Курнаев Введение в пучковую електронику 2008
.pdf
|
|
M2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
ε = 32,5E0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
(1.75) |
||||
|
M1 + M |
|
|
|
|
|
|
|
|
1/ 2 |
|||||||||||
|
|
2 Z1Z2 (Z12 / 3 + Z22 / 3 ) |
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
M1M2 |
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|||||
ρ = 2,75 10−16 R n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
(1.76) |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
0 |
(M1 + M2 )2 |
|
(Z12 / 3 + Z22 / 3 ) |
|
||||||||||||||
где E0 − энергия; кэВ, |
R – |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
пробег, см; n0 – плотность ато- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
мов среды, см–3; M1, M2 и Z1, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Z2 – массы и атомные номера |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
налетающей частицы и атома |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
мишени |
соответственно. |
В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
этом представлении кривая для |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
упругого |
торможения |
|
|
Sn |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
(рис. 1.109) является универ- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
сальной для различных комби- |
|
|
Рис. 1.109. Упругие Sn и неупругие |
||||||||||||||||||
наций ион-мишень, а коэффи- |
|
|
Se (ke = 0,15) потери энергии в без- |
||||||||||||||||||
циент пропорциональности |
в |
|
|
размерных значениях энергии ε и |
|||||||||||||||||
формуле для неупругого тор- |
|
|
пробега ρ, в соответствии с (1.75), |
||||||||||||||||||
можения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(1.76) и (1.77) |
|
|
|
|
|
|
|||||
–dε/dρ = ke ε1/2 |
(1.77) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
может быть вычислен по формуле: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
1/ 2 |
1/ 2 |
|
|
|
|
(M1 + M2 ) |
3 / 2 3 / 2 |
|
||||||||||
|
|
Z1 |
Z2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ke = |
0,0793ξe |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
(1.78) |
||||
|
2 / 3 |
|
|
2 / 3 |
) |
3/ 4 |
M |
3 / 2 |
1/ 2 |
|
|||||||||||
|
(Z1 |
+ Z2 |
|
|
|
|
1 |
M2 |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сечение упругого торможения часто аппроксимируется формулой:
Sn (ε) = 3,4 ε6 / 5 |
ln (ε+ 2,7) |
|
. |
(1.79) |
|
1+ 6,35 ε1/ 2 + ε (6,9 ε1/ 2 |
−1,7) |
||||
|
|
|
131
Высокоэнергетичные ионы. Формула Бете – Блоха
При высоких скоростях v1 >> vB Z223 (т.е. скоростях, превы-
шающих скорости и валентных, и внутренних электронов атомов) быстрый ион возбуждает электроны как в парных соударениях (ионизация внутренних оболочек), так и в коллективных процессах (возбуждение плазмонов). Средняя энергия возбуждения E ≥ RyZ2 определяется внутренними свойствами электронной
подсистемы кристалла и не зависит от энергии первичного иона, так что тормозная способность для парных соударений в первом приближении определяется произведением E на число рассеивающих атомов и на сечение рассеяния, причем последнее пропорционально квадрату заряда ядра иона и обратно пропорционально квадрату скорости. Вывод дает формулу Бете – Блоха (аналогичную формуле для электрон-электронных рассеяний):
−dE dx = (4πZ12 v12 )nln (2v12 I ), |
(1.80) |
где n = n2Z2 – плотность электронов.
Как и в указанном случае, она учитывает как парные соударения, так и возбуждение плазмонов, причем парциальные вклады их в (1.79) одинаковы (принцип равнораспределения).
Релятивистские ионы
Для случая очень быстрых ионов с β = v1 c ≤1 формула Бете – Блоха принимает вид (формула Фано)
−dEdx = (4πZ1 v12 )n{ln (2v12 I )+ ln 1 (1−β2 ) −β2} (1.81)*
(из-за существенно большей массы покоя ионы гораздо сложнее ускорить до релятивистских скоростей, чем электроны).
Взаимодействие с соединениями
Как и для электронов, тормозная способность ионов при взаимодействии с веществом, состоящим из атомов различных элементов, равна сумме тормозных способностей каждой из подрешеток:
132
−dEdx = ∑Ci (−dEdx)i ,
i
суммирование ведут по элементам i, где Ci – его парциальная доля.
Общая картина взаимодействия ионов с твердыми телами
При движении в твердом теле ион отдает энергию ядрам решетки и электронам (внутренним и валентным) и возбуждает плазмоны – коллективные колебания электронов. Потери энергии на электромагнитное излучение, как правило, малы. Возбуждаются также фононы, образуются экситоны.
Тормозная способность включает электронную и ядерную составляющие (рис. 1.110).
Электронная тормозная способность при малых скоростях ионов
v << v |
B |
Z 2 3 связана с возбуждени- |
|
|
|
|
|
|
|
||
1 |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
||
ем внешних электронов и пропор- |
ε |
1/2 |
= 0,5 v1= vBZ2 |
2/3 |
log ε |
||||||
циональна v1 , при больших – с |
|
|
|||||||||
Рис. 1.110. Зависимость сред- |
|||||||||||
внутренними электронами и обрат- |
ней |
тормозной |
способности |
||||||||
но пропорциональна v2 , т.е. прохо- |
иона от энергии: |
1 – |
область |
||||||||
|
|
|
1 |
преобладания ядерных потерь |
|||||||
дит через максимум при скорости |
|||||||||||
энергии; 2 – область преобла- |
|||||||||||
иона, близкой к скорости внутрен- |
дания |
электронных |
потерь |
||||||||
них |
электронов в атомах vBZ22 3. |
энергии, |
формулы (1.72) |
– |
|||||||
Для легких ионов этот максимум |
(1.74); |
3 – формула |
Бете |
– |
|||||||
Блоха (1.80); 4 – область тор- |
|||||||||||
соответствует энергии 104–105 эВ, |
можения релятивистских час- |
||||||||||
для тяжелых – 106–105 эВ. Ядерная |
тиц на фононах |
|
|
|
|||||||
тормозная способность также про- |
|
|
|
|
|
|
|
ходит через максимум, который в соответствии с формулой Линдхарда – Шарффа – Шиотта достигается при энергии иона
E1 ≈10(Z123 + Z223 )Z1Z2 (M1 + M2 )M2
(Е1 – в электрон-вольтах), что для легких ионов соответствует
102...103 эВ, для тяжелых – 104...105 эВ. Нарастание тормозной способности в области малых энергий идет относительно медленно
133
(примерно логарифмически, см. рис. 1.110). В результате при малых энергиях основным является рассеяние на ионах решетки, а при больших – на электронном газе. В монокристаллах при движении ионов параллельно кристаллографическим направлениям из-за эффекта каналирования часть ионов проникает на расстояния, существенно превышающие расстояния для других неканалированных ионов или для аморфных веществ: для каналирования ионов менее вероятны столкновения с ядрами атомов решетки и электронами.
При столкновениях с ионами решетки возможны рассеяния на большие углы и передача энергии большими порциями, а торможение на электронах происходит с малыми отклонениями от прямолинейной траектории и почти непрерывными потерями энергии. В результате быстрые ионы обычно между редкими рассеяниями на ионах решетки имеют почти прямолинейную траекторию и тормозятся на электронах, а выбитые по пути относительно медленные ионы образуют зоны радиационных повреждений. Распределение концентрации смещенных атомов по глубине близко к распределению имплантированных ионов (рис. 1.111).
Рис. 1.111. Распределение по глубине внедренных ионов (штриховые линии) и смещенных атомов (сплошные) при M1/M2 = 1/4 (а) и M1/M2 = 4 (б)
Число атомов, смещенных первично смещенным атомом,
Nd = 0,42 Eaa E* ,
где E* – пороговая энергия смещения атома при сильном ударе, E* ≈10 30 эВ; Eaa – энергия первично смещенного атома, расходуемая в упругих взаимодействиях,
Eaa = (A′ke )ln[1+ Ea′ (A′ke + B′)],
134
A′ = 0,45, B′ = 0,3;εa = Ea E0 , E0 = Z1Z2e2 (M1M 2 +1)aTF ;
здесь Ea – энергия первично смещенного атома; aTF – радиус Томаса – Ферми; Ce – коэффициент пропорциональности между безразмерной электронной тормозной способностью (−∂ε∂ρ)e и без-
размерной скоростью атома (ε)12 (формула (1.77)).
В случае большой дозы облучения (более 1016–1017 см–2) каскады атом-атомных столкновений могут перекрываться, в результате объемная плотность дефектов достигает насыщения, происходит аморфизация.
Релаксация зоны радиационного повреждения
После прекращения поступательного движения ионов по решетке происходит частичная релаксация из неравновесного состояния. Структура решетки частично восстанавливается в ходе рекомбинации дефектов в значительной степени вследствие диффузии, стимулированной энергией колебаний, возбужденных при торможении иона данного или соседних каскадов. Отвод основной доли энергии из области, прилежащей к каскаду, описывается в рамках теории теплопроводности, однако некоторая ее доля переносится и в виде ударной волны. Взаимное влияние температурных полей соседних каскадов при больших мощностях энерговклада может приводить к снижению градиентов температуры и более или менее равномерному оплавлению и кипению тела.
Глубина проникновения ионов
Среднюю длину пробега ионов определяют приближенно (при замене дискретных соударений на непрерывное торможение) по формуле
E1
R(E1) = ∫ {1[(−∂E∂x)e +(−∂E∂x)n ]}dE ,
0
где индексами е, n отмечены тормозные способности ионов на электронах и ядрах решетки. Для вычисления R можно и не проводить интегрирования, а воспользоваться аппроксимациями;
135
так, в случае пренебрежимо малых электронных потерь при
ε = E1 E0 << 0,02
ρ = 2A(ε1)3 B, A = 0,1412, B = 0,4206 ;
при 0,1 < ε < 5
ρ = 3,06ε .
Для диапазона энергий 0,02 < ε <10 с учетом (−∂E∂x)e и
(−∂E∂x)n
ρ = (2ke )(ε)12 −0,9 ke2 (0,45ke + 0,3)12 × ×arctg (ε)12 ke2 (0,45ke + 0,3)12 .
Поскольку траектории отличны от прямолинейных, R (E1 ) не
совпадает в общем случае с расстоянием от поверхности имплан-
тированных быстрых ионов – средним проективным пробегом Rp .
В широком диапазоне значений энергии ε = 2 10−3 −10 расчеты торможения с хаотически расположенными центрами и потенциалом экранирования по Томасу – Ферми приводят к следующим приближенным формулам для Rp , домноженных на плотность:
R′p = c1M2 |
(Z12 3 + Z22 3 )E1 (Z1Z2 ) |
2 3 |
ρ, |
при 0,002 < E1′ < 0,1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R′p = c2M 2 (Z12 3 + Z22 3 )E1 |
(Z1Z2ρ) |
при 0,5 < E1′ <10 ; |
|||
коэффициенты с1 и с2 зависят от M 2 |
M1 |
(рис. 1.112); E1′ – в кэВ, |
R′p – в мкг/см2.
Рис. 1.112. Зависимости c1 (а) и c2 (б) от M2/M1
136
Средний квадратичный разброс пробегов |
|
Rp при пренебреже- |
||||
нии электронным торможением можно вычислить по формуле |
||||||
Rp2 = R2γ(n −1) [n(2n −1)], |
|
|
||||
где R – траекторный пробег; γ = 4M M |
2 |
(M |
1 |
+ M |
2 |
)2 ; n – показа- |
1 |
|
|
|
тель степенной аппроксимации потенциала.
Зависимость для протонов представлена на рис. 1.113 (для других легких ионов получаются кривые, близкие к ней).
Рис. 1.113. Зависимость Rp/R от энергии для протонов
Распределение примесей по глубине часто близко к гауссову, которое описывается формулой
N (x)= N0 ( |
2πΔRp ) exp −(x − Rp )2 |
(2 Rp2 ) |
, |
|
|
|
|
где N0 – интегральная доза имплантированных ионов на 1 см2;
Rp – среднее квадратичное отклонение проективных пробегов.
Вслучае распространения пучка ионов по монокристаллу в направлении какой-либо оси вследствие каналирования распределение ионов по глубине имеет два максимума: соответствующий описанному выше случаю (аморфные и поликристаллические мишени) слой у поверхности и глубинный слой каналированных
ионов (рис. 1.114); |
глубина |
последнего |
слоя в области роста |
|||||||||||
( ∂E ∂x ) пропорциональна скорости иона: |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
E1 |
dE |
|
|
|
E1 |
|
|
|
|
1 |
|
|
|
R'/ R = − |
∫ |
|
|
= |
∫ |
[1/ (k |
|
E1/2 )] |
= 2E1/2 / k |
|
. |
|||
(∂E / ∂x) |
|
|
e |
|
e |
|||||||||
0 |
e |
|
|
|
|
N |
|
|||||||
|
0 |
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
137 |
|
|
|
|
|
|
|
Поскольку ke не увеличивается с
ростом Z1, при одной и той же энергии пробеги тяжелых ионов больше (так как меньше скорость и меньше тормозная способность).
Для расчета проективного пробега и профиля внедрения ионов широко используются хорошо апробированные компьютерные коды, основанные на моделировании методом статистических испытаний (методом Монте-Карло) парных соударений налетающей частицы с атомами среды, рассматриваемой как конденсированный газ: TRIM, SRIM,
SCATTER. При этом учитываются не обсуждавшиеся ранее эффекты немонотонной зависимости сечений торможения от атомного номера соударяющихся частиц (в основном, эти сечения больше для атомов с большими размерами электронных оболочек). В целом пробеги ионов значительно меньше пробегов электронов, т.е. ионный пучок воздействует на узкий приповерхностный слой (0,01–10 мкм), тогда как электронный пучок при той же энергии может проникать и на значительно большую глубину (до сантиметра и более).
1.5.3. Термоядерные и ядерные реакции в твердом теле
При бомбардировке пучками высокоэнергетичных ионов легких элементов в твердом теле могут происходить реакции термоядерного синтеза (рис. 1.115), в большинстве из которых наряду с заряженными частицами образуются и нейтроны. Последние могут приводить и к ядерным реакциям.
При ядерных и термоядерных реакциях образуются гаммакванты, быстрые нейтроны и заряженные частицы – высокоэнергетичные электроны, позитроны и ионы. Наибольшие сечения взаимодействия с веществом имеют именно заряженные частицы, которые и производят наибольшие радиационные повреждения решетки в окрестности точки реакции. Для гамма-квантов вещест-
138
во, как правило, прозрачно, и их воздействием на тело, в котором происходят ядерные реакции, часто пренебрегают. Они, однако, влияют на радиационную обстановку в окрестности реактора.
Рис. 1.115. Сечения некоторых
термоядерных реакций:
1 – D + D = 3He + n + 3,3 МэВ,
D + D = T + p + 4,0 МэВ;
2 – T + D = 4He + n + 17,6 МэВ; 3 – 3He + D = p + 4He + 18,4 МэВ;
4 – 3He + D = 5Li + γ– ;
5 – 3He + T = 4He + p + n– ;
6 – 6Li + D = 7Li + p + 5,0 МэВ.
Выделяющаяся в реакции энергия распределяется обратно пропорционально массе образующихся частиц
Взаимодействие нейтронных потоков с веществом сводится, во-первых, к инициации ядерных реакций (при этом нейтроны поглощаются), вовторых, к упругим и неупругим рассеяниям на ядрах решетки (при этом происходит замедление нейтронов). Закономерности ядерных реакций относятся к ядерной физике и здесь подробно не рассматриваются. Сечения ядерных процессов, как правило, невелики по сравнению с сечениями газокинетических и других, затрагивающих электронные оболочки атомов; об этом свидетельствует, например, значение традиционной для ядерной физики единицы измерения сечений: 1 барн (б) = 10–28 м2.
Сечения взаимодействия нейтронов с ядрами зависят от их энергии и от элементного состава мишени (рис. 1.116).
При неупругом рассеянии нейтронов происходят захват нейтрона и затем распад составного ядра с испусканием нейтрона с меньшей энергией. После эмиссии нейтрона ядро приобретает кинетическую энергию, а также оказывается в возбужденном состоянии, переход из которого в основное состояние сопровождается испусканием гамма-кванта.
При упругом рассеянии также часть энергии нейтрона передается ядру решетки (причем энергетические соотношения такие же, как и при рассеянии иона с массой 1 а.е.м.); основное воздействие на тело также связано с образованием быстрого иона материала решетки и его дальнейшей релаксацией.
При других ядерных реакциях после распада составного ядра получаются продукты реакции, отличающиеся от исходных частиц. Далее приведены некоторые характерные значения параметров реакций. Сечения поглощения тепловых нейтронов: Н – 6,33 б, С – 3,8 10 б, N – 1,88 б.
139
На один поглощенный тепловой нейтрон для Н испускается один фотон с =ω≤ 4,95 МэВ, для Bе – широкий спектр ( =ω< 1 МэВ – 0,65 фотона; 1...
2 МэВ – 0,6; 2...3 – 0,27; 3...5 – 0,23; 5...7 – 0,25; 7...9 – 0,38; 9...10, 16 – 0,021).
Рис. 1.116. Полные сечения рассеяния и поглощения нейтронов для различных элементов
Сечение реакции на тепловых (300 К) нейтронах 14Н + n = 14С + р + + 0,626 МэВ равно 1,75 б; 17O + n = 14С + α + 1,72 МэВ – 0,5 б; сечение реакции на нейтронах спектра деления 54Bе + n = 54Мn + р – 2,93 МэВ равно 0,011 б (альфа-частица – ядро гелия). Сечение упругого рассеяния тепло-
вых нейтронов на Н – 38 б, С – 4,8 б, N – 10 б. Время замедления нейтро-
нов от 2 МэВ до 0,025 эВ: в Ве – 6,7 10–3 с, в С (графит) – 1,5 10–5 с.
Характерные сечения ядерных реакций показаны на рис. 1.17. 140