
- •Введение
- •Развитие электроники
- •Особые свойства электронных приборов
- •Глава 1. Физические основы проводимости полупроводников
- •1.1. Общие сведения о полупроводниковых материалах
- •1.1.1. Энергетические зонные диаграммы кристаллов
- •1.1.2. Прохождение тока через металлы
- •1.2. Собственная проводимость полупроводников
- •1.3. Примесная проводимость полупроводников
- •1.3.1. Электронная проводимость. Полупроводник n-типа
- •1.3.2. Дырочная проводимость. Полупроводник p-типа
- •1.4. Однородный и неоднородный полупроводник
- •1.5. Неравновесная концентрация носителей
- •1.6. Прохождение тока через полупроводники
- •1.7. Уточнение понятий “собственные” и “примесные” полупроводники
- •Глава 2. Количественные соотношения в физике полупроводников
- •2.1. Распределение Ферми. Плотность квантовых состояний
- •2.2. Функция распределения Ферми – Дирака
- •2.3. Плотность квантовых состояний
- •2.4. Концентрация носителей в зонах
- •2.5. Собственный полупроводник
- •2.6. Примесный полупроводник. Смещение уровня Ферми
- •Глава 3. Электронно-дырочный переход
- •3.1. Образование и свойства р-п перехода
- •3.1.1. Виды p-n переходов
- •3.1.2. Потенциальный барьер
- •3.1.3. Токи р-n перехода в равновесии
- •3.1.4. Электронно-дырочный переход при внешнем смещении
- •3.2. Вольт-амперная характеристика р-п перехода
- •3.2.2 Влияние температуры на характеристику и свойства р-п перехода
- •3.2.3. Емкость р-п перехода
- •Глава 4. Полупроводниковые диоды
- •4.1 Диоды
- •4.1.1. Реальная вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •4.1.2. Параметры диода
- •4.2. Разновидности диодов. Точечные и плоскостные диоды
- •4.2.1. Выпрямительные и силовые диоды
- •4.2.2. Тепловой расчет полупроводниковых приборов
- •4.2.3. Кремниевые стабилитроны (опорные диоды)
- •4.2.4. Импульсные диоды
- •4.2.5. Туннельные и обращенные диоды. Туннельный эффект. Туннельные диоды (тд)
- •4.2.6. Варикапы
- •4.4. Обозначение (маркировка) несиловых диодов
- •Глава 5. Биполярный бездрейовый транзистор
- •5.1. Устройство и принцип действия
- •5.2. Основные соотношения для токов. Коэффициент передачи тока
- •5.2.1. Возможность усиления тока транзистором
- •5.3. Три схемы включения транзистора
- •5.4. Статические характеристики транзистора
- •5.5. Предельные режимы (параметры) по постоянному току транзистора
- •5.6. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора
- •5.6.1. Зависимость внутренних параметров транзистора от режима и от температуры
- •5.6.2. Четырехполюсниковые h-параметры транзистора и эквивалентная схема с h-параметрами
- •5.6.2.1. Определение h-параметров по статическим характеристикам
- •5.6.2.2. Связь между внутренними параметрами и h-параметрами
- •5.7. Частотные свойства транзисторов. Дрейфовый транзистор
- •5.7.1. Частотно-зависимые параметры
- •5.7.2. Дрейфовый транзистор
- •Глава 6. Полевые (униполярные) транзисторы
- •6.1. Унитрон
- •6.3. Параметры и эквивалентная схема полевого транзистора
- •6.4. Обозначение (маркировка) и типы выпускаемых транзисторов
- •Глава 7. Тиристоры
- •7.1. Устройство и принцип действия тиристоров
- •7.2. Закрытое и открытое состояние тиристора
- •7.2.1. Закрытое состояние тиристора (ключ отключен)
- •7.2.2. Открытое состояние (ключ включен)
- •7.3. Включение и выключение тиристора
- •7.4. Параметры тиристора
- •7.5. Типы и обозначения силовых тиристоров
- •Глава 8. Интегральные микросхемы.
- •8.1 Общие сведения о микросхемах.
- •8.1.1 Классификация микросхем.
- •8.1.2. Обозначения имс
- •8.2. Сведения по технологии получения имс
- •8.2.1. Исходные материалы
- •8.2.2. Групповой метод. Планарная технология
- •8.3. Планарно – эпитаксиальный цикл.
- •8.3.1. Эпитаксия.
- •8.3.2. Окисление поверхности кремния.
- •8.3.3. Первая (разделительная) диффузия.
- •8.3.4. Вторая (базовая) и третья (эмиттерная) диффузии.
- •8.3.5. Металлизация (межсоединения).
- •8.3.6. Фотолитография.
- •8.4. Особенности и перспективы развития интегральных схем.
- •8.4.1. Особенности имс.
- •8.4.2. Перспективы развития.
- •Библиографический список
- •Глава 8. Интегральные микросхемы ……………………………………… 61 Библиографический список ……………………………………………….. 78
5.7.2. Дрейфовый транзистор
От рассмотренного в предыдущих разделах бездрейфового транзистора дрейфовый транзистор отличается только тем, что на протяжении всей его базы существует внутреннее электрическое поде - от эмиттера до коллектора (в базе бездрейфового транзистора поля нет). В базе дрейфового транзистора на инжектированные дырки (из эмиттера) действует одновременно и сила диффузии, и сила внутреннего электрического поля (движение носителей тока под действием поля называют дрейфом, отсюда и название транзистора - дрейфовый).
Поэтому время прохождения (пролета) базы инжектированными носителями в дрейфовом транзисторе значительно меньше, чем в бездрейфовом, а частотные свойства его лучше. В частности, граничная частота f, дрейфовых транзисторов на порядок и более превышает граничную частоту бездрейфовых транзисторов (табл. 5.2). Дрейфовые транзисторы образуют группу высокочастотных транзисторов.
Таблица 5.2.
Наименование параметров |
Величина параметров транзисторов | ||||||
КТ373А n-p-n планарный |
КТ315А n-p-n планарный |
2Т861А p-n-p планарный |
ГТ703А p-n-p сплавной |
КТ858А n-p-n сплавной |
КТ839А n-p-n планарный | ||
Режим измерения |
UК, В |
+25 |
+15 |
+80 |
-15 |
+200 |
+10 |
IЭ, мА |
1,0 |
1,0 |
1000 |
50 |
5 |
4∙103 | |
IК0 (+200C), мкА |
30 |
1 |
100 |
500 |
1000 |
103 | |
h21Э |
200 |
30…120 |
40…160 |
30…70 |
10 |
>5 | |
f (fβ), МГц |
300 |
200 |
10 |
0,01 |
0,01 |
7,5 | |
UКэдоп, В |
30 |
90 |
90 |
20 |
400 |
1500 | |
IКдоп, А |
0,05 |
2 |
2 |
3,5 |
7 |
10 | |
Рдоп, Вт |
0,1 |
1 |
1 |
- |
60 |
50 | |
CК, пФ |
8 |
70 |
70 |
- |
- |
240 |
Внутреннее электрическое поле в базе дрейфового транзистора обусловлено неравномерным распределением атомов примеси в базе в направлении от эмиттера к коллектору, например, для р-n-р транзистора концентрация доноров уменьшается от эмиттера к коллектору. Из теоретического анализа следует /2/, что при экспоненциальном уменьшении концентрации доноров (рис.5.16,а) напряженность внутреннего электрического поля по всей базе одинакова. Именно такое (экспоненциальное) распределение получают при диффузионной технологии получения р-п переходов (диффузионная технология рассмотрена далее). На рис.5.16,б показана широко распространенная конструкция дрейфового транзистора. Базовый слой п получают диффузией доноров из газовой среды (в вакууме, при высокой температуре) в глубь исходной пластины p-типа. Концентрация доноров максимальна на поверхности n-слоя и убывает в глубь пластины. Коллекторный переход образуется внутри пластины в плоскости изменения типа проводимости. Эмиттерный переход получают сплавлением.
а б
Рис. 5.16
На
рис.5.17 показано распределение потенциала
в транзисторе в направлении от эмиттера
к коллектору в равновесии (без внешнего
смещения). Наличие постоянного
электрического поля в базе обусловливает
изменение потенциала вдоль базы по
линейному закону. При подключении
внешних напряжений (смещений) изменяются
практически только потенциальные
барьеры вp-n
переходах на величину внешних
напряжений, как это было показано,
например, на рис.5.13.