получении многослойных структур
- •Плазмохимическое травление кремниевых структур.
- •Сращивание подложек с использованием промежуточных слоев
- •Перспективы применения структур кремний – на - изоляторе в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике
- •Методы производства кни - структур
- •Специфика технологии микроэлектромеханических устройств
- •Компоненты нано- и микросистемной техники Микроакселерометр на поверхностных акустических волнах
- •Принцип действия и основы проектирования микроакселерометра
- •Полевой датчик Холла на основе структур «кремний – на - изоляторе»
- •Микрозеркала в кремниевом кристалле
- •Биосенсоры и биомолекулярная электроника
- •16.5. Магниточувствительные устройства
- •17. Процессы сборки и герметизации микросхем
- •17.1. Разделение пластин на кристаллы
- •Скрайбирование
- •Резка диском с наружной алмазной режущей кромкой
- •Резка ультразвуком
- •Резка пластин термоударом
- •Резка лучом лазера
- •17.2. Корпуса для интегральных микросхем
- •Корпусная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских параметров кристаллов по годам
- •17.3. Монтаж кристаллов в корпуса
- •17.4. Бескорпусная элементная база
- •Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов
- •Кристаллы с балочными выводами
- •17.5. Многокристальные модули в трехмерном исполнении
- •Анализ состояния возможностей 3d проектирования
- •Тенденции эволюции микропроцессоров
- •17.6. Герметизация микросхем
- •Защита от альфа-частиц
- •Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы
- •17.7. Тенденции и перспективы развития сборочной технологии
- •Глава 18. Многоуровневые коммутационные платы. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании.
- •18.1. Общие сведения о печатных платах. Конструктивные исполнения.
- •Конструкторско-технологические характеристики печатных плат
- •Наименьшие номинальные значения основных размеров элементов печатного монтажа для узкого места в зависимости от классов точности
- •Линейные размеры пп
- •Электрические характеристики печатных плат
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка, расположенными в соседних слоях
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка на наружных слоях пп
- •Допустимые значения воздействующего фактора по группам жесткости
- •Классификация конструкций пп
- •Тонкопленочные платы
- •Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия
- •Толстопленочные платы
- •18.2. Материалы печатных плат
- •18.3. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании
- •Рекомендации по проектированию кп (на стеклотекстолите) в тпм
- •18.4. Изготовление фотошаблонов печатных плат
- •Предельные отклонения размеров элементов топологии фш
- •Значения несовмещений по контактным площадкам
- •18.5. Перспективы проектирования для техники поверхностного монтажа
- •Типовые конструкции многоуровневых коммутационных плат (мкп) и технология их реализации
- •Глава 19. Сборка электронных устройств на печатных платах
- •19.1. Методы выполнения электрических соединений
- •19.2. Технология создания микросварных соединений
- •Физико-химические особенности сварки
- •Особенности соединений
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Сварка сдвоенным (расщепленным) электродом
- •Сварка взрывом
- •Ультразвуковая сварка
- •19.3. Особенности микромонтажа бескорпусных микросхем
- •Оценка структуры
- •Оценка напряжений в сварных соединениях
- •Конструктивное исполнение сварных узлов
- •Технологические рекомендации по выполнению сварных узлов
- •19.4. Технология создания микроконтактов методами пайки
- •Подготовка поверхностей
- •Механическая очистка поверхностей
- •Химическая очистка поверхностей
- •Предварительное облуживание поверхностей
- •Проверка подготовленных поверхностей
- •Особенности и способы пайки. Флюсы для пайки
- •Марки флюсов, их состав и назначение
- •Технология пайки
- •Перспективы бессвинцовых технологий в производстве электронных средств
- •Основные типы бессвинцовых припоев
- •Совместимость покрытий
- •Маркировка
- •Возможные дефекты
- •Способы пайки
- •Пайка расплавлением дозированного припоя лазером
- •Достоинства и недостатки методов пайки
- •19.5. Конструктивные варианты монтажа на печатной плате
- •Заключение
- •Литература
16.3. Акустоэлектронные приборы
Материалы акустоэлектроники. Принцип действия всех акустоэлектронных приборов основан на явлении пьезоэффекта, который наблюдается в полупроводниках и диэлектриках с несимметричными ковалентнами связями, т. е. в химических соединениях. В кремнии, германии и алмазе пьезоэффект невозможен. Пьезоэффект проявляется в возникновении электрического поля в направлении деформации кристалла и, наоборот, воздействие электрического поля вызывает деформацию кристалла. Акустические колебания кристаллов легко зафиксировать электронными схемами, а воздействуя на кристалл переменным напряжением, можно вызвать колебания. На этом принципе основана работа пьезоэлектрических микрофонов и динамиков. Наиболее важные для электроники пьезоэлектрические материалы - это кварц (кристаллическая окись кремния) и ниобат лития. На их основе изготавливаются твердотельные резонаторы и узкополосные фильтры.
Пьезоэлектрические материалы характеризуются следующими параметрами:
-
пьезомодуль d устанавливает связь между поверхностным зарядом и приложенной к образцу силой; измеряется в пКл/H;
-
коэффициент электромеханической связи показывает, какая часть механической энергии преобразуется в электрическую; безразмерная величина;
-
механическая добротность – Qм; безразмерная величина;
-
Скорость звука, м/с.
Таблица 16.1.
Параметры основных пьезоэлектрических материалов
Параметр |
Кварц (SiO2) |
Ниобат лития (LiNbO3) |
Ниобат калия-натрия (K-Na)NbO3 |
Пьезомодуль d, пКл/H |
2,31 |
145 |
160 |
Коэффициент электромеханической связи |
0,0016 |
0,045 |
0,045 |
Механическая добротность Qм |
105107 |
300400 |
250300 |
Скорость звука, м/с |
3158 |
3488 |
3405 |
Кристаллы ниобатов щелочных металлов значительно дороже кристаллов кварца. Значительное снижение стоимости пьезоэлектрических приборов достигается использованием керамических материалов на основе тех же ниобатов щелочных материалов. Поликристаллы в керамике ориентированы произвольно и исходные образцы пьезоэффектом не обладают. Однако если провести отжиг образцов под воздействием сильного электрического поля, то происходит перестройка структуры поликристаллов и в заданном направлении появляется пьезоэффект. Коэффициент электромеханической связи у керамических материалов меньше, чем у монокристаллов, но значительно больше, чем у кварца.
Кварцевый резонатор. Колебания твердых тел имеют резонансный характер. В пьезоэлектрических кристаллах также возникают резонансные механические колебания. Если на обе поверхности кварцевой пластины нанести металлические электроды и измерить зависимость высокочастотного импеданса структуры от частоты, то на резонансных частотах обнаружится резкое снижение импеданса в десятки или сотни тысяч раз. Резонансные частоты соответствуют возникновению в пластине стоячей акустической волны с нечетным числом полуволн на толщине пластины. В электронике обычно используется первая (нижняя) резонансная частота. Если в обратную связь инвертирующего усилителя включить кварцевый резонатор, то в этой системе возникнут гармонические колебания с одной из акустических резонансных частот пластины. Чтобы подавить колебания высших резонансных частот, в цепь обратной связи включаются элементы фильтра нижних частот (конденсаторы).
Промышленностью выпускаются резонаторы с рабочими частотами от десятков килогерц до десятков мегагерц. Верхняя граница частот резонаторов ограничена прочностью кварцевых пластин. При толщине пластины около 100 мкм максимальная частота резонатора будет менее 60 МГц. С помощью кварцевого резонатора можно задавать тактовую частоту работы электронной системы с точностью до пяти десятичных знаков.
Резонаторы и фильтры на поверхностных акустических волнах. В кристаллических твердых телах возбуждаются не только объемные, но и поверхностные акустические волны (ПАВ). Скорость распространения поверхностных волн лишь немного меньше, чем объемных. Максимальная частота объемных резонаторов ограничена толщиной пластин. В ПАВ - резонаторах электроды можно разместить с микронным шагом и увеличить максимальные частоты до единиц гигагерц. ПАВ - резонатор имеет две одинаковые металлические встречно-штыревые решетки, разделенные небольшим промежутком. Одна решетка служит излучателем ПАВ, другая – приемником. С внешней стороны каждой из решеток размещаются отражатели поверхностных волн. Отражателем служит группа канавок в кристалле пьезоэлектрика, размещенных параллельно электродам приемника и передатчика, с шагом, равным шагу электродов. Если требуются максимальная воспроизводимость и температурная стабильность параметров ПАВ - резонатора, то в качестве пьезоэлектрика используется кристаллический кварц (рис. 16.2).
АЧХ резонатора очень узкая и неравномерная. Резонаторы трудно использовать в качестве радиотехнических фильтров. Для того чтобы придать АХЧ требуемую форму, излучатель и приемник делаются с переменным шагом, а вместо отражателей на кристалле размещаются поглотители акустических волн. Поглотителем служит металлическая площадка на поверхности пьезоэлектрика. Часто эта площадка покрывается пластичным органическим составом, поглощающим энергию акустических волн. АЧХ такой структуры приобретает форму, характерную для полосового фильтра с плоской вершиной. Отношение амплитуд сигналов в полосе пропускания и полосе заграждения определяется шириной полосы пропускания и коэффициентом электромеханической связи. Для фильтров обычно используются кристаллы ниобата лития (LiNbO3) и ниобата титана (NbTiO3), имеющие очень высокий коэффициент электромеханической связи. Отношение сигналов на выходе фильтра в полосе пропускания и полосе заграждения – 4050 дБ.
Первый фильтр на основе ПАВ разработал и изготовил Ю.В. Гуляев, ныне академик, вице-президент Российской Академии наук.