6.4. Обозначение (маркировка) и типы выпускаемых транзисторов

Как и для диодов, действующая система обозначения введе­на в 1964 г. В последующем в нее вносились уточнения и допол­нения. До 1964 г. действовала другая (старая) система обозна­чений.

Система обозначений до 1964 г. (старая). Первый элемент - буква П ‑ означает полупроводниковый триод. Если корпус тран­зистора сваривается методом холодной сварки, перед буквой П ставится еще буква М. Второй элемент - число, указывающее и электрические параметры:

а) низкочастотные ( f < 5 мГц):

1

маломощные ( Р < 0,25 Вт),

- 100 - германиевые

101 - 200 - кремниевые

2

P > 0,25 Вт

01 - 300 - германиевые

301 - 400 - кремниевые

б) высокочастотные (f > 5 мГц):

4

P < 0,25 Вт

01 - 500 - германиевые

501 - 600 - кремниевые

6

P > 0,25 Вт

01 - 700 - германиевые

701 - 800 - кремниевые

Третий элемент - буква, указывающая разновидность тран­зистора данного типа. Например, П-26 (МП - 36) - германиевый низкочастотный маломощный транзистор (электрические параметры - по справочнику).

В настоящее время в обращении находится много тран­зисторов этой системы обозначения.

Система обозначений после_1964 г. - (новая, более совершен­ная).

Первый элемент - буква или цифра, указывающая на исходный материал: Г или I - германий, К или 2 - кремний, А иди 3 - арсенид галлия, И или 4 – соединения индия.

Второй элемент - буква (указывает тип прибора) Т – биполярный транзис­тор, П – полевой транзистор.

Третий элемент – число из 3-х или 4-х цифр, указывающее назначение и электри­ческие свойства прибора. Обозначение из четырёх цифр приведено в скобках. Оно введено позднее:

а) транзисторы малой мощности (Р_доп< 0,3 Вт):

101 – 199 - низкочастотные ( f < 3 МГц),

(1001 – 1999)

201 – 299 - среднечастотные ( f = 3 ... 30 МГц),

(2001 – 2999)

301 – 399 - высокочастотные и сверхвысокочастотные ( f_α> 30 МГц);

(3001 – 3999)

б) транзисторы средней мощности (с 1973 г.) ( Р_доп = 0,3 ... 1,5 Вт):

401 – 499 - f < 3 МГц,

(4001 – 4999)

501 – 599 - f = 3 ... 30 МГц,

(5001 – 5999)

601 – 699 - f_α < 30 МГц;

(6001 – 6999)

в) транзисторы большой мощности (P_доп>1,5 Вт):

701 – 799 - f < 3 МГц,

(7001 – 7999)

801 – 899 - f = 3 … 30 МГц,

(8001 – 8999)

901 – 999 - f_α < 30 МГц.

(9001 –9999)

Четвертый элемент - буква, указывающая разновидность тран­зисторов данного типа. Например, ГТ 109В - германиевый маломощ­ный низкочастотный биполярный транзистор, 2Т 301Ж - кремниевый маломощный высокочастотный биполярный транзистор, 1Е403И – биполярный германиевый низкочастотный транзистор средней мощности. Электрические параметры находятся по справочнику KT3102A – маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор, КП105Б – маломощный низкочастотный полевой транзистор. В табл. 5.2 приведены электрические параметры некоторых биполярных транзисторов, в табл. 6.1 – полевых транзисторов.

Глава 7. Тиристоры

Тиристором называют полупроводниковый прибор, основу кото­рого составляют три взаимодействующих р-п перехода, образован­ных четырьмя чередующимися р- и п-областями в едином кристал­ле кремния. Тиристоры иногда называют четырехслойными структура­ми и управляемыми диодами. Далее будет использоваться лишь тер­мин "тиристоры".

Тиристоры очень широко применяются в силовой преобразова­тельной технике как переключающий элемент. Специалисты считают, что появление тиристоров произвело революцию в силовой полупро­водниковой технике. Особенно интенсивно с появлением тиристоров стали разрабатываться новые схемы и способы в автоматизированном электроприводе.

Тиристоры только с двумя главными выводами называют динисторами или диод-тиристорами.

Тиристоры с двумя главными и одним управляющим электродами называют тринисторами, или триод-тиристорами. Тринисторы являют­ся самой распространенной разновидностью тиристоров, в связи с этим на практике понятие "тиристоры” часто отождествляют только с ними. В настоящее время выпускаются высококачественные тиристоры на токи до 2000 А и напряжением до 2-3 кВ /2/.

Тиристоры принято делить на маломощные и силовые.

К маломощным относят тиристоры на ток до 10А и напряжение до 500В. Маломощные тиристоры обозначаются по новой системе (пос­ле 1964 г.). Динисторы имеют вторым элементом в обозначении букву "Н", например КН 102Ж, тиристоры - букву "У", например КУ202А.

К силовым относят тиристоры, рассчитанные на токи более 10 А. Силовые тиристоры имеют свою систему обозначения, которая будет приведена в конце этой главы.