8.1.2. Обозначения имс

Обычно микросхемы выпускаются сериями. Серия представляет собой совокупность ИС, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. Номер серии, состоящий из трех цифр, отражается в условном обозначении микросхемы.

В соответствии с принятой системой (ОСТ 11073.915-80) обозначение ИМС состоит из четырех элементов. Первый элемент обозначения – цифра, указывающая группу микросхемы по конструктивно-технологическому признаку (П.8.1.1). второй элемент – две или три цифры, указывающие номер разработки данной серии. Первый и второй элементы (трехзначное число) обозначают серию микросхемы (например, 155, 140 и т.д.) третий элемент две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы по таблице 8.1. Четвертый элемент – одна или две цифры, обозначающие условный номер разработки по функциональному признаку (таблица 8.1) в данной серии.

Для микросхем широкого применения, в т.ч. в бытовой аппаратуре, перед первым элементом обозначения добавляется буква "К". Пример обозначения и расшифровка элементов обозначения полупроводниковой микросхемы К155ТВ6 (универсальный триггер JK) приведены на рис. 8.1.

Кроме того, в некоторых сериях перед условным обозначением серии указываются различные буквы, указывающие на особенности конструктивного исполнения: Б - бескорпусные ИС, М – керамический или металлокерамический корпус, Р – пластмассовый корпус, Н – миниатюрный металлический или керамический корпус (микрокорпус), Ф – миниатюрный пластмассовый корпус (микрокорпус). Например, КР155ТВ6 – микросхема К155ТВ6 в пластмассовом корпусе.

8.2. Сведения по технологии получения имс

Различают две разновидности (класса) полупроводниковых приборов: биполярные и МДП (МОП) ИМС транзисторов. В технологии получения тех и других используются одинаковые методы и приемы. Поэтому далее будет кратко рассмотрен технологический цикл получения биполярных ИМС и транзисторов. Технология полупроводниковых ИС развилась на основе планарной технологии транзисторов, впитавшей в себя весь предшествующий опыт производства полупроводниковых приборов и достигший больших успехов.

8.2.1. Исходные материалы

Полупроводниковые ИС и транзисторы изготавливаются в основном из монокристаллов кремния. Монокристаллы кремния получают методом кристаллизации из расплава (методом Чохральского) или методом зонной плавки [1].

Монокристаллы (слитки) кремния. Монокристаллы кремния, называемые монокристаллическими слитками, для производства ИМС чаще всего получают методом Чохральского. Могут быть получены слитки весом несколько килограмм. Типовой диаметр слитка – 80 мм (может достигать 150 мм). Длина слитка может достигать 1,5 м и более. Но обычно она в несколько раз меньше. При выращивании слитка в расплав, из которого производится кристаллизация слитка, вносят примеси (донорную или акцепторную). Слиток получается с проводимостью типа n или типа p. Примесь равномерно распределена по объему слитка (слиток однороден).

Кремниевые пластины. Исходным материалом для получения ИМС и дискретных транзисторов являются тонкие пластины кремния, которые получают при разрезании слитков кремния. Слитки кремния перпендикулярно продольной оси разрезают на множество тонких пластин толщиной 0,40,5 мм. Эти пластины многократно шлифуют, полируют, промывают, чтобы получить пластины толщиной 200300 мкм

(такая толщина не достижима при резке) с очень чистыми ровными поверхностями. Неровность поверхностей готовых пластин не превышает сотых долей микрона. Параллельность поверхностей готовых пластин составляет единицы (и даже доли) микрон на 1 см длины [1].