Перепишем соотношение (2.7) в виде

, (2.8)

где w_r – потери энергии переменного электрического поля на диэлектрический гистерезис в единице объема сегнетоэлектрика за время одного периода; w₀ – максимальная плотность энергии электрического поля в кристалле сегнетоэлектрика.

Так как объемная плотность энергии электрического поля

, (2.9)

то при увеличении напряженности поля на dЕ объемная плотность энергии соответственно изменяется на

.

Эта энергия затрачивается на переполяризацию единицы объема сегнетоэлектрика и идет на увеличение его внутренней энергии, т.е. на его нагрев. Очевидно, что за один полный период величина диэлектрических потерь в единице объема сегнетоэлектрика определяется формулой

, (2.10)

и численно равна площади петли гистерезиса в координатах D, Е. Максимальная плотность энергии электрического поля в кристалле составляет

, (2.11)

где Е₀ и D₀ – амплитуды напряженности и смещения электрического поля.

Подставляя (2.10) и (2.11) в формулу (2.8), получим следующее выражение для тангенса угла диэлектрических потерь в сегнетоэлектриках

, (2.12)

Сегнетоэлектрики используются для изготовления конденсаторов большой ёмкости, но малых размеров, применяются для создания различных нелинейных элементов. Во многих радиотехнических устройствах используются вариконды – сегнетоэлектрические конденсаторы с резко выраженными нелинейными свойствами: емкость таких конденсаторов сильно зависит от величины приложенного к ним напряжения. Вариконды характеризуются высокой механической прочностью, устойчивостью к вибрации, тряске, влаге. Недостатки варикондов – ограниченный диапазон рабочих частот и температур, высокие значения диэлектрических потерь.

Экспериментальная часть

Приборы и оборудование:модуль “Сегнетоэлектрики”, цифровой вольтметр, осциллограф, источник питания.

Схема и описание установки

Функциональная схема лабораторной установки представлена на рис.2.6, где: ФПЭ-02 – модуль “Сегнетоэлектрики”; PV – цифровой вольтметр; PO – осциллограф; ИП – источник питания.

Схема, изображенная на рис. 2.7, собрана в модуле ФПЭ-02. На передней панели модуля имеются:

1. ручка "рег U" потенциометраR₃;

2. гнезда "PV" – для подключения вольтметра;

3. гнезда "РО" для подключения осциллографа.

От источника питания на схему поступают напряжение сети ~220 В, 50 Гц.

Напряжение, снимаемое со второй цепи понижающего трансформатора Т (220/100), через потенциометр R₃подается на делитель напряжения, состоящий из сопротивленийR₁иR₂. Параллельно делителюR₁иR₂включены последовательно два конденсатора, образующие емкостной делитель: исследуемый керамический сегнетоэлектрический конденсатор С₁и эталонный конденсатор С₂. ВольтметрPVобеспечивает измерение величины напряжения, подаваемого на делителиR₁,R₂и С₁, С₂.R₁=4.7 кОм;R₂=20 кОм.

Осциллограф РО служит для наблюдения и изучения поляризации сегнетоэлектрического конденсатора С₁при подаче на него переменного гармонического напряжения.