Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия

.pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
32.62 Mб
Скачать

Электронный микроскоп

161

объектов состоит из резко ограниченных пятен. Таким образом, в этом случае для формирования изображения можно выбрать только те электроны, которые образуют определенное дифракционное пятно (фиг. 3.23). Следует отметить, что для получения темнопольного изображения используется также стриоскопическое освещение.

3.3.3. МАЛОУГЛОВАЯ ДИФРАКЦИЯ

При формировании изображения обычно стремятся обеспечить наиболее четкое отображение мельчайших дета­ лей объекта. Однако в случае кристаллических материа­ лов малым межплоскостным расстояниям соответствуют далеко отстоящие друг от друга пятна в дифракционной картине, и поэтому большие, регулярно повторяющиеся расстояния обнаружить с помощью дифракционной кар­ тины трудно.

Другими словами, если некоторые особенности объекта повторяются регулярно, но находятся на больших рас­ стояниях друг от друга (несколько сот или тысяч ангстрем), то соответствующие пятна в дифракционной картине ока­ жутся очень близко друг к другу и разделить их будет трудно. Были разработаны различные методы обнаруже­ ния таких больших периодов (фиг. 3.24).

Все они основаны на повышении масштаба увеличения дифракционной картины при ее отображении на конечный экран и освещении объекта пучком с высокой когерент­ ностью.

Первая схема, представленная на фиг. 3.24а (пред­ ложена Малем и Вейчем), не является типичной, посколь­ ку она была реализована в микроскопе Цейсса без конденсорных линз; ее рассмотрение целесообразно в связи с тем, что она послужила толчком для разработки многих других методов. Объект располагается между промежуточ­ ной и проекционной линзами, и посредством сильно воз­ бужденного объектива формируется уменьшенное изобра­ жение кроссовера. Оптическая сила промежуточной лин­ зы устанавливается таким образом, чтобы изображение катода оказалось сопряженным с плоскостью предмета проекционной линзы, настроенной на режим больших увеличений. Основной недостаток этой схемы заключается

11-0132

162

Глава 3

в том, что хорошее изображение объекта может быть полу­ чено только в случае, если он размещен в плоскости предмета объективной линзы.

На фиг. 3.246 показана схема (предложенная Бас­ сетом и Келлером) для микроскопа, оснащенного двумя

малоугловой дифракции по Ма­

Ф и г. 3.246. Способ получения

малоугловой дифракции по Бас­

лю — Войчу [63].

 

сету — Келлеру [3].

 

1 — анод; 2— объективная линза;

1 — катод; 2 — диафрагма;

з

3 — промежуточная линза;

4

конденсорная

линза X; 4 — диа­

диафрагма; S — объект; в —• проек­

фрагма; 5 — конденсорная линза II;

ционная линза; 7 — экран

на­

6 — объект; 7 — объективная линза

блюдения.

 

(выключена):

8 — дифракционная

 

 

линза; 9 — промежуточная

линза

 

 

(выключена);

ю — проекционная

 

 

 

линза.

 

промежуточными линзами, в котором объективная линза должна быть выключена. Здесь первый конденсор служит для уменьшения кроссовера, а конечное изображение

Электронный микроскоп

163

дифракционной картины формируется двумя ступенями, что допускает некоторое изменение увеличения. На фиг. 3.24в показана схема, в которой используется объек­ тивная линза. Это дает возможность рассматривать изо­ бражение той области объекта, которая соответствует

Ф и г . 3.24в. Способ полу­

Ф и г. 3.24г. Способ получения

чения малоугловой дифрак­

малоугловой

дифракции

по

ции но Уэйду [86].

Кёртису [20].

 

 

1 — кроссовер; 2 — конденсор-

1 — конденсорная линза

I;

2

ная линза I; 3 — конденсорная

конденсорная линза И:

з — объ­

линза II; 4 — объект; 5 — объ­

ективная линза;

4 — объект;

5 —

ективная линза; 6 — промежу­

промежуточная

линза; в

— первое

точная линза (выключена); 7

дифракционное

изображение; 7

проекционная линза.

проекционная линза; 8 — конечное

 

дифракционное изображение.

дифракционной картине. Оба конденсора используются для уменьшения кроссовера. Наконец, показан (фиг. 3.24г) ход лучей в схеме, в которой используются все линзы микроскопа (микроскоп с одной промежуточной линзой). Здесь объект устанавливается в плоскости, в которой обыч­ но расположена селекторная диафрагма. Оба конденсора и объектив принимают участие в уменьшении кроссовера, что позволяет получить угловую апертуру освещающего

11*

164

Глава 3

пучка меньше чем 1 мкрад. Схема позволяет разрешить очень большие периоды, однако отображение дифракцион­ ной картины с большим увеличением представляет опре­ деленные трудности.

3.3.4. ИЗОБРАЖЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК

Мы видели, что атомы в кристаллических материалах образуют регулярные структуры или решетки и что пучок электронов, проходящий через такие материалы, откло­ няется в определенных характеристических направлениях. В режиме светлопольных исследований электроны, пре­ терпевшие отклонение, задерживаются апертурной диаф­ рагмой объектива, а при получении темнопольных изоб­ ражений через указанную диафрагму проходят только электроны, которые отклонились на углы, лежащие в некотором четко ограниченном интервале. Если, одна­ ко, создать условия, при которых неотклонеиный пучок и один из отклоненных лучей достигнут плоскости изоб­ ражения, то на экране возникнет интерференционная картина, которую можно с полным основанием считать картиной кристаллической решетки. При этом полосы интерференционной картины соответствуют атомным плос­ костям в объекте. Наряду с несомненной ценностью для кристаллографических исследований описываемый режим получения изображений интересен с точки зрения прояв­ ляющихся при нем особых оптических свойств, а именно: предельное разрешение изображения определяется види­ мостью полос, которая зависит от стабильности ускоряю­ щего напряжения и степени когерентности освещения. (Сферическая аберрация на разрешение непосредственного влияния не оказывает, но ее роль проявляется в связи с влиянием когерентности.) Поэтому существует прин­ ципиальная возможность наблюдения в микроскопе мень­ ших межплоскостных расстояний, чем разрешаемое рас­ стояние, определяемое по точкам. Однако реализация этой возможности требует огромных усилий и максимального терпения. Полосы на изображениях кристаллических решеток с периодом, равным половине межплоскостного расстояния (менее одного ангстрема), впервые наблюда­ лись в 1969 г. (фиг. 3.25).

166

Глава 3

3.4. ФОРМИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

3.4.1. МЕХАНИЗМ ВОЗНИКНОВЕНИЯ КОНТРАСТА

Выше уже был рассмотрен механизм формирования контраста в электронном микроскопе за счет диафрагми­ рования некоторой части электронов с помощью апертур­ ной диафрагмы объектива. В настоящем разделе рассмот­ рение будет продолжено для случая электронномикроско­ пических изображений с высоким разрешением, при кото­ ром механизм возникновения контраста оказывается уже иным.

Большинство электронов, падающих на электронно­ микроскопический объект, выходят из него с обратной стороны, и если объект достаточно тонкий, то многие электроны сохранят при этом свое первоначальное направ­ ление движения. Но некоторые электроны, проходящие вблизи атомов, отклоняются на определенные углы, вели­ чина которых зависит от атомного номера вещества объек­ та и степени близости траекторий электронов к этим ато­ мам. Преобладающее большинство электронов при про­ хождении через объект не будет терять энергии, а осталь­ ные определенную долю своей энергии передадут объекту.

Таким образом, здесь имеется резкое отличие от боль­ шинства типов обычной световой микроскопии, где вслед­ ствие различной прозрачности объекта имеет место различ­ ное ослабление интенсивности светового пучка. При элект­ ронном облучении положение в значительной мере анало­ гично фазовоконтрастной микроскопии, в которой объект, совершенно прозрачный для света, отличается неоднород­ ностью либо по показателю преломления, либо по тол­ щине. Это означает, что если на объект падает плоская световая волна с амплитудой, постоянной по фронту (фиг. 3.26), то она выходит из объекта с той же амплиту­ дой, но с различными фазами. Если, например, принять, что показатель преломления п меняется, а толщина t

остается постоянной, то разность хода для света, выходя­

щего из областей с показателями преломления

и п 2,

будет равна (n t п2) t, а фазовая разность (2 я/к) (

n2)t.

Другими словами, если рассмотреть поверхность равной

Электронный микроскоп

167

фазы выходящего светового пучка, то окажется, что пло­ ской волны больше не существует, а имеется волновая поверхность, форма которой определяется распределе­ нием показателя преломления п (х , у).

Такие объекты в обычном световом микроскопе увидеть нельзя. Но в 30-е годы Зернике предложил метод преоб­ разования фазовых различий, вызываемых объектом в све­ товом пучке, в соответствующие амплитудные различия, которые уже можно наблюдать визуально. Метод заклю­ чается в введении контролируемой разности фаз, которая,

Ф и г . 3.26. Влияние фазового объекта на электрон­ ный пучок.

По терминологии частиц, электроны отклоняются, но не теряют энергию; в волновом представлении падающая

плоская

волна выходит из объекта

с искривленной поверх­

ностью,

но амплитуда возмущения

остается

неизменной.

I — плоская поверхность падающей

волны; I I

— волновые

поверхности после прохождения

объекта (вдоль волновых

 

поверхностей фаза

постоянна).

 

Объект

I

накладываясь на фазовые различия объекта, изменяет распределение света таким образом, что появляются амплитудные различия, воспринимаемые глазом.

В случае когда объект освещается параллельным пуч­ ком электронов, пучок, выходящий из объекта, будет состоять в основном из электронов, двигающихся парал­ лельно оптической оси, и электронов, отклоненных на раз­ личные углы. Если все электроны, выходящие из объекта, достигают плоскости конечного изображения, а плоскость объекта и плоскость конечного изображения точно сопря­ жены друг с другом, то при отсутствии аберраций изобра­ жение будет представлять собой только однородное свет­ лое поле (фон). Причиной этого является важная особен­ ность соответствующих друг другу точек в сопряженных плоскостях, заключающаяся в том, что все лучи, идущие

через одну

точку, проходят также через другую, неза­

висимо от

их наклона. Линейное отклонение электрона

в объекте

при обычных ускоряющих напряжениях до

100 кВ редко превышает 1—2 А, и им можно пренебречь. Однако в более толстых объектах, исследуемых при повы­ шенных напряжениях, оно становится заметным и вызы­ вает эффект «верха — низа», называемого так потому, что

168 Глава 3

атомы, лежащие вблизи противоположных поверхностей объекта, отображаются по-разному. Контраст может быть создан благодаря ослаблению одного или нескольких перечисленных выше условий (часть электронов, выходя­ щих из объекта, может быть удалена; всегда имеется сфе­ рическая аберрация; преломляющая сила объективной линзы может быть изменена таким образом, чтобы плос­ кость объекта и конечная плоскость наблюдения оказались не точно сопряженными).

Рассмотрим каждый из указанных механизмов возник­ новения контраста в отдельности.Первый из них, наиболее простой и доступный пониманию, является основным источ­ ником контраста при электронномикроскопическом иссле­

довании структур с деталями размерами больше 25—50 А. Объект, как правило, содержит определенное, иногда большое, количество тяжелых атомов. В металлических образцах это непосредственно атомы исследуемого объек­ та, а в биологических объектах — атомы окрашивающего вещества, которым пропитывают объект (или покрывают его, как в случае негативного окрашивания). Электроны, проходящие вблизи тяжелых атомов, будут отклоняться сильнее, чем электроны, которые проходят вдали от этих атомов или вблизи более легких атомов (биологические объекты содержат преимущественно углерод (атомный номер б), тогда как контрастирующим веществом обычно являются осмий (76), уран (!)2) или свинец (82)). Сильно отклоненные электроны задерживаются объективной апер­ турной диафрагмой, и, следовательно, плоскости изобра­

жения достигают только

электроны, прошедшие вдали

от тяжелых атомов (или

вблизи легких). Поэтому точки

в плоскости изображения, соответствующие тяжелым ато­ мам, будут выглядеть темнее, и на люминесцентном экра­ не будет видна картина расположения тяжелых атомов. Таким образом изменение направления движения электро­

нов при

прохождении через объект преобразовывается

в изменение амплитуды освещения на изображении.

Два других источника контраста — сферическую абер­

рацию и

дефокусировку — целесообразно рассмотреть

совместно. Качественный анализ может дать лишь грубую картину того, каким образом эти источники создают контраст на электронном изображении, а соответствую­

Электронный микроскоп

169

щий математический анализ требует применения довольно сложных методов. В последующем рассмотрении этого чрезвычайно важного механизма формирования контраста в основном приводятся результаты и физическая картина

процесса, а математические выводы полностью

даются

не всегда 1).

падаю­

Рассмотрим объект, освещаемый электронами,

щими параллельно оптической оси. (Напомним, что это было бы возможно на практике только в том случае, если бы все электроны исходили из одной точки и преобразовы­ вались в параллельный пучок с помощью линзы, свободной от аберраций. Таким образом, это является идеализацией, хотя и вполне приемлемой.)

В терминах волновой оптики это соответствует пло­ ской волне, падающей на объект. Для пучка частиц «вол­ нами» являются решения уравнения в частных производ­ ных — уравнения Шредингера, точная форма которого здесь нас не интересует.

Использование комплексных чисел позволяет описать свойства волн в компактной форме, и эта форма записи нашла очень широкое применение. В действительных обозначениях простая одномерная волна описывается гар­ монической функцией вида

/ (z, ^^FoCOS^JtzA —сot),

где X — длина волны, со — угловая частота, F 0 — ампли­ туда волны. Начало отсчета для 2 и t выбирается таким образом, чтобы / (0, 0) — F 0. При любом другом выборе

начала отсчета мы должны ввести в выражение аналогич­ ный член с синусом или в аргумент косинуса включить

фазовый

член ф,

т.

е.

 

 

/ (z, t) =

F0cos(2nzA — (ot + ф).

Поскольку

действительная и мнимая части exp (i 0)

есть

cos0

и

sin 0 ,

можно написать

 

 

/ (z, t) =

Re [ f о exp i (2ягА —Ш -f ф)]

')

Прежде чем приступить к детальному изучению математиче­

ских выкладок, читатель может на стр. 199 познакомиться с их результатами без выводов. Идея, лежащая в основе анализа, широко используется во многих областях физики.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ