Библиографический список

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.; Советское paдио, 1980.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1973.

3. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.

4. Ситник Н.Х., Шурупов Г.Н. Силовые кремниевые вентильные блоки. М.: Энергия, 1972.

5. Полупроводниковые приборы: Справочник / Под ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение ………………………………………………………………………. 3 Развитие электроники ………………………………………………………... 3 Основные свойства электронных приборов ………………………………... 6 Глава 1. Физические основы проводимости полупроводников …………… 7 1.1. Общие сведения о полупроводниковых материалах ………………….. 7 1.1.1. Энергетические зонные диаграммы кристаллов …………………….. 8 1.1.2. Прохождение тока через металлы ………………………………… 10 1.2. Собственная проводимость полупроводников ……………………… 10 1.3. Примесная проводимость полупроводников …………………………. 13 1.3.1. Электронная проводимость.Полупроводник n-типа ……………….. 14 1.3.2. Дырочная проводимость. Полупроводник p-типа ………………… 17 1.4. Однородный и неоднородный полупроводник ………………………. 20 1.5. Неравновееная концентрация носителей ……………………………... 21 1.6. Прохождение тока через полупроводники …………………………… 22 1.7. Уточнение понятий "собственные" и "примесные" полупроводники 24 Глава 2. Количественные соотношения в физике полупроводников ……. 25 2.1. Распределение Ферми. Плотность квантовых состояний …………… 25 2.2. Функция распределения Ферми – Дирака …………………………..… 25 2.3. Плотность квантовых состояний ……………………………………… 26 2.4. Концентрация носителей в зонах ……………………………………… 26 2.5. Собственный полупроводник ………………………………………….. 28 2.6. Примесный полупроводник. Смещение уровня Ферми …………….. 30 Глава 3. Электронно-дырочный переход ………………………………….. 32 3.1. Образование и их свойства р-п перехода .………………………… 33 3.1.1. Виды р-п переходов …………………………………………….…….. 34 3.1.2. Потенциальный барьер ……………………………………………… 35 3.1.3. Токи р-п перехода в равновесии …………………………………..… 36 3.1.4. Электронно-дырочный переход при внешнем смещении ……….… 38 3.2. Вольт-амперная характеристика p-n перехода …………………...… 41 3.3. Влияние температуры на характеристику и свойства р-п-перехода ... 47 3.4. Емкость р-п перехода …………………………………………………... 48 Глава 4. Полупроводниковые диоды ………………………………………. 49 4.1. Диоды ……………………………………………………………………. 49 4.1.1. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода …………………...… 49 4.1.2. Параметры диода ……………………………………………………... 52 4.2. Разновидности диодов ……………………………………………….… 53 4.2.1. Выпрямительные и силовые диоды ……………………………….… 55 4.2.2. Тепловой расчет полупроводниковых приборов …………………... 57 4.2.3. Кремниевые стабилитроны (опорные диоды) ……………………… 58 4.2.4. Импульсные диоды ………………………………………………...… 60 4.2.5. Туннельные и обращенные диоды ………………………………… 62 4.2.6. Варикапы ……………………………………………………………… 65 4.4. Обозначение (маркировка) маломощных диодов ………………….… 71 Глава 5. Биполярный бездрейфовый транзистор ……………………….… 3 5.1. Устройство и принцип действия …………………………………….… 3 5.2. Основные соотношения для токов. Коэффициент передачи токов .… 8 5.2.1. Возможность усиления тока транзистором ………………………… 9 5.3. Три схемы включения транзистора …………………………………… 10 5.4. Статические характеристики транзистора ……………………………. 13 5.5. Предельные режимы (параметры) по постоянному току транзистора 18 5.6. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора ... 19 5.6.1. Зависимость внутренних параметров транзистора от

режима и от температуры …………………………………………………... 23 5.6.2. Четырехполюсные h-параметры транзистора и

эквивалентная схема с h-параметрами .………………………...………….. 25

5.6.2.1. Определение h-параметров по статическим характеристикам ..… 29 5.6.2.2. Связь между внутренними параметрами и h-параметрами ……… 30 5.7. Частотные свойства транзисторов. Дрейфовый транзистор ………… 32 5.7.1. Частотно-зависимые параметры …………………………………..… 32 5.7.2. Дрейфовый транзистор ……………………………………………... 35 Глава 6. Полевые (униполярные) транзисторы ………………………… 37 6.1. Унитрон ………………………………………...……………………… 38 6.2. МОП-транзистор …………………………………………………….… 41 6.2.1. МОП-транзистор со встроенным каналом ………………………… 41 6.2.2. МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа ………….… 43 6.3. Параметры и эквивалентная схема полевого транзистора ……….… 44

6.4. Обозначение (маркировка) и типы выпускаемых транзисторов ...… 47 Глава 7. Тиристоры ……………………………………………………...… 49 7.1. Устройство и принцип действия тиристоров ……………………….. 50 7.2. Закрытое и открытое состояние тиристора ………………………….. 52 7.2.1. Закрытое состояние тиристора (ключ отключен) ………………… 52 7.2.2. Открытое состояние тиристора (ключ включен) …………………. 53 7.3. Включение и выключение тиристора ………………………………... 54 7.4. Параметры тиристора …………………………………………………. 57 7.5. Типы и обозначения силовых тиристоров …………………………... 59