
- •Введение
- •Развитие электроники
- •Особые свойства электронных приборов
- •Глава 1. Физические основы проводимости полупроводников
- •1.1. Общие сведения о полупроводниковых материалах
- •1.1.1. Энергетические зонные диаграммы кристаллов
- •1.1.2. Прохождение тока через металлы
- •1.2. Собственная проводимость полупроводников
- •1.3. Примесная проводимость полупроводников
- •1.3.1. Электронная проводимость. Полупроводник n-типа
- •1.3.2. Дырочная проводимость. Полупроводник p-типа
- •1.4. Однородный и неоднородный полупроводник
- •1.5. Неравновесная концентрация носителей
- •1.6. Прохождение тока через полупроводники
- •1.7. Уточнение понятий “собственные” и “примесные” полупроводники
- •Глава 2. Количественные соотношения в физике полупроводников
- •2.1. Распределение Ферми. Плотность квантовых состояний
- •2.2. Функция распределения Ферми – Дирака
- •2.3. Плотность квантовых состояний
- •2.4. Концентрация носителей в зонах
- •2.5. Собственный полупроводник
- •2.6. Примесный полупроводник. Смещение уровня Ферми
- •Глава 3. Электронно-дырочный переход
- •3.1. Образование и свойства р-п перехода
- •3.1.1. Виды p-n переходов
- •3.1.2. Потенциальный барьер
- •3.1.3. Токи р-n перехода в равновесии
- •3.1.4. Электронно-дырочный переход при внешнем смещении
- •3.2. Вольт-амперная характеристика р-п перехода
- •3.2.2 Влияние температуры на характеристику и свойства р-п перехода
- •3.2.3. Емкость р-п перехода
- •Глава 4. Полупроводниковые диоды
- •4.1 Диоды
- •4.1.1. Реальная вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •4.1.2. Параметры диода
- •4.2. Разновидности диодов. Точечные и плоскостные диоды
- •4.2.1. Выпрямительные и силовые диоды
- •4.2.2. Тепловой расчет полупроводниковых приборов
- •4.2.3. Кремниевые стабилитроны (опорные диоды)
- •4.2.4. Импульсные диоды
- •4.2.5. Туннельные и обращенные диоды. Туннельный эффект. Туннельные диоды (тд)
- •4.2.6. Варикапы
- •4.4. Обозначение (маркировка) несиловых диодов
- •Глава 5. Биполярный бездрейовый транзистор
- •5.1. Устройство и принцип действия
- •5.2. Основные соотношения для токов. Коэффициент передачи тока
- •5.2.1. Возможность усиления тока транзистором
- •5.3. Три схемы включения транзистора
- •5.4. Статические характеристики транзистора
- •5.5. Предельные режимы (параметры) по постоянному току транзистора
- •5.6. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора
- •5.6.1. Зависимость внутренних параметров транзистора от режима и от температуры
- •5.6.2. Четырехполюсниковые h-параметры транзистора и эквивалентная схема с h-параметрами
- •5.6.2.1. Определение h-параметров по статическим характеристикам
- •5.6.2.2. Связь между внутренними параметрами и h-параметрами
- •5.7. Частотные свойства транзисторов. Дрейфовый транзистор
- •5.7.1. Частотно-зависимые параметры
- •5.7.2. Дрейфовый транзистор
- •Глава 6. Полевые (униполярные) транзисторы
- •6.1. Унитрон
- •6.3. Параметры и эквивалентная схема полевого транзистора
- •6.4. Обозначение (маркировка) и типы выпускаемых транзисторов
- •Глава 7. Тиристоры
- •7.1. Устройство и принцип действия тиристоров
- •7.2. Закрытое и открытое состояние тиристора
- •7.2.1. Закрытое состояние тиристора (ключ отключен)
- •7.2.2. Открытое состояние (ключ включен)
- •7.3. Включение и выключение тиристора
- •7.4. Параметры тиристора
- •7.5. Типы и обозначения силовых тиристоров
- •Глава 8. Интегральные микросхемы.
- •8.1 Общие сведения о микросхемах.
- •8.1.1 Классификация микросхем.
- •8.1.2. Обозначения имс
- •8.2. Сведения по технологии получения имс
- •8.2.1. Исходные материалы
- •8.2.2. Групповой метод. Планарная технология
- •8.3. Планарно – эпитаксиальный цикл.
- •8.3.1. Эпитаксия.
- •8.3.2. Окисление поверхности кремния.
- •8.3.3. Первая (разделительная) диффузия.
- •8.3.4. Вторая (базовая) и третья (эмиттерная) диффузии.
- •8.3.5. Металлизация (межсоединения).
- •8.3.6. Фотолитография.
- •8.4. Особенности и перспективы развития интегральных схем.
- •8.4.1. Особенности имс.
- •8.4.2. Перспективы развития.
- •Библиографический список
- •Глава 8. Интегральные микросхемы ……………………………………… 61 Библиографический список ……………………………………………….. 78
7.4. Параметры тиристора
Параметры тиристоров определяются характеристиками. Их выбирают таким образом, чтобы полностью охарактеризовать оба состояния тиристора, а также включающие параметры управляющего электрода. При этом имеются различия в параметрах маломощных тиристоров, предназначенных для работы в качестве переключающих элементов, и силовых тиристоров, предназначенных для работы в цепях переменного тока (так же, как для диодов).
Параметры маломощных тиристоров определяются характерными точками статической характеристики (см. рис.7.2): Uпер, Iвкл, Iн, Iуд, Uост, Uобр, tвкл, tвыкл.
Сущность их была рассмотрена ранее. Для характеристики цепи управления используются Iувкл - включающий ток (минимальное значение тока Iу, включающего тиристор); Uувкл - включающее напряжение (напряжение на управляющем электроде при Iу=Iувкл). В табл. 7.1 приведены параметры некоторых маломощных тиристоров.
Таблица 7.1
Параметры маломощных тиристоров
Тип тиристора |
Iут мкА |
Uост В |
Iуд мА |
Uпер В |
Iн А |
Uпр |
Uобр |
Iувкл мА |
tвкл |
tвыкл | |||||
В |
мкс | ||||||||||||||
КН102Ж |
2,5 |
1,5 |
0,1 |
120 |
0,2 |
30 |
10 |
- |
- |
- | |||||
КУ202И |
5103 |
2 |
100 |
- |
10 |
200 |
200 |
300 |
50 |
150 |
Параметры силовых тиристоров определяются по классификационной вольт-амперной характеристике (рис.7.5), которая снимается так же, как для силовых диодов (см. главу 4). Параметры те же, что для силовых диодов (силовые тиристоры часто называют управляемыми диодами): Iан, Uн , ∆Uан , Рдоп , и ток удержания Iуд. UН при m = 0,6 по отношению к меньшему из напряжений Uпроб и Uпер.
Рис.7.5
По величине Uн тиристоры также делятся на классы, а по ∆Uан на группы. Для характеристики цепи управления используются те же параметры, что и для маломощных тиристоров.
Кроме того, для силовых тиристоров вводятся параметры, ограничивающие скорости нарастания тока и напряжения.
Допустимая скорость нарастания прямого тока dia/dt при включении тиристора вводится для исключения точечных пробоев кремниевой пластины вокруг управляющего электрода. При включении ток нарастает очень быстро, но не успевает распространиться по всей площади перехода, а концентрируется в начальный момент вокруг управляющего электрода, превышая допустимую плотность тока. Допустимая скорость нарастания прямого напряжения dUa / dt вводится для ограничения зарядного тока барьерной емкости коллекторного перехода.
Зарядный ток может вызвать ложное включение тиристора (при росте тока растет сумма (1+2)) .В таблице приведены параметры некоторых силовых тиристоров.
Тип тиристора |
IН A |
UН |
∆Ua |
tвкл |
tвыкл |
Rtпс |
Rtпк |
Примечание | ||||
В |
мкс
|
Град/Вт | ||||||||||
Т50 ВКПУ-50 |
50 |
50-1000 |
0,85 |
20 |
1гр-25 2гр-30 3гр-2000 |
1,1 |
0,8 |
Штыревой с возд. охл. | ||||
ТВ-20 ВКДУ-200 |
200 |
50-1000 |
0,85 |
20 |
То же |
0,31 |
0,2 |
То же | ||||
Т-320 |
330 |
80-1200 |
0,9 |
30 |
250 |
0,16 |
0,05 |
Таблеточный | ||||
Т-500 |
500 |
80-1200 |
0,9 |
30 |
250 |
0,09 |
0,025 |
То же
|