- •Оглавление
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ХИМИИ
- •2. СТРОЕНИЕ АТОМА И ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ Д. И. МЕНДЕЛЕЕВА
- •2.1. Модели строения атома
- •2.2. Двойственная природа электрона
- •2.3. Атомное ядро. Изотопы, изобары
- •2.4. Квантовые числа. Принцип Паули
- •2.5. Правило Гунда
- •2.7. Периодический закон Д. И. Менделеева
- •3.1. Параметры химической связи
- •3.2. Ковалентная связь
- •3.3. Ионная связь
- •3.4. Водородная связь
- •3.5. Металлическая связь
- •4. КОМПЛЕКСНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
- •4.1. Строение комплексных соединений
- •4.3. Изомерия комплексных соединений
- •4.4. Диссоциация комплексных соединений. Константа нестойкости комплексного иона
- •5. ЭНЕРГЕТИКА ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
- •5.1. Внутренняя энергия и энтальпия
- •5.2. Энтропия
- •5.3. Энергия Гиббса
- •6. ХИМИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА И РАВНОВЕСИЕ
- •6.2. Понятие о катализе и катализаторах
- •6.3. Колебательные реакции
- •6.4. Химическое равновесие и его смещение
- •6.5. Фазовые равновесия
- •7. РАСТВОРЫ
- •7.1. Способы выражения концентрации растворов
- •7.2. Растворы неэлектролитов
- •7.3. Растворы электролитов
- •7.3.5. Закон разбавления Оствальда
- •7.4. Гидролиз солей
- •7.5. Жесткость воды и методы ее устранения
- •8. ДИСПЕРСНЫЕ СИСТЕМЫ
- •8.1. Классификация дисперсных систем
- •8.2. Получение дисперсных систем
- •8.3. Строение мицелл
- •8.4. Устойчивость дисперсных систем
- •9. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
- •9.1. Окислительно-восстановительные реакции
- •9.2. Измерение электродных потенциалов металлов
- •9.3. Гальванические элементы
- •9.4. Электролиз
- •10. КОРРОЗИЯ МЕТАЛЛОВ
- •10.1. Виды коррозии
- •10.1.1. Химическая коррозия
- •10.1.2. Электрохимическая коррозия
- •10.2. Защита металлов от коррозии
- •11. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МЕТАЛЛОВ
- •11.1. Классификация металлов
- •11.2. Физические свойства металлов
- •11.3. Химические свойства металлов
- •11.4. Способы получения металлов из руд
- •12. ПОЛИМЕРЫ И ОЛИГОМЕРЫ
- •12.1. Основные понятия
- •12.2. Классификация и номенклатура полимеров
- •12.3. Применение полимеров и олигомеров
- •13. ХИМИЧЕСКАЯ ИДЕНТИФИКАЦИЯ
- •13.1. Порядок выполнения анализа вещества
- •13.2. Качественный анализ
- •13.3. Физико-химические методы анализа
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
- •СЛОВАРЬ ОСНОВНЫХ ТЕРМИНОВ
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
8. ДИСПЕРСНЫЕ СИСТЕМЫ
8.2. Получение дисперсных систем
коллоидный, а не истинный раствор или осадок, необходимо соблюдение следующих условий:
вещество дисперсной фазы должно быть нерастворимо в дисперсионной среде;
скорость образования зародышей кристаллов дисперсной фазы должна быть гораздо больше, чем скорость роста кристаллов (это условие выполняется обычно тогда, когда концентрированный раствор одного компонента вливается в сильно разбавленный раствор другого компонента при интенсивном перемешивании);
одно из исходных веществ берется в избытке, именно оно является стабилизатором.
Коллоидные системы можно получить в результате реакций почти всех типов: окисления, восстановления, обмена, гидролиза, разложения и др. О процессе коллоидообразования можно судить по окраске, электропроводности и другим физико-химическим свойствам растворов.
8.2.3. Методпептизации
При методе пептизации измельченный материал (сажа, графит, глина) или осадок вещества промывают небольшим количеством раствора пептизатора, в результате образуется высокодисперсная система. В отличие от других методов получения золей при пептизации не происходит изменение степени дисперсности частиц, а наблюдается только их разрыхление.
При пептизации из осадка удаляются коагулирующие ионы или пептизатор адсорбируется коллоидными частицами осадка, что ведет к образованию двойных электрических слоев (ДЭС) или сольватных оболочек вокруг коллоидных частиц и преобладанию, благодаря им, сил сцепления между частицами. Затем частицы равномерно распределяются во всем объеме жидкости. Таким образом, пептизация является процессом, обратным коагуляции.
Различают следующие виды пептизации: пептизация промыванием осадка, пептизация осадка электролитом, пептизация поверхностноактивными веществами, химическая пептизация.
Пептизировать осадок можно далеко не всегда, этому препятствуют явления рекристаллизации и старения, приводящие к сращиванию частиц друг с другом. Трудно осуществить пептизацию осадка, полученного коагуляцией золя поливалентными ионами, очень прочно удерживающимися на поверхности адсорбировавших их частиц.
8.3. Строение мицелл
Строение мицелл в золях рассмотрим на примере строения мицеллы золя иодида серебра AgJ в разбавленном растворе иодида калия KJ. Внутри мицеллы находится кристалл из молекул AgJ. Эту часть мицеллы, согласно
Химия. Учеб. пособие |
-116- |
8.ДИСПЕРСНЫЕ СИСТЕМЫ
8.3.Строение мицелл
терминологии, предложенной Н. Р. Песковым, называют агрегатом. На поверхности кристалла находятся достраивающие его ионы J–, которые придают электрический заряд. Эти ионы являются потенциалопределяющими. Агрегат вместе с потенциалопределяющими ионами называется ядром мицеллы.
В непосредственной близости от ядра в адсорбционном слое находится часть противоионов К+, прочно связанных электростатическими и адсорбционными силами, и в электрическом поле они совместно с ядром движутся к аноду (+). Эти противоионы К+ вместе с эквивалентным числом потенциалопределяющих ионов J– формально можно рассматривать как недиссоциированные молекулы.
Ядро вместе с частью прочно связанных с ним противоионов называют коллоидной частицей, которая в отличие от электронейтральной мицеллы всегда имеет заряд (в данном случае отрицательный).
Остальные противоионы, находящиеся ближе к периферической части мицеллы, образуют диффузный слой, они относительно свободны и в электрическом поле движутся к катоду (–). Граница между диффузным слоем и коллоидной частицей называется плоскостью или границей скольжения.
Строение мицеллы можно представить в виде формулы
{m[AgJ] nJ– (n – x)K+} xK+ – мицелла;
m[AgJ] – агрегат; m[AgJ] nJ– – ядро;
{m[AgJ] nJ– (n–x)K+} – коллоидная частица.
В этой формуле m[AgJ] соответствует числу молекул AgJ, содержащихся в агрегате мицеллы; nJ– – число потенциалопределяющих ионов (как правило, m >> n); (n – x)K+ – число противоионов, находящихся в диффузном слое; хК+ – то же, в адсорбционном слое; х – общее число противоионов.
Таким же способом можно записать и мицеллу золя с положительно заряженной частицей, например, мицеллу золя AgJ в слабом растворе
AgNO3:
{m[AgJ] nAg+ (n – x)NО3−} xNO 3− .
Строение мицеллы золя BaSO4 можно представить следующей схемой:
{m[BaSO4] nSO 24− 2(n – x)Na+}x– 2xNa+.
агрегат |
адсорбционный слой |
|
диффузный |
||
|
ядро |
|
|
|
слой |
|
|
||||
коллоидная |
|
частица |
|
|
|
|
|
|
|||
|
мицелла |
|
|
||
|
|
|
Выше рассмотрена мицелла, у которой ионогенная часть образуется в результате адсорбции стабилизирующего электролита. Иногда ионогенная
Химия. Учеб. пособие |
-117- |