- •Радиотехнические сигналы
- •1.1. Классификация сигналов
- •1.2. Гармонические сигналы и их представление
- •1.3. Спектральное представление сигналов
- •2.1. Общие понятия и элементы теории электрических цепей
- •Основные электрические величины
- •Идеальные элементы цепей
- •Пассивные двухполюсники
- •Активные двухполюсники
- •Законы Кирхгофа
- •2.2 Методы анализа электрических цепей
- •2.2.1. Основы метода комплексных амплитуд
- •2.2.2. Комплексное сопротивление и комплексная проводимость
- •2.2.3. Методы составления уравнений состояния цепей
- •2.2.4. Элементы теории четырехполюсников
- •2.3. Частотные характеристики линейных цепей
- •3. Основы полупроводниковой электроники
- •3.1. Электрофизические свойства полупроводников
- •3.2. Электронно-дырочный переход
- •3.3. Диоды
- •3.4. Транзисторы
- •3.4.1. Биполярные транзисторы
- •3.4.2. Полевые транзисторы
- •3.4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •3.4.2.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •3.4.2.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •3.4.3. Дифференциальные параметры и эквивалентные
- •4. Усиление электрических сигналов
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Основные положения линейной теории усиления сигналов
- •4.2.1. Анализ режима покоя. Схемотехника усилительных цепей.
- •4.2.2. Анализ режима усиления
- •4.3. Частотные характеристики усилителя на резисторах
- •4.4. Избирательные усилители
- •4.1.1. Резонансный усилительный каскад с общим эмиттером
- •4.1.2. Каскады со связанными контурами
- •4.5. Обратные связи в электронных усилителях
- •4.6. Повторители напряжения
- •4.7. Усилители постоянного тока
- •4.8. Операционные усилители
- •4.9. Оконечные каскады усилителей мощности
- •5. Генерирование электрических колебаний
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Автогенераторы гармонических колебаний
- •5.2.2. Трехточечные lc – автогенераторы
- •6. Автогенераторы релаксационных колебаний
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •6.3. Мультивибратор на операционном усилителе
- •7. Нелинейные и параметрические преобразования сигналов.
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Нелинейное резонансное усиление и умножение частоты
- •7.3. Модуляция сигналов
- •7.3.1. Амплитудная модуляция
- •7.3.2. Угловая модуляция
- •7.4. Детектирование сигналов
- •7.4.2. Детектирование сигналов с угловой модуляцией.
- •7.5. Преобразование частоты
- •7.6. Синхронное детектирование
- •7.7. Параметрическое усиление
- •8. Источники вторичного электропитания
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Выпрямители
- •8.2.1. Однополупериодный выпрямитель
- •8.2.2. Мостовой двухполупериодный выпрямитель.
- •8.3. Сглаживающие фильтры.
- •8.4. Стабилизаторы напряжения
- •9. Основы цифровой техники
- •9.1. Общие сведения о цифровой обработке сигналов
- •9.2. Цифровое представление информации. Цифровые коды
- •9.3. Основы алгебры логики
- •9.4. Логические элементы (лэ)
- •9.5. Представление логических переменных электрическими сигналами
- •9.6. Базовые логические элементы. Их классификация,
- •9.7. Классификация логических устройств
- •9.8. Комбинационные логические устройства (клу)
- •9.8.2. Логическое устройство неравнозначности (Исключающее или).
- •9.8.3. Логическое устройство равнозначности
- •9.8.4. Полусумматор одноразрядных двоичных чисел.
- •9.8.5. Сумматор одноразрядных двоичных чисел.
- •9.8.6. Сумматор одноразрядных десятичных чисел.
- •9.8.7. Преобразователи кодов
- •9.9. Последовательностные логические устройства (плу)
- •9.9.1. Триггеры
- •9.9.2. Счетчики.
- •9.9.3. Регистры.
- •9.10. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •9.11. Запоминающие устройства
- •9.12. Примеры цифровых систем
- •9.12.1. Электронные часы
- •9.12.2. Микропроцессорные системы
- •10. Линейные цепи с распределенными
- •10.1. Общие сведения о длинной линии
- •10.2. Телеграфные уравнения
- •10.3. Длинная линия. Гармонический волновой процесс
- •10.3.1. Общее решение телеграфных уравнений
- •10.3.2. Прямые и обратные волны
- •10.3.3. Отражение волн в длинной линии
- •10.3.4. Интерференция прямых и обратных волн
- •10.3.5. Пример построения интерференционной картины
- •10.3.6. Входное сопротивление длинной линии
- •10.4. Комплексный коэффициент передачи и передаточная функция системы с длинной линией
- •10.4.1. Постановка задачи
- •10.4.2. Способ, основанный на представлении рассматриваемой системы совокупностью функциональных узлов
- •10.4.3. Способ, основанный на использовании граничных условий
- •10.5. Примеры практического применения длинных линий
3.4.2. Полевые транзисторы
Наряду с биполярными транзисторами в современной радиоэлектронике широко применяются полевые транзисторы, которые имеют ряд преимуществ по сравнению с биполярными транзисторами. Полевые транзисторы представляют собой трехэлектродные электронные приборы. Центральную токопроводящую область полупроводника у полевых транзисторов называют каналом. Два электрода, встроенные на концах канала, называются истоком, стоком. Ток в канале создают носители заряда одного типа, которые движутся вдоль канала от истока к стоку вследствие дрейфа в электрическом поле. Величиной тока управляет поперечное к каналу электрическое поле, которое прикладывается к управляющему электроду, называемому затвором. По виду управления током различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. По типу проводимости канала различают полевые транзисторы с каналом n- или p-типа. Структуры полевых транзисторов весьма разнообразны и подробно рассматриваются в специальной литературе.
3.4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Это полупроводниковые приборы, в которых протекающий через транзистор ток основных носителей заряда управляется поперечным электрическим полем, изменяющим толщину запирающего слоя в окрестности p-n перехода.
Изображение структуры полевого транзистора с управляющим p-n переходом и условные обозначения этих транзисторов на схемах представлены на рис. 3.11а–б. Транзистор представляет собой токопроводящий канал, выполненный из полупроводника n- или p-типа (в данном случае – n-типа). Его торцы – исток и сток – снабжены контактами. Через них к транзистору подключается внешний источник напряжения UСИ, обеспечивающий движение основных носителей заряда по каналу от истока к стоку. На боковую поверхность канала нанесен затвор – слой полупроводника другого типа проводимости (в данном случае – p-типа). Между затвором и каналом располагается p-n переход. Затвор снабжен контактом, через который к нему подключается источник напряжения UЗИ.
Исток является инжекторным электродом. Здесь основные носители заряда начинают движение в канале. Сток служит коллекторным электродом. Здесь основные носители заряда заканчивают движение в канале. Затвор – электрод, управляющий величиной поперечного сечения канала.
Источник управляющего напряжения UЗИ, действующий между затвором и истоком, обеспечивает включение p-n перехода в обратном направлении. Увеличение обратного напряжения увеличивает толщину запирающего слоя, уменьшая тем самым сечение канала. Сопротивление канала увеличивается, и поэтому ток основных носителей заряда (в данном случае – электронов) в канале уменьшается.
Процессы, происходящие в транзисторе, представляются семейством выходных (или стоковых) характеристик, определяющим зависимость тока стока iС от напряжений на стоке UСИ и на затворе UЗИ. Графики этого семейства кривых iС = f(UСИ ), где UЗИ – параметр, представлены на рис. 3.11в.
Если напряжение UЗИ = 0, то при малых значениях UСИ ток iС изменяется примерно прямо пропорционально изменениям напряжения UСИ. При существенном увеличении UСИ запирающий слой p-n перехода со стороны стока расширяется, сужая стоковый участок канала. Рост тока iС сначала замедляется, а затем ток достигает значения насыщения, после чего остается примерно постоянным. При дальнейшем увеличении UСИ возникает электрический (лавинный) пробой.
При отрицательном напряжении UЗИ < 0 исходная проводимость канала уменьшается, поэтому начальный участок данной стоковой характеристики становится более пологим. Кроме этого, переход к режиму насыщения наступит при меньших значениях напряжения и тока стока.
Таким образом, при указанных полярностях внешних источников напряжения в цепях затвора и стока изменением напряжения на затворе транзистора с управляющим p-n переходом можно регулировать величину тока в стоковой цепи.
а) б)
в) г)
Рис. 3.11. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
а) структура транзистора с каналом n-типа
б) условное графическое обозначение на схемах;
в) выходная вольт-амперная характеристика;
г) проходная вольт-амперная характеристика