Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия

.pdf
Скачиваний:
69
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
32.62 Mб
Скачать

40

Глава 1

дельного разрешения,

составляющего 8—10 нм. Вместе

с тем А. Крю в течение 60-х годов продолжает заниматься разработкой нового типа растрового микроскопа, осно­ ванного на использоваиирт плектронов, проходящих через исследуемый объект, в полной уверенности, что с помощью такого микроскопа может бт>тть достигнуто значительно лучшее разрешение. Возможность исследования толстых объектов расценивается как преимущество растрового электронного микроскопа по сравнению с просвечивающим электронным микроскопом обычттого типа. Можно считать, что это преимущество компенсирует более низкое разреше­ ние растрового микроскопа. Имеются гг другие преимуще­ ства, обусловленные формированием изображения после­ довательно, от точки к точке (гл. 4), из-за которых Крю решил пожертвовать возможностью исследования толстых объектов. В результате усилий Крю и его сотрудников был создан растровый микроскоп, в котором тонкий обра­ зец сканируется очень узким электронным зондом. Элек­ троны, прошедшие через объект и собранные коллектором, служат для формирования изображения, разрешение кото­ рого достигает разрешения первоклассных просвечиваю­ щих электронных микроскопов (нескольких ангстрем). Более того, изображение может быть «видоизменено» соответствующим образом с целью обнаружения интерес­ ных особенностей исследуемого объекта. Например, можно использовать тот факт, что электроны при прохождении через объект теряют часть энергии, и получить изображе­ ние объекта, сформированное только теми электронами, которые потеряли определенное количество энергии.

На фиг. 1.12 и 1.13 приведены фотографии двух разных растровых электронных микроскопов.

1.4.3.РЕНТГЕНОВСКИЙ МИКРОАНАЛИЗАТОР

А. Гвинье высказал Р. Кастену идею анализа рентге­ новского излучения, испускаемого объектом, который сканируется тонким электронным зондом, с целью уста­ новления химической природы объекта по длине волны излучения. В Государственном управлении по изучению

иисследованиям в области аэронавтики (вблизи Парижа) Кастеном впервые был построен такой прибор. Первые

]1редели применимости светового микроскопа

43

результаты работы с прибором были изложены на Между­ народной конференции по электронной микроскопии, состоявшейся в 1949 г. в Дольфте. Подробные данные об устройстве и параметрах прибора содержатся в доктор­ ской диссертации Кастена, опубликованной в 1951 г.

Результаты Кастена стимулировали исследования в об­ ласти рентгеновского микроанализа в Англии (Кем­ бридж), СССР и США. В Кембридже II. Данкамб ввел

вконструкцию мнкроанализатора сканирующую систему:

вприборе Кастена перемещался образец и анализировалась область, расположенная под неподвижным зондом, а ска­ нирующая система, введенная Данкамбом, позволяла ана­

лизировать различные области неподвижного объекта. В более поздних моделях были дополнительно введены средства для формирования изображения исследуемого объекта вторичными электронами. В 1964 г. Ле Поль опи­ сал новый тип магнитной линзы, которая стала известна под названием «мннилинза». Она оказалась особенно удоб­ ной для формирования зонда мнкроанализатора, и прибор с такой линзой был позднее построен Л. Фонтеном в Тех­ ническом университете в Дельфте.

В заключение отметим, что в приборах новейших типов сочетаются свойства просвечивающих электронных микроскопов (ЕМ) и рентгеновских микроанализаторов (МА). Первый прибор этого типа, известный под маркой EMMA, был построен Данкамбом, и затем эта идея была осуществлена во многих лабораториях. На фиг. 1.14 и 1.15 показаны фотографии некоторых микроаиализаторов.

ЛИТЕРАТУРА, РЕКОМЕНДУЕМАЯ ДЛЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО ЧТЕНИЯ

Подробные сведения по электронной оптике и электрон­

ной микроскопии

можно

найти

в книгах

Гриве [40]

и Клемперера и

Барнетта

[53].

Растровый

электронный

.микроскоп детально описан в

статье Отли,

Никсона

и Пиза [71], растровый прибор просвечивающего

типа —

в статье Крю [19]. Микроанализаторы рассмотрены Кастеном [14] и Данкамбом [26]. История развития электрон­ ных микроскопов описана несколькими авторами, в част­ ности Мартоном [64], Мальвеем [68, 69] и Габором [34].

ГЛАВА 2

ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛИНЗЫ

2.1. УРАВНЕНИЯ ТРАЕКТОРИИ

На заряженную частицу, попадающую в пространство, содержащее магнитное и электростатическое поля (или одно из этих полей), действуют определенные отклоняю­ щие силы, а в случае электростатического поля еще и сила, под действием которой изменяется скорость частицы. Ниже эти силы будут подсчитаны с помощью известных уравнений движения. Как мы увидим далее, в электронной микроскопии релятивистскими эффектами пренебрегать нельзя. Однако, поскольку влияние этих эффектов может быть рассчитано путем довольно простых преобразований результатов, получаемых из уравнений движения Ньюто­ на, в дальнейшем изложении будут использованы только эти уравнения.

Пусть электрон с зарядом —е (так что е — положи­

тельная величина, равная 1,6 • 10-19 К) движется со ско­ ростью v в пространстве с электростатическим полем Е и магнитным полем В. Электростатическое поле действует на электрон с силой Fg, параллельной вектору напряжен­ ности Е, но обратной ему по направлению, т. е. Fg = = —еЕ. Магнитное поле действует на электрон с силой

Fb , перпендикулярной как вектору индукции поля В, так и вектору скорости электрона v, т. е. FB = —ev X В (знак X обозначает векторное произведение). Таким обра­ зом, из выражения для Fb следует, что сила действия магнитного поля па электрон перпендикулярна векторам v и В и по величине равна evB sin 0, где v и В — модули век­

торов v и В, а 0 — угол между ними. Следовательно, сум­ марная сила F, действующая па электрон, будет опреде­ ляться выражением

F = FJ5+ F b = _ е (E + v X В).

Если масса электрона равна т и его положение в простран­

стве определяется вектором г, то уравнение движения

Электронные линзы

45

электрона в пространстве с электрическим и магнитным полями будет иметь вид

тг = — е (E-{-v X В).

( 2. 1)

Это уравнение является общим. Теперь рассмотрим случаи действия магнитного и электростатического полей на

электрон раздельно, ограни-

 

z

 

чиваясь полями с осью круго­

 

 

 

вой симметрии.

Далее пред­

 

 

 

положим, что электроны дви­

 

 

 

жутся вблизи этой оси сим­

 

 

 

метрии, за которую в даль­

 

 

 

нейшем

изложении

будет

 

 

 

всегда приниматься ось z. При

 

 

 

рассмотрении полей с круго­

 

 

 

вой

 

симметрией

наиболее

 

 

 

целесообразным

оказывается

 

 

 

использование

 

цилиндриче­

 

 

 

ской полярной системы коор­

 

 

 

динат (фиг. 2.1,

а), в которой

 

 

 

положение

точки Р

опреде­

 

 

 

ляется ее положением

в пло­

 

 

 

скости, проходящей через эту

 

 

 

точку

и

перпендикулярной

 

 

 

оси z, и точкой, в которой

 

 

 

эта

 

плоскость

пересекает

 

 

 

ось z.

Положение в плоскости

 

 

 

определяется

расстоянием г

 

 

 

от точки Р до оси z и угло­

 

 

 

вым расстоянием между этой

 

 

 

точкой и плоскостью

0 = 0 .

Ф и г. 2.1. Цилиндрическая по­

Указанное

радиальное рас­

лярная система координат (а ).

стояние

г

следует

отличать

Вектор положения г соединяет

от вектора г,

соединяющего

начало

координат с

точкой

начало

координат

О

с точ­

 

Р(б).

 

кой Р. Если координатами

системе

координат

будут

точки

Р

в

прямоугольной

(хр,

у Р,

zP),

то

осевыми компонентами вектора г будут

хР,

Ур >%р (фиг.

2.1, б). Таким образом, можно написать,

что

г =

хР +

уР +

zР.

 

 

 

46

Глава 2

Нам потребуется вектор или трехмерный эквивалент простого одномерного соотношения между электрическим полем Е и электростатическим потенциалом ф:

1-,_____ d<p

L" ~

dx '

В трехмерном пространстве вектор напряженности элек­ трического поля в прямоугольных координатах опреде­ ляется тремя его компонентами (Ех, Е у, E z), электро­

статический потенциал является функцией трех перемен­ ных: ф (х , у, z). Теперь можно написать следующие соот­

ношения:

г

__

дф

дф

дф

^

х ~~

дх '

Е „ = ~ ~ду

Ех= - dz

В полярных координатах компонентами вектора Е являют­

ся

Е т в

радиальном

направлении, E z в

направлении z

и

Eg в

направлении,

перпендикулярном

г, лежащему

в плоскости, перпендикулярной оси z (фиг. 2.1, а). Анало­

гично электростатический потенциал в этом случае являет­

ся функцией г,

0 и z и компоненты вектора Е будут опре­

деляться как

 

 

 

 

 

 

Ег=

дф

Е

L

L

Ez=

дф

~дг~

г Ов

dz

В системах с круговой симметрией

функция ф (г, 0, z)

не зависит от 0, так что дф/дО =

0;

в этом случае вектор

напряженности электрического поля Е полностью опре­ деляется компонентами Е т и Е г.

2.1.1. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ ПОЛЯ

Для случая электростатического поля уравнение (2.1) принимает вид

тог= —еЕ.

(2-2)

В цилиндрических полярных координатах это векторное уравнение можно представить следующими двумя уравне­ ниями :

m r= — еЕт,

(2.3а)

mz— — eEz.

(2.36)

Электронные линзы

47

Поскольку здесь рассматриваются только поля с круговой симметрией, необходимость введения угловой координаты

отпадает.

Для удобства дальнейшего рассмотрения вектор Е, характеризующий распределение ^электрического поля, целесообразно заменить скалярной величиной — электро­ статическим потенциалом ф (г, z):

Е , =

дф

ЕТ= -

дф

 

dz

 

~дг '

В уравнение (2.3) в качестве переменной входит вре­ мя t, но в электронной оптике время, затрачиваемое элек­

тронами на прохождение через электроннооптическую систему, представляет незначительный интерес. В данном случае важно определить траектории движения электро­ нов, и с этой точки зрения очень удобно и целесообразно исключить переменную t и ввести вместо нее координа­ ту 2 . Это достигается довольно просто благодаря принятому

нами предположению о прохождении всех электронов вблизи оси z. Из уравнения (2.36) имеем

• •

dz

dz

dz

" dz

1

d

mz — m - rr = m - r --J- = m z - 1- = -^ -m -i -(z~) =

 

dt

dz

dt

dz

2

dz ' '

дф

- eET—- e ~dz *

Если обозначить потенциал на оси в точке с координатой z через Ф (z):

cD (z)= ф ( г = 0 , z),

то можно показать, что ф (г, z) разлагается в следующий

ряд по степеням г:

г /

\ ,TW \

Г2

I г4

* ( Г , 2 ) = Ф ( 2 ) — £ - - ^ + - ^ - - 3 ^ - . . . •

Следовательно, для малых значений г мы имеем

 

1

d

del)

 

■ 2

 

dz

 

так что

dz

/ 2еф \ 1/2

 

 

(2.4)

 

 

 

dt \ m )

48 Глава 2

(z = 0 при Ф=

0).

Учитывая,

 

что

 

 

 

 

 

 

 

 

d r __ dr

dz _

j

2сф \ 1/2

dr

 

 

 

получаем

 

 

dt

 

dz

dt ~

\

m )

dz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d2r __

d

/

dr

\

dz __ Г /

2еф

\ 1/2

dr ']

/ 2еФ \ 1/2

dt2

dz

\ dt

)

dt

dz

[ l

m

)

~dl J \

m

J

___

2 е ф 1/2

d

/ ф 1 /2

d r _ \ __

 

 

 

 

 

 

 

m

 

dz

\

dz

)

 

 

 

 

 

 

_

2 е ф 1/2

/ ф ! / 2

d2r .

 

1 rf(I)

c/r

\

 

 

 

 

m

 

\

 

dz2~1~ 2 ф ^ 2

dz

dz /

 

 

ИЛИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"г'^ТГ =

2еФ1/2 ( ф 1/2

dz2

 

Ф '

dr

\

(2.5)

 

 

dt2

 

 

 

V

 

 

2ф 1 /2

dz

)

где штрих обозначает дифференцирование по z.

Теперь воспользуемся теоремой Гаусса для приведе­

ния правой части уравнения (2.3а)

к виду, удобному для

 

-Ez (z+fo)

Ег (г )

■*-z

Ф и г. 2.2. Иллюстрация применения теоремы Гаусса для случая малого цилиндра с целью установления связи между радиальной и осевой составляющими электрического ноля.

дальнейших расчетов. Рассмотрим малый цилиндр радиу­ сом г и длиной бz с продольной осью, совпадающей с осью z (фиг. 2.2). Суммарный электрический поток через

стенки цилиндра должен быть равен нулю, поскольку внутри цилиндра нет заряда. Поток через торцы цилиндра равен яг2 [Ez (z + 6z) — E z (z)], а поток через его боковую поверхность 2nr6zEr. Разлагая в ряд Тейлора, получаем

E z (z + 6z) = Е г (z) +

6z dE jdz (пренебрегая членами

более высокого порядка). Таким образом, имеем

яг2

бz -(- 2nrbzET= О

Электронные литы

49

и, следовательно,

Ь Е г

dz

( 2.6)

Пользуясь приближением dEJdz — —Ф" (z) и уравне­

нием (2.6), из уравнений (2.3а) и (2.5) получаем

_

е Е т = — I - е г Ф " (z) = 2еФ 1/2 ( Ф 1/2 - g -

Ф'

dr

\

Ф1/2

dz

)

 

2

Это выражение можно привести к более простому виду

d?r

, Ф' dr

Ф"

г= 0.

(2.7а)

dz2

2Ф dz

 

 

Полученное уравнение чрезвычайно важно. Это так называемое уравнение параксиальной траектории описы­ вает пути движения электронов в электростатическом поле, которое характеризуется распределением потенциа­ ла Ф (z). Можно показать (эти расчеты здесь приводиться не будут), что если известно распределение потенциала

Ф(z) вдоль оси, то может быть определено распределе­ ние потенциала в любой области внутри линзы. Таким образом, все свойства линзы определяются этой функцией

Ф(z), и поэтому первоочередной задачей любого теорети­ ческого исследования электростатических линз является определение функции распределения потенциала вдоль

оси линзы. Ниже будет показано, как это осуществить, а сначала мы выведем соответствующее уравнение для гораздо более важного случая магнитных полей.

При очень высоком ускоряющем напряжении приме­ нение электростатических полей для фокусировки электро­ нов сильно затрудняется. В таких случаях электростати­ ческие поля используются только в электронных пушках для формирования ускоренных пучков электронов. При работе с очень высоким ускоряющим напряжением необ­ ходимо учитывать также релятивистские поправки к урав­ нению (2.7а). Обозначим константу е/2т0с2 через е

е = ——

10-6 В"1,

/т0с*

 

где т 0 — масса неподвижного

электрона, с — скорость

света. Выражение Ф(1 -f-

еФ)

встречается настолько

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ