Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Расчет индукционных датчиков. Монография

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
2.2. Индукционный датчик над торцом полубесконечного цилиндра 61

J
H

генераторному приемном датчике. ЭДС самоиндукции на том же са­мом кольце равна:
2
ri B Э
.
kz
(2.35)
В формуле (2.35) использован второй способ вычисления ЭДС, упомя­нутый в разделе 1.5. Вносимое индуктивное сопротивление соглас­но (2.35) имеет вид
b
22 2 2
3(2)
22
Lir Jr Jr
  
вн 10
æ() ()
k

00
rz r z r
55
z
RR
0
z

()
r e drdzd

k
1

. (2.36)
Формула (2.36) описывает индуктивное сопротивление, вносимое в приподнятый на
z
над торцом полубесконечного цилиндра индукци-
0
онный датчик.
Аналогичные формулы можно найти для катушки индуктивности. Для этого достаточно вместо первичного поля кольца применить пер­вичное поле катушки индуктивности:
Irn
0
k
HeeJrJrd
0

rk
2
Irn
0
k
0

zk
2

(1 ) ( ) ( ) ,
0
 
eeeJrJrd
(1 ) ( ) ( ) .
0
z

h
hz
11
z

01
(2.37)
В первом случае магнитная индукция в полубесконечном цилиндре, подмагниченном полем катушки индуктивности, будет иметь вид
b

вт
BIr Jr Jr
zk
nrzz rzzr

æ()()
010

00
z
0
(1 ) ( ) .

222
3( ) (2( ) )

225/2 225/2
 
(()) (())
rzz rzz
zz
 
hz
 
e e J r e drdzd
1
k
(2.38)
 
62 Глава 2. ТЕОРИЯ НАКЛАДНЫХ ДАТЧИКОВ
J

J
J
Чтобы вычислить ЭДС в катушке индуктивности, необходимо (2.35) преобразовать к виду
h
2
rni Bdz
Э
kz
0
(2.39)
.
Затем в (2.39) необходимо подставить формулу (2.38). В результате получим
hb
Lirn

вн
232
k
æ

00 0
  
z
0
2
3( )
rzz
225/2
(())
rzz

()
1
r
22

(2( ) )
rzz r

225/2

(())
rzz
Jr
()
0
 
(1 ) ( ) .
e e J r e drdzd dz
 
zz
 
hz
1
k
(2.40)
Таким образом, формулы (2.36) и (2.40) описывают вносимое индук­тивное сопротивление кольца и катушки индуктивности, расположен­ные над торцом полубесконечного цилиндра. Для вычисления ЭДС индукции в приемном датчике, соосном с генераторным, достаточно вычислить ЭДС по (2.35) или (2.39), но при этом необходимо учиты­вать только площадь приемного датчика:
b
222
3(2)
вт 22
irrI Jr Jr
Э
   
æ() ()
и 01 0
k

00
rz r z r
55
RR
z
0
z

()
r e drdzd

k
1

. (2.41)
Вторичная ЭДС в приемной катушке будет иметь вид
hb
вт 22
Э
irrnnI

22

(2( ) )
rzz r

225/2

(())
rzz
и 10
k
()
Jr
0
1
æ

00 0
z
0
(1 ) ( ) .
 
hz
 
e e J r e drdzd dz
22
3( )
rzz
225/2
(())
rzz
zz
 

1
k
()
r
1
(2.42)
Здесь тушки;
h
высота генераторной катушки;
r
– радиус приемного датчика;
и
h
высота приемной ка-
1
n
количество витков при-
1
2.2. Индукционный датчик над торцом полубесконечного цилиндра 63
j
j
A

емного датчика; n – количество витков генераторного датчика. Все полученные здесь интегралы можно вычислить на компьютере.
Рассмотрим другой случай. Здесь датчик поля расположен над тор­цом полубесконечного проводящего и немагнитного цилиндра. Часто­та тока в датчике и проводимость вещества цилиндра таковы, что скин-эффектом в среде можно пренебречь. Это соответствует малому
параметру
0
r  
k
Поэтому в импедансе, как уже было выявлено
2
1.
в главе 1, сохраняется только одна компонента – вносимое активное сопротивление. Поле в этом случае можно вычислить исходя из закона Био–Савара:
R
j
H
ddV
. (2.43)
3
4
R
Вертикальная компонента магнитного поля в цилиндрических коорди­натах, центр которых расположен в центре основания индукционного датчика, согласно (2.43) будет иметь вид
jr
dH rdrd dz
z
3
4
R
.
 (2.44)
Плотность тока
в среде цилиндра можно найти, используя первич-
ное поле датчика и закон Ома в дифференциальной форме:
Ei Arz


0
(, ).
(2.45)
Вектор-потенциал катушки индуктивности в воздухе имеет вид
1
rzIr e e JrJrd
(, ) (1 ) ( ) ( ) .
n
kk
011
2
0
z

h


(2.46)
Следовательно, вертикальная компонента магнитного поля в зависи­мости от элемента среды будет выглядеть следующим образом:
dH i I r e e J r J r d
   
zk k
00 1 1
nr
2
4( )
2
223/2
rz

1
z

0
(1 ) ( ) ( )
(2.47)
.drd dz

h
 
64 Глава 2. ТЕОРИЯ НАКЛАДНЫХ ДАТЧИКОВ
R
Вторичное магнитное поле от всего полубесконечного цилиндра равно интегралу по его объему:
b

вт
HiIr e JrJr
 
zk k
00 1 1
nr e
 
4
00
z
0
2
223/2
rz
()

(1 )
z
h

()( )
  
drdzd
. (2.48)
Вторичная ЭДС самоиндукции на той же самой катушке находится по формуле (2.39):
h
вт 22 3
  
Э
вт 2
inr Hdz 
Э
Ir
00
k
h

(1 )( )( ) .
e J r J r drdzd dz

kz
0
0
hb
22()
nre
  
4
00 0
11

z
0
k
(2.48)
,
zz
 
223/2
(())
rzz
(2.50)
Разделив (2.50) на амплитуду тока, получим формулу для расчета вно­симого активного сопротивления, вызванного присутствием в поле индукционной катушки полубесконечного проводящего цилиндра:
hb
Rr
22 3
 
вн 0
(1 )( )( ) .

nre
k
 
4
z
00 0
0
h

e J r J r drdzd dz
11
223/2
(())
rzz

k
22()
zz
 
(2.51)
Если поле возбуждается одновитковым кольцом того же радиуса, то вносимое сопротивление (2.51) следует рассчитывать по формуле:
b
2
z
22 3
   
вн 011
1
r J r J r drdzd
kk

4
z
00
0

re
223/2
()
rz
()( ) .
(2.52)
Полученные здесь формулы будут использованы в дальнейшем для оценки влияния конечных размеров образцов.
2.3. Индукционный датчик над слабомагнитным полупространством 65

J
J
J
J
2.3. ИНДУКЦИОННЫЙ ДАТЧИК
НАД СЛАБОМАГНИТНЫМ ПОЛУПРОСТРАНСТВОМ
Изученные в предыдущем разделе задачи позволяют получить формулы, необходимые в дальнейшем для расчета сигнала, вносимого слабомагнитным полупространством в индукционный датчик. Метод, с помощью которого получены формулы, пригоден только в заданных ограничениях, тем не менее результаты решения названных задач с успехом применяются для получения «верхних» оценок влияния ко­нечных размеров. Эти результаты
можно также использовать и для расчета «фокусирующих» поле датчиков. В последнем случае необхо­димо преобразовать полученные в предыдущих разделах формулы, подразумевая, что датчик (одновитковое кольцо) расположен не над полубесконечным цилиндром, а над полупространством. Тогда основ­ная формула для расчета магнитной индукции (2.34) преобразуется к виду

вт
BIr Jr Jr
  
zk
æ()()
010

00
z
0
222
3(2)
rz r z r

225/2 225/2
() ()
rz rz

z

() .
r e drdzd

k
1
(2.53)
 
Интегралы в (2.53) можно вычислить. Для этого разобьем все выраже­ния на следующие интегралы:


00
z
0


00
z
0


00
z
0
2

3
rz

()


 
()


 
()


225/2
rz
2
zr
2
225/2
rz
3
r
225/2
rz
r J r e drdzd
()( ) ,
11
()( ) ,
01
()( ) .
01

r J r e drdzd

r J r e drdzd


z
k

z
k

z
k
(2.54)
66 Глава 2. ТЕОРИЯ НАКЛАДНЫХ ДАТЧИКОВ
Интегралы (2.54) повторные, поэтому их можно вычислить один за другим. Рассмотрим интеграл
2
re
225/2
rz
()
0
Jr
() .

1
z
(2.55)
3
z
Интеграл (2.55) табличный, поэтому его вычислить нетрудно. Инте­грал
2
z

0
e
22

edz

z
0
также легко вычисляется. Интегрирование по переменной
z
(2.56)
2
приводит
к окончательному результату:
1
2
2
z

0
eJrd

0
() .
1
k
r
k
22
2

zr
4
00
(2.57)
3/2
Следовательно, первый интеграл в (2.54) равен


00
z
0
2

3
rz

()
rz


225/2
()( )
J r J r e drdzd
11
22
2

4
zr
0

r
k
3/2

z
k
(2.58)
.
Во втором интеграле (2.54) также можно выполнить повторное инте­грирование. Интеграл по переменной
0
Интеграл по координате

22
zz e

zz
00
rze
Jrdr
225/2 3
rz z
() 3
0
z преобразуется к виду
(1 ) 1 1

3
z
2
z

edze dz
3
r равен
z
(1 )
2

z
0


() .

63
(2.59)
z

z
.
(2.60)
2.3. Индукционный датчик над слабомагнитным полупространством 67
J
Интегрирование по переменной  приводит к выражению


11
2
z


2()


63
0

 
22
3

4
zr
0
0
edzJrd
r
k

3/2
k
2
3
z
0

e

0
z
2
z
1
z
2

e
z
0
k
z
() .
rdzd
1
k
(2.61)
В последнем, повторном, интеграле необходимо изменить порядок ин­тегрирования. Это возможно, так как интегралы сходятся равномерно. Проинтегрируем сначала по переменной


21 2

z
33
zz
00

2
 
0

z

eJrddz dz
() .
1
k
:
r
k
22
z

zr
4
k
3/2
(2.62)
Результат, следовательно, будет выглядеть так:

 


00
z

0

3
В третьем интеграле (2.54) интегрирование по координате
2
2
zr
225/2
()
rz
rr
kk
22 22
 
44

zr zr
0
kk
()( )
J r J r e drdzd
01

2
3/2 3/ 2
3
z
z
0
z

k
(2.63)
.
dz
r дает
3
()
rJ r
0
225/2
rz
()
0
dr

zz

2
ee
33
.
z
(2.64)
Последующее интегрирование приводит к выражениям:

()
Jre dzd

1

z
0
k
2

2
z

33
z

68 Глава 2. ТЕОРИЯ НАКЛАДНЫХ ДАТЧИКОВ
вт

BIr
zk
æ
0
2

3
z
0
   
rr r
kk k
22 22 22
23
 

44 4
zr zr zr
0
 

 

22 22
6
zr zr
 
44
0
rr
kk
22 22
z
 
zr zr

44
3/2 3/2 3/ 2
kk k
rr
kk
3/2 3/2

kk
Ir

0
k
dz
3/2 3/ 2
kk
6
0
2

3
z
0
2
3
z
z
0
2
r
æ.
3
k
22

4
zr
0
k
(2.66)
3/2
(2.65)
,
dz
z
dz
Таким образом, ЭДС самоиндукции в одновитковом кольце можно вы­разить формулой
2
вт 23
Э
irI

æ.
0
k
3
r
k
22

4
zr
0
k
(2.67)
3/2
Вносимое индуктивное сопротивление можно выразить следующим образом:
2
Lir

вн
23
æ.
k
3
r
k
22

4
zr
0
k
(2.68)
3/2
Индуктивное сопротивление, вносимое слабомагнитным полупро­странством, рассчитанное вторым способом, записывается в элемен­тарных функциях. Это обстоятельство позволит в дальнейшем приме­нить формулу (2.66) для расчета фокусирующих датчиков. Наряду с этим можно получить точное решение этой же задачи, используя ре­зультаты раздела 2.1 настоящей главы. Формула (2.25) описывает им­педанс кольца над
проводящим, магнитным и поляризующимся полу-
2.3. Индукционный датчик над слабомагнитным полупространством 69
x
пространством. Будем считать полупространство непроводящим и неполяризующимся, тогда функция
преобразуется к виду
1
xx rirx
222 2

1
kk
22 2
rr
    
0, 0
kk
Будем считать кольцо бесконечно тонким. Тогда параметр
. (2.69)
0
. Ко-
эффициент отражения для слабомагнитного полупространства можно преобразовать следующим образом:
xx
 
01 0
xx

 
01 0
xx
1
ææ
2(1 0,5æ) 2
(2.70)
.
Учтя все сказанное, получим точную формулу, описывающую вноси­мое индуктивное сопротивление кольца над слабомагнитным полупро­странством:
2
x
Lire Jxdx

вн 1

æ().
k
0
2
2
(2.71)
Интеграл в (2.71) не выражается через элементарные функции, хотя и табличный:
Lir K

вн
2,

1
æ

k

2
E


22
 
2
12

22
1
1

2
1
 

1


1
 
1
2
(2.72)
2 2
где

2
1

K
 
1

z
0
.
r
k

и
2 2
1

E
 
1

полные эллиптические интегралы и
2
2
Таким образом, здесь получены формулы, описывающие одну и ту же физическую ситуацию, но двумя различными способами. Численное сравнение результатов при
0z
показывает, что и первый, и второй
способ расчета вносимого индуктивного сопротивления приемлемы.
70 Глава 2. ТЕОРИЯ НАКЛАДНЫХ ДАТЧИКОВ
R
J
2.4. ИНДУКЦИОННЫЙ ДАТЧИК
НАД ПРОВОДЯЩИМ ПОЛУПРОСТРАНСТВОМ
2
1
r
(ОБЛАСТЬ МАЛОГО ПАРАМЕТРА
 
k
)
В одном из предыдущих разделов была рассмотрена задача о поле датчика, расположенного над полубесконечным цилиндром. Основным введенным ограничением было отсутствие в среде скин-эффекта. В этих же ограничениях можно получить формулы для решения задачи о поле датчика, расположенного над проводящим полупространством. Для этого достаточно в первом повторном интеграле (2.52) проинте­грировать от
нуля до бесконечности, а во втором начать интегрирова-
ние от нуля:

22 3
   
вн 011
1
r J r J r drdzd
kk

4
000
2
z

re
223/2
rz
()
()( ) .
(2.73)
Повторные интегралы (2.73) можно вычислить. Рассмотрим повторный интеграл по переменной
rz
223/2
rz
()
0
:
r
21/21/2
() ().
rdr K z
11/2

2Г(3 / 2)
(2.74)
Бесселева функция от полуцелого индекса выражается через элемен­тарные функции:
z
Гамма-функция равна
() .
Kz e

1/ 2
Г(3 / 2)
. Тогда

2
z
(2.75)
2
2
Интеграл по переменной
r
223/2
rz
()
0
Jrdre
1
z также вычисляется:
2
z

edz
0
() .

1
2
z
(2.76)
(2.77)
.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]