
книги из ГПНТБ / Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия
.pdf40 |
Глава 1 |
дельного разрешения, |
составляющего 8—10 нм. Вместе |
с тем А. Крю в течение 60-х годов продолжает заниматься разработкой нового типа растрового микроскопа, осно ванного на использоваиирт плектронов, проходящих через исследуемый объект, в полной уверенности, что с помощью такого микроскопа может бт>тть достигнуто значительно лучшее разрешение. Возможность исследования толстых объектов расценивается как преимущество растрового электронного микроскопа по сравнению с просвечивающим электронным микроскопом обычттого типа. Можно считать, что это преимущество компенсирует более низкое разреше ние растрового микроскопа. Имеются гг другие преимуще ства, обусловленные формированием изображения после довательно, от точки к точке (гл. 4), из-за которых Крю решил пожертвовать возможностью исследования толстых объектов. В результате усилий Крю и его сотрудников был создан растровый микроскоп, в котором тонкий обра зец сканируется очень узким электронным зондом. Элек троны, прошедшие через объект и собранные коллектором, служат для формирования изображения, разрешение кото рого достигает разрешения первоклассных просвечиваю щих электронных микроскопов (нескольких ангстрем). Более того, изображение может быть «видоизменено» соответствующим образом с целью обнаружения интерес ных особенностей исследуемого объекта. Например, можно использовать тот факт, что электроны при прохождении через объект теряют часть энергии, и получить изображе ние объекта, сформированное только теми электронами, которые потеряли определенное количество энергии.
На фиг. 1.12 и 1.13 приведены фотографии двух разных растровых электронных микроскопов.
1.4.3.РЕНТГЕНОВСКИЙ МИКРОАНАЛИЗАТОР
А. Гвинье высказал Р. Кастену идею анализа рентге новского излучения, испускаемого объектом, который сканируется тонким электронным зондом, с целью уста новления химической природы объекта по длине волны излучения. В Государственном управлении по изучению
иисследованиям в области аэронавтики (вблизи Парижа) Кастеном впервые был построен такой прибор. Первые


]1редели применимости светового микроскопа |
43 |
результаты работы с прибором были изложены на Между народной конференции по электронной микроскопии, состоявшейся в 1949 г. в Дольфте. Подробные данные об устройстве и параметрах прибора содержатся в доктор ской диссертации Кастена, опубликованной в 1951 г.
Результаты Кастена стимулировали исследования в об ласти рентгеновского микроанализа в Англии (Кем бридж), СССР и США. В Кембридже II. Данкамб ввел
вконструкцию мнкроанализатора сканирующую систему:
вприборе Кастена перемещался образец и анализировалась область, расположенная под неподвижным зондом, а ска нирующая система, введенная Данкамбом, позволяла ана
лизировать различные области неподвижного объекта. В более поздних моделях были дополнительно введены средства для формирования изображения исследуемого объекта вторичными электронами. В 1964 г. Ле Поль опи сал новый тип магнитной линзы, которая стала известна под названием «мннилинза». Она оказалась особенно удоб ной для формирования зонда мнкроанализатора, и прибор с такой линзой был позднее построен Л. Фонтеном в Тех ническом университете в Дельфте.
В заключение отметим, что в приборах новейших типов сочетаются свойства просвечивающих электронных микроскопов (ЕМ) и рентгеновских микроанализаторов (МА). Первый прибор этого типа, известный под маркой EMMA, был построен Данкамбом, и затем эта идея была осуществлена во многих лабораториях. На фиг. 1.14 и 1.15 показаны фотографии некоторых микроаиализаторов.
ЛИТЕРАТУРА, РЕКОМЕНДУЕМАЯ ДЛЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО ЧТЕНИЯ
Подробные сведения по электронной оптике и электрон
ной микроскопии |
можно |
найти |
в книгах |
Гриве [40] |
|
и Клемперера и |
Барнетта |
[53]. |
Растровый |
электронный |
|
.микроскоп детально описан в |
статье Отли, |
Никсона |
|||
и Пиза [71], растровый прибор просвечивающего |
типа — |
в статье Крю [19]. Микроанализаторы рассмотрены Кастеном [14] и Данкамбом [26]. История развития электрон ных микроскопов описана несколькими авторами, в част ности Мартоном [64], Мальвеем [68, 69] и Габором [34].
ГЛАВА 2
ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛИНЗЫ
2.1. УРАВНЕНИЯ ТРАЕКТОРИИ
На заряженную частицу, попадающую в пространство, содержащее магнитное и электростатическое поля (или одно из этих полей), действуют определенные отклоняю щие силы, а в случае электростатического поля еще и сила, под действием которой изменяется скорость частицы. Ниже эти силы будут подсчитаны с помощью известных уравнений движения. Как мы увидим далее, в электронной микроскопии релятивистскими эффектами пренебрегать нельзя. Однако, поскольку влияние этих эффектов может быть рассчитано путем довольно простых преобразований результатов, получаемых из уравнений движения Ньюто на, в дальнейшем изложении будут использованы только эти уравнения.
Пусть электрон с зарядом —е (так что е — положи
тельная величина, равная 1,6 • 10-19 К) движется со ско ростью v в пространстве с электростатическим полем Е и магнитным полем В. Электростатическое поле действует на электрон с силой Fg, параллельной вектору напряжен ности Е, но обратной ему по направлению, т. е. Fg = = —еЕ. Магнитное поле действует на электрон с силой
Fb , перпендикулярной как вектору индукции поля В, так и вектору скорости электрона v, т. е. FB = —ev X В (знак X обозначает векторное произведение). Таким обра зом, из выражения для Fb следует, что сила действия магнитного поля па электрон перпендикулярна векторам v и В и по величине равна evB sin 0, где v и В — модули век
торов v и В, а 0 — угол между ними. Следовательно, сум марная сила F, действующая па электрон, будет опреде ляться выражением
F = FJ5+ F b = _ е (E + v X В).
Если масса электрона равна т и его положение в простран
стве определяется вектором г, то уравнение движения
Электронные линзы |
45 |
электрона в пространстве с электрическим и магнитным полями будет иметь вид
тг = — е (E-{-v X В). |
( 2. 1) |
Это уравнение является общим. Теперь рассмотрим случаи действия магнитного и электростатического полей на
электрон раздельно, ограни- |
|
z |
|
|||||||||
чиваясь полями с осью круго |
|
|
|
|||||||||
вой симметрии. |
Далее пред |
|
|
|
||||||||
положим, что электроны дви |
|
|
|
|||||||||
жутся вблизи этой оси сим |
|
|
|
|||||||||
метрии, за которую в даль |
|
|
|
|||||||||
нейшем |
изложении |
будет |
|
|
|
|||||||
всегда приниматься ось z. При |
|
|
|
|||||||||
рассмотрении полей с круго |
|
|
|
|||||||||
вой |
|
симметрией |
наиболее |
|
|
|
||||||
целесообразным |
оказывается |
|
|
|
||||||||
использование |
|
цилиндриче |
|
|
|
|||||||
ской полярной системы коор |
|
|
|
|||||||||
динат (фиг. 2.1, |
а), в которой |
|
|
|
||||||||
положение |
точки Р |
опреде |
|
|
|
|||||||
ляется ее положением |
в пло |
|
|
|
||||||||
скости, проходящей через эту |
|
|
|
|||||||||
точку |
и |
перпендикулярной |
|
|
|
|||||||
оси z, и точкой, в которой |
|
|
|
|||||||||
эта |
|
плоскость |
пересекает |
|
|
|
||||||
ось z. |
Положение в плоскости |
|
|
|
||||||||
определяется |
расстоянием г |
|
|
|
||||||||
от точки Р до оси z и угло |
|
|
|
|||||||||
вым расстоянием между этой |
|
|
|
|||||||||
точкой и плоскостью |
0 = 0 . |
Ф и г. 2.1. Цилиндрическая по |
||||||||||
Указанное |
радиальное рас |
|||||||||||
лярная система координат (а ). |
||||||||||||
стояние |
г |
следует |
отличать |
Вектор положения г соединяет |
||||||||
от вектора г, |
соединяющего |
начало |
координат с |
точкой |
||||||||
начало |
координат |
О |
с точ |
|
Р(б). |
|
||||||
кой Р. Если координатами |
системе |
координат |
будут |
|||||||||
точки |
Р |
в |
прямоугольной |
|||||||||
(хр, |
у Р, |
zP), |
то |
осевыми компонентами вектора г будут |
||||||||
хР, |
Ур >%р (фиг. |
2.1, б). Таким образом, можно написать, |
||||||||||
что |
г = |
хР + |
уР + |
zР. |
|
|
|
46 |
Глава 2 |
Нам потребуется вектор или трехмерный эквивалент простого одномерного соотношения между электрическим полем Е и электростатическим потенциалом ф:
1-,_____ d<p
L" ~ |
dx ' |
В трехмерном пространстве вектор напряженности элек трического поля в прямоугольных координатах опреде ляется тремя его компонентами (Ех, Е у, E z), электро
статический потенциал является функцией трех перемен ных: ф (х , у, z). Теперь можно написать следующие соот
ношения:
г |
__ |
дф |
дф |
дф |
^ |
х ~~ |
дх ' |
Е „ = ~ ~ду |
Ех= - dz |
В полярных координатах компонентами вектора Е являют
ся |
Е т в |
радиальном |
направлении, E z в |
направлении z |
и |
Eg в |
направлении, |
перпендикулярном |
г, лежащему |
в плоскости, перпендикулярной оси z (фиг. 2.1, а). Анало
гично электростатический потенциал в этом случае являет
ся функцией г, |
0 и z и компоненты вектора Е будут опре |
|||||
деляться как |
|
|
|
|
|
|
Ег= — |
дф |
Е „ |
L |
L |
Ez= |
дф |
~дг~ |
г Ов ’ |
dz |
||||
В системах с круговой симметрией |
функция ф (г, 0, z) |
|||||
не зависит от 0, так что дф/дО = |
0; |
в этом случае вектор |
напряженности электрического поля Е полностью опре деляется компонентами Е т и Е г.
2.1.1. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
Для случая электростатического поля уравнение (2.1) принимает вид
тог= —еЕ. |
(2-2) |
В цилиндрических полярных координатах это векторное уравнение можно представить следующими двумя уравне ниями :
m r= — еЕт, |
(2.3а) |
mz— — eEz. |
(2.36) |
Электронные линзы |
47 |
Поскольку здесь рассматриваются только поля с круговой симметрией, необходимость введения угловой координаты
отпадает.
Для удобства дальнейшего рассмотрения вектор Е, характеризующий распределение ^электрического поля, целесообразно заменить скалярной величиной — электро статическим потенциалом ф (г, z):
Е , = |
дф |
ЕТ= - |
дф |
|
dz |
|
~дг ' |
В уравнение (2.3) в качестве переменной входит вре мя t, но в электронной оптике время, затрачиваемое элек
тронами на прохождение через электроннооптическую систему, представляет незначительный интерес. В данном случае важно определить траектории движения электро нов, и с этой точки зрения очень удобно и целесообразно исключить переменную t и ввести вместо нее координа ту 2 . Это достигается довольно просто благодаря принятому
нами предположению о прохождении всех электронов вблизи оси z. Из уравнения (2.36) имеем
• • |
dz |
dz |
dz |
" dz |
1 |
d |
mz — m - rr = m - r --J- = m z - 1- = -^ -m -i -(z~) = |
||||||
|
dt |
dz |
dt |
dz |
2 |
dz ' ' |
дф
- eET—- e ~dz *
Если обозначить потенциал на оси в точке с координатой z через Ф (z):
cD (z)= ф ( г = 0 , z),
то можно показать, что ф (г, z) разлагается в следующий
ряд по степеням г:
г / |
\ ,TW \ |
Г2 |
I г4 |
* ( Г , 2 ) = Ф ( 2 ) — £ - - ^ + - ^ - - 3 ^ - . . . • |
Следовательно, для малых значений г мы имеем |
|
||
1 |
d |
del) |
|
■ 2 |
|
dz |
|
так что |
dz |
/ 2еф \ 1/2 |
|
|
(2.4) |
||
|
|
|
dt \ m )
48 Глава 2
(z = 0 при Ф= |
0). |
Учитывая, |
|
что |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
d r __ dr |
dz _ |
j |
2сф \ 1/2 |
dr |
|
|
|
||||
получаем |
|
|
dt |
|
dz |
dt ~ |
\ |
m ) |
dz |
’ |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
d2r __ |
d |
/ |
dr |
\ |
dz __ Г / |
2еф |
\ 1/2 |
dr '] |
/ 2еФ \ 1/2 |
|||||
dt2 |
dz |
\ dt |
) |
dt |
dz |
[ l |
m |
) |
~dl J \ |
m |
J |
|||
___ |
2 е ф 1/2 |
d |
/ ф 1 /2 |
d r _ \ __ |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
m |
|
dz |
\ |
dz |
) |
|
|
|
|
|
|
|
_ |
2 е ф 1/2 |
/ ф ! / 2 |
d2r . |
|
1 rf(I) |
c/r |
\ |
|
|
|||||
|
|
m |
|
\ |
|
dz2~1~ 2 ф ^ 2 |
dz |
dz / |
|
|
||||
ИЛИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
"г'^ТГ = |
2еФ1/2 ( ф 1/2 |
dz2 |
|
Ф ' |
dr |
\ |
(2.5) |
|||||||
|
|
dt2 |
|
|
|
V |
|
|
2ф 1 /2 |
dz |
) |
’ |
где штрих обозначает дифференцирование по z.
Теперь воспользуемся теоремой Гаусса для приведе
ния правой части уравнения (2.3а) |
к виду, удобному для |
|
-Ez (z+fo) |
Ег (г ) |
■*-z |
Ф и г. 2.2. Иллюстрация применения теоремы Гаусса для случая малого цилиндра с целью установления связи между радиальной и осевой составляющими электрического ноля.
дальнейших расчетов. Рассмотрим малый цилиндр радиу сом г и длиной бz с продольной осью, совпадающей с осью z (фиг. 2.2). Суммарный электрический поток через
стенки цилиндра должен быть равен нулю, поскольку внутри цилиндра нет заряда. Поток через торцы цилиндра равен яг2 [Ez (z + 6z) — E z (z)], а поток через его боковую поверхность 2nr6zEr. Разлагая в ряд Тейлора, получаем
E z (z + 6z) = Е г (z) + |
6z dE jdz (пренебрегая членами |
более высокого порядка). Таким образом, имеем |
|
яг2 |
бz -(- 2nrbzET= О |
Электронные литы |
49 |
и, следовательно,
Ь Е г
dz
( 2.6)
Пользуясь приближением dEJdz — —Ф" (z) и уравне
нием (2.6), из уравнений (2.3а) и (2.5) получаем
_ |
е Е т = — I - е г Ф " (z) = 2еФ 1/2 ( Ф 1/2 - g - |
Ф' |
dr |
\ |
|
Ф1/2 |
dz |
) ‘ |
|||
|
2 |
Это выражение можно привести к более простому виду
d?r |
, Ф' dr |
Ф" |
г= 0. |
(2.7а) |
|
dz2 |
2Ф dz |
4Ф |
|||
|
|
Полученное уравнение чрезвычайно важно. Это так называемое уравнение параксиальной траектории описы вает пути движения электронов в электростатическом поле, которое характеризуется распределением потенциа ла Ф (z). Можно показать (эти расчеты здесь приводиться не будут), что если известно распределение потенциала
Ф(z) вдоль оси, то может быть определено распределе ние потенциала в любой области внутри линзы. Таким образом, все свойства линзы определяются этой функцией
Ф(z), и поэтому первоочередной задачей любого теорети ческого исследования электростатических линз является определение функции распределения потенциала вдоль
оси линзы. Ниже будет показано, как это осуществить, а сначала мы выведем соответствующее уравнение для гораздо более важного случая магнитных полей.
При очень высоком ускоряющем напряжении приме нение электростатических полей для фокусировки электро нов сильно затрудняется. В таких случаях электростати ческие поля используются только в электронных пушках для формирования ускоренных пучков электронов. При работе с очень высоким ускоряющим напряжением необ ходимо учитывать также релятивистские поправки к урав нению (2.7а). Обозначим константу е/2т0с2 через е
е = —— |
10-6 В"1, |
|
/т0с* |
|
’ |
где т 0 — масса неподвижного |
электрона, с — скорость |
|
света. Выражение Ф(1 -f- |
еФ) |
встречается настолько |