![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник
.pdfВ |
симметричном транзисторе |
ßi ^ |
ß и |
|Л<э| ~ |/эз| ~/ко/2, |
[ /бз I ~ |
/к 0' |
^°: с ростом |
последней ток /І( о |
|
Ток /«о зависит от температуры |
||||
растет |
по закону / ко(/) = /ко(/и) efe |
^ |
где /с° — температурный |
коэффициент. Практически считают, что и у германиевых, и у крем ниевых транзисторов / к0 удваивается при изменении температуры на 10° С, т. е.
о |
о |
* |
|
/ «о (/° С) = / к0 (/н С) 2 |
100 . |
Однако и при весьма высоких температурах тепловой ток крем ниевых транзисторов невелик.
Следует отметить, что токи электродов транзистора в режиме выключения, помимо температурных составляющих, содержат со ставляющие, зависящие от величины напряжений на переходах.
Входное Явхз и выходное RBыхз сопротивления запертого тран зистора, определяемые в основном обратными сопротивлениями эмиттерного и коллекторного переходов, не столь велики, чтобы
с ними можно было не считаться во всех случаях. Как показано в гл. 8, при использовании ключей в генераторах пилообразного напряжения для учета шунтирующего действия запертого транзи стора на входную цепь и в некоторых других случаях эти сопро тивления принимаются во внимание; эквивалентные схемы входной и выходной цепей транзистора в режиме выключения показаны на рис. 2.17а, б (напомним, что у кремниевых транзисторов тепловая составляющая обратного тока невелика и, как правило, не может считаться основной; именно этим объясняется тот факт, что в ключах ИС практически не учитывается изменение /ко в заданном температурном интервале).
Однако при анализе большинства импульсных устройств имеют место столь сильные неравенства R ВХ3 Ro И R вых з — Rk, что вход и выход запертого германиевого транзистора рассматри ваются соответственно как генераторы токов |/бз| = / ко и /ц3= /ко. величины которых не зависят от обратных напряжений на перехо дах. (Заметим, что в справочниках через / І(0 обозначается коллек торный ток, измеренный при определенных значениях коллектор ного напряжения. Поэтому при использовании этих значений /ко в практических расчетах в какой-то мере учитываются токи утечки.)
Для дрейфовых транзисторов характерен обратный пробой эмиттерного перехода при небольших обратных напряжениях (по рядка 1-4-2 В), в результате чего ток / 03 резко возрастает. Если, однако, в цепи базы включено достаточно большое сопротивление Ri5, то ток базы ограничен невысоким уровнем и свойства эмиттер ного перехода после пробоя восстанавливаются.
Напряжение |
на базе запертого транзистора в схеме ключа |
(рис. 2.13а) «бз |
= Е° — / к ORG) где Е° — уровень входного запираю |
щего напряжения (положительного для транзистора типа р-п-р и отрицательного для транзистора типа п-р-п). Обычно в схемах на дискретных компонентах этот уровень получают путем введения в
цепь базы специального источника положительного (или отрица тельного для /г-р-я-транзисторов) смещения (параграф 2.2.3); ясно, что величина «б3 не должна превосходить допустимого обратного напряжения эмиттерного перехода. Из последней формулы видно,
что условие запирания (2.42) |
удовлетворяется при Д- о макете ^ £°, |
||||
где Ri 0 макс |
максимальное значение обратного тока (при наивыс |
||||
шей температуре заданного температурного диапазона). |
|||||
Напряжение на коллекторе закрытого транзистора ‘(рис. 2.13а) |
|||||
«из = — + IiioRii- |
Если |
сопротивление Rn достаточно мало, так |
|||
что /к о максун |
£к, |
то a , « » —Ек] в схеме на |
я-р-я-транзисторе |
||
«кз ~ + Ек. |
Напряжение |
на |
коллекторном |
переходе |«GK| = |
|
= |«б — «к| ~ |
Е° + Ек; ясно, что оно не должно превосходить допу |
стимого обратного напряжения на переходе.
Рассмотрим особенности режима выключения для интеграль ного транзистора.
Обычно в ИС не используется специальный источник смещения, и поэтому запирающий уровень Е° оказывается положительным для транзистора типа п-р-п (или отрицательным для транзистора типа р-п-р). Однако уровень Е° мал относительно отпирающего уровня Е \ и коллекторный ток транзистора при воздействии Е° также довольно мал. Таким образом, закрытый транзистор в ИС работает не в режиме отсечки, а в активном режиме, но при ма лом коллекторном токе (обычно при токе / кз, составляющем не сколько процентов тока открытого транзистора). Необходимо от метить, что уровень напряжения Е°, при котором коллекторный ток
равен |
/„з, зависит от температуры — с повышением температуры |
на ГС |
уменьшается примерно на 2 мВ напряжение «бэ между ба |
зой й эмиттером и соответственно уменьшается Е°. |
Заметим, что, когда основной транзистор ИС в структуре с изо лирующим я-р-переходом работает в режиме отсечки или «выклю чен» в только что указанном смысле (т. е. работает в активной об ласти при малом токе /кя), оба перехода паразитного транзистора смещены в обратном направлении и с его влиянием на режим основного транзистора можно практически не считаться. .
Р е ж и м в к л ю ч е н и я. При прямом смещении эмиттерного пе рехода транзистор включен и через его электроды протекают
91
прямые (положительные) токи. Различают активную область и об ласть насыщения включенного транзистора.
В активной области эмиттерный переход смещен в прямом на
правлении, |
а коллекторный — в обратном, |
т. е. для р-п-р-транзи |
|
стора «бэ < |
0, «бк > 0 и для п-р-п-транзистора Ыбэ > 0, |
< 0. |
|
Так как в активном режиме напряжение UKна переходе база — |
|||
коллектор — обратное и |£Л(|^>срт, то из |
уравнений |
Эберса— |
Молла (2.39) легко получить следующие приближенные соотно шения:
— для |
схемы |
ОЭ |
і„ = ßt'e + |
( ß + l ) / K0; |
ß = a / ( l — а). |
— для |
схемы |
ОБ |
гк = аіэ + |
/„ о, причем |
Таким образом, в активной области коллекторный ток практи чески линейно зависит от управляющего тока базы (или эмиттера).
В схеме рис. 2.13а при отрицательном входном напряжении
(е < 0) и \е\ — Е х ток базы ів = |
gl — |
I ц- 1 |
и ток коллектора [без |
|
----- |
' |
6 |
||
|
Дб |
|
|
|
учета составляющей (ß -f- 1)/ко]/к ^ |
ß/g = |
ß -■ |
• Если|17б|<С |
<С Е 1 (т. е. если входное сопротивление транзистора много меньше сопротивления Re), то і’б ~ £'//?б и ік = ßEl/Re. Остаточное напря жение на коллекторе открытого транзистора икот = —EK-\-iKRK. На рис. 2.18а, б показаны упрощенные эквивалентные схемы тран
зистора (без учета |
внутренней |
обратной связи [9]) с эмиттерным |
|
и базовым входами соответственно. |
|||
В схеме рис. 2.18а |
гк = |
dUк |
представляет собой дифференциаль |
Ш'к |
ное сопротивление коллекторного перехода; обычно в активной области оно из меняется незначительно (т. е. в активной области характеристики гк = /( и к) при іэ = const можно считать прямыми).
Кроме того, наклон характеристики для разных /а также примерно одинаков, н поэтому под гк понимают здесь обычно некоторое усредненное значение упо мянутого сопротивления.
92
|
Сопротивление г3 = d U 3 |
|
эмиттерпого |
перехода |
представлено |
||||||||||
|
|
|
|
|
d u |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в эквивалентных схемах резистором г0. В активной области |
(при |
|{Л<|3> фт)гэ= |
|||||||||||||
= фт/іэ « |
0,026/і»0м. При U = |
1 мА га = |
26 Ом, |
при |
U = |
0,1 мА, гэ= 260 Ом. |
|||||||||
[Последнюю формулу |
нетрудно |
получить |
путем дифференцирования (2.39).] |
||||||||||||
|
С учетом усредненного сопротивления коллекторного перехода г„ можно |
||||||||||||||
записать |
уточненное выражение |
для |
тока |
коллектора |
в схеме ОБ (рис. 2.18а): |
||||||||||
і„ = |
aU + /ко + |
UK/rK, где UK— напряжение на коллекторном |
переходе (обычно |
||||||||||||
г,с — порядка |
единиц |
мегом). Учитывая., |
о) |
|
|
|
|
|
|||||||
что |
U = |
ік + |
to, перепишем |
выражение |
|
|
|
|
|
||||||
для |
/„ в виде |
|
/к = р/б+ |
(ß + |
1) / |{0 + |
|
|
|
|
|
|
||||
+ u J rl> |
гк = |
П<(1 |
- a ) |
= r K/( ß + |
1). |
|
|
|
|
|
|
||||
|
Включение резистора г к |
показано в |
|
|
|
|
|
|
|||||||
схеме ОЭ на рис. 2.186. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
ние |
Заметим, |
что выходное сопротивле |
|
|
|
|
|
|
|||||||
транзистора |
ОЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
Аок |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Аік |
/g=const |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
во много раз меньше выходного сопро |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
тивления |
транзистора |
ОБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
П |
, _ |
I |
|
|
_ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
'Свых б -----г г |
|
|
-- г к, |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
Ü‘K Theorist |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
т. е. |
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RВЫХ 9 |
ß+1 RВЫХ б- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
Как видно из эквивалентных схем, входное сопротивление транзистора ОБ |
||||||||||||||
|
|
о |
_ |
А"э |
|
|
= |
r3 + r6 ( l — a ) = r 3 + |
-5-3 7 7 -, |
||||||
|
|
Rax6- ~ z n |
u = co n st |
|
|
|
|
Р |
т |
1 |
|||||
транзистора ОЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
R BX |
Д«б |
|
|
= Гб |
|
; re + (ß + |
1) гэ. |
||||||
|
|
А іб |
|
|
1 — а |
||||||||||
|
|
|
|
|
и |
==ccmst |
|
|
|
|
|
|
|||
следовательно, /?Вх э = (ß + |
0 RBX б- |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Если |
обозначить |
через |
Ск емкость коллекторного перехода, то, очевидно, |
||||||||||||
эквивалентная |
коллекторная |
емкость в схеме ОЭ (рис. 2.186) СК= СК/(1 — <х) = |
|||||||||||||
= ( ß + 1) Ск. Необходимо |
отметить, |
что гкСк = г*С*. |
|
|
|
|
|||||||||
|
Заметим, что ß зависит от величины тока ік и от температуры і° С; характер |
||||||||||||||
зависимостей |
ß(/K) и ß(i°C) |
показан на рис. 2.19а, б. |
|
|
|
|
|||||||||
В области насыщения оба перехода транзистора смещены в |
|||||||||||||||
прямом направлении, т. е. для |
р-«-р-транзистора |
щ3 |
< 0, «бк-< 0 |
||||||||||||
и для п-р-п-транзистора Кбэ > 0, «бк > 0. |
(2.39) |
можно получить, |
|||||||||||||
Из системы уравнений Эберса — Молла |
|||||||||||||||
что |
для |
границы |
насыщения |
(т. е. при |
«бэ < |
0 |
и |
щ к « 6 для |
93
транзистора р-п-р |
или при »ба > 0 |
п «би |
0 |
для |
транзистора |
|
п-р-п) |
= |3('б. В |
области насыщения |
при |
UQ,{< |
0 |
/',<< ßi'cj. Пос |
леднее соотношение может служить одним из критериев существо вания режима насыщения транзистора.
Насыщение транзистора в схеме ключа (рис. 2.13) можно по лучить увеличением тока базы. При некотором значении ф = Ы» рабочая точка достигает положения А (рис. 2.15) и дальнейший рост тока базы практически уже не приводит к росту коллектор ного тока; последний равен:
Г |
__ |
Е к |
1ЧКН1 |
и, следовательно, |
/КН |
|
Е к 1Мціі I |
Г |
|
||
6,1~ |
р |
PÄK |
|
Зависимости напряжения ит между коллектором и эмиттером |
|||
в режиме насыщения (так |
же, |
как и напряжения база — эмиттер |
«бэ) от токов /б, ("к, h можно приближенно найти из ф-л (2.39). Од нако для практических расчетов импульсных устройств обычно до статочно знать лишь усредненные значения этих зависимостей, по лученные экспериментальным путем.
Напряжение |«Ки| уменьшается с увеличением ß, уменьшением инверсного коэффициента усиления ßr и, естественно, с уменьше нием объемного сопротивления коллектора г'к. Можно считать, что
|«кн| — порядка |
нескольких десятков пли сотен милливольт, а |
на |
||||
пряжение база — эмиттер в режиме насыщения |
|«бп| — порядка со |
|||||
тен милливольт |
( I «бпI 0,2-г-0,4 В у |
германиевых |
и |
0,7ч-1,1 В |
||
у кремниевых транзисторов). Заметим, |
что напряжение |
на базе |
||||
в режиме насыщения, как это следует из ф-л |
(2.39), |
зависит |
не |
|||
только от тока базы, но и от тока коллектора |
увеличение |
/„„ |
приводит к тому, что данному значению /бн будет соответствовать и большее значение напряжения |«бн|.
Если |
(т. е. при £ к порядка нескольких вольт), |
мож |
но приближенно считать /кп ~ EJRu и |
|
|
|
/б.. = /кн/Р = £ к № . |
(2.44) |
Количественно степень насыщения характеризуют коэффициен
том s: |
|
s /б/Л>н == ß^ö/^KH" |
(2-45) |
На границе насыщения ф = /бн, s = 1 [так как ß зависит от ве личины коллекторного тока, то под ß в ф-лах (2.44), (2.45) при нимают либо то значение, которое соответствует току /ІЭТ, либо интегральное, т. е. усредненное значение].
С увеличением коэффициента насыщения ключа увеличивается его нагрузочная способность (условие насыщения удовлетворяется при большем значении тока /ШІ), уменьшается влияние различных дестабилизирующих факторов на выходные параметры ключа, но, как показано ниже, ухудшается быстродействие ключа. Поэтому
94
коэффициент насыщения s во всех случаях следует выбирать из компромиссных соображений, исходя из конкретной задачи.
Во многих практических расчетах, когда можно пренебречь межэлектродными напряжениями насыщенного транзистора по сравнению с питающими, последний рассматривают как «стяну-
ный» |
в эквипотенциальную |
точку — точку с единым потенциалом |
всех |
электродов (рис. 2.20), |
что, естественно, упрощает расчеты. |
В связи со значительным разбро |
||
сом параметра ß у различных транзи |
||
сторов, а также зависимостью ß от |
||
температуры условия насыщения тран |
||
зистора должны быть выполнены уже |
||
при минимальном значении, ßMim- |
||
В интегральных транзисторах, изо |
||
лированных п-р-переходом, когда ос |
||
новной транзистор находится в режи |
||
ме насыщения, паразитный транзистор |
||
(рис. |
2.76) работает в активной обла |
сти, так как его эммттерный переход (т. е. коллекторный переход основного транзистора) смещен в прямом направлении; при этом паразитный транзистор может оказать существенное влияние на токи и напряжения основного; это влияние обычно учитывается пу тем использования эквивалентных параметров: ß < ß0cH, |«кН|>
I ЩіН ОСП I •
При переключении транзистора из режима выключения в ре жим насыщения образуется перепад коллекторного напряжения:
|
^ к т = |
I ^кз I I мки I= "I“ |
^кзЕк |
I ики I- |
(2.46) |
|
Так |
как |ы,га| |
и |
IK3 RK обычно малы, |
UKm |
достигает |
значения |
(0,90 |
-т- 0,99) Ек, |
т. |
е. транзисторный ключ коммутирует |
почти все |
напряжение Ек и в этом смысле приближается к идеальному ключу. Перепад тока при переключении равен: / к ? п = Л ш —
Передаточная характеристика
Наряду с входными и выходными характеристиками транзи сторного ключа часто представляет интерес передаточная характе ристика— зависимость уровня выходного напряжения ивых — ик от уровня входного е в стационарном режиме работы ключа. При мер такой характеристики для ключа на кремниевом транзисторе типа п-р-п '(рис. 2.136) приведен на рис. 2.21. Участок характери стики MN соответствует активному режиму работы ключа при его
переходе из состояния 1 (напряжение на выходе С/выХ высокое)
всостояние 0 (напряжение t/вых низкое)-
Впереключательных цепях обычно обеспечивается совмести мость входных и выходных сигналов, т. е. совпадение по. величине
уровней Е° и t / в ы воляет наглядно
х - , Е 1 и t / L x - Передаточная характеристика поз оценить помехоустойчивость схемы, т. е. найти
95
максимально допустимые напряжения помехи, действующие на входе схемы наряду с регулярными сигналами, при которых еще не происходит изменение логических (информационных) состояний ключа.
Помехи в ключевых схемах могут быть как статическими, на пример изменения входных напряжений, связанные с падением напряжения на общих шинах схемы питания («земля»), так и им пульсными (кратковременными). Импульсные помехи обусловлены как внешними электромагнитными полями, так и индуктивной и емкостной связью между сигнальными линиями схемы, а также переходными процессами в последних (из-за несогласованности линий и нагрузок).
Рис. 2.21
Так, если на выходе имеется сигнал 1 (точка А рис. 2.21), то запас помехоустойчивости МА равен разности входных напряже
ний |£м — ^ 0|, а если сигнал 0 (точка В), то запас помехоустой
чивости NB равен разности входных напряжений |
— £ '|. |
2.3.2.НАСЫЩЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ
СОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ
Переходная характеристика транзистора
Режим транзистора характеризовался выше величинами напря жений на переходах и токов его электродов в соответствии с урав нениями Эберса — Молла. Этими уравнениями и соответствую щими эквивалентными схемами можно воспользоваться, как было отмечено, и для анализа переходных процессов в транзисторе (в активном режиме). Для этого необходимо учесть, что коэффициен ты передачи транзистора частотнозависимые; в первом приближе-
96
или изображения по Лапласу временных функций ß(^), а (/) |
мож |
||||
но представить в виде: |
|
|
|
|
|
|
ß (Р) = ßo/(l + /™p)> а (р) = о0/(1 + |
РЧ), |
|
|
|
где |
та = 1 /2 ліа (точнее, |
для бездрейфового |
транзистора |
та « |
|
~ |
l,22/2nfa) — постоянная |
времени коэффициента |
передачи а, |
равная времени пролета tD неосновных носителей через базу тран зистора [8, 9]; тр = (ßo + 1)та — постоянная времени коэффициен та передачи ß, практически равная усредненному по объему базы
времени жизни п неосновных носителей в базе; а0 и |
ßo— соот |
|||
ветственно статическіе значения коэффициентов a(t), ß(z'). |
||||
Обозначив через і„(р) |
и іц{р) соответственно изображения кол |
|||
лекторного и базового токов, запишем |
|
|||
Ф ) = |
Р ірйб (р) = |
1+ßoTpp h (р). |
(2.47) |
|
Если ток базы изменяется скачком на величину Д/б, то изме |
||||
нение коллекторного |
тока согласно ф-ле (2.47)^ |
Д/к (^) = |
||
= ß 0Д/б(і — е t!x$). Это |
выражение определяет переходную харак |
|||
теристику транзистора |
в |
активной |
области (без учета |
барьерных |
емкостей): |
|
|
|
|
Ар W = |
- ^ 7 = Ро(1 — e~'/Tß). |
(2.48) |
Во многих случаях, в частности при изучении переходных про цессов в различных режимах работы ключа, удобно применять так называемый метод заряда [8]. Обозначим через Q заряд неоснов ных носителей в базе (например, электронов в базе типа р). В пер вом приближении можно считать, что изменение заряда Q во вре
мени, —fif, обусловлено током базы h{t) и рекомбинацией нерав
новесных электронов в базе - - 2-, т, е. - ^ - = г’б — или
4 г + Т = |
(2.49а) |
где т — время жизни носителей в базе. В активной области можно полагать т = Tß и ур-ние (2.49а) принимает вид
■ § • + ^ “ <•«(0. |
(2.496) |
В области насыщения изменение заряда также описывается
уравнением, аналогичным (2.496): + - ^ - = г$(<). Однако по
стоянная вермени накопления заряда тн, вообще говоря, отличается от Tß (эффективное время жизни в режиме насыщения отличается от времени жизни в активном режиме, так как в режиме насыще ния распределение неосновных носителей в базе существенно
4 Зак. 561 |
97 |
отличается от распределения в активном режиме). Практически для различных бездрейфовых транзисторов тП= (0,5 -4- 1)тр, а для дрейфовых тц > тр, но часто для простоты принимают тп ~ тр. Наряду с ур-иием (2.49а) в основе метода заряда лежит соотноше ние между зарядом в базе и током коллектора в активном режиме
Q (/)~ T a/K(0. |
(2.50) |
В установившемся режиме при і'б = |
h = const, как следует из |
-ур-нпя (2.496), Q = тр/б. Различным значениям Ы соответствуют различные величины заряда в базе. В области отсечки заряд неос новных носителей в базе незначителен и им обычно пренебрегают. С ростом тока базы заряд растет и на границе насыщения дости гает значения Qrp = трЛзнПри дальнейшем увеличении тока базы,
т. е. в |
области |
насыщения, в базе создается избыточный |
заряд |
||
Qi135= |
Q — Qrp = |
Tß(/ü — / б п ); степень насыщения характеризует |
|||
ся величиной s = |
Q/Qrp. |
|
|
|
|
В частном случае, для моментов времени t <С тр, можно не счи |
|||||
таться с процессами рекомбинации (т. е. iß(t)^> Qlтр) и |
|
||||
|
|
^ - ~ |
/ б(0. |
(2.50а) |
|
откуда |
|
|
|
|
|
|
|
Q (t)~ |
j |
i6 (t)dt. |
(2.506) |
|
|
|
ö |
|
|
При |
<б (0 = h |
= const заряд |
в базе в рассматриваемом |
интер |
|
вале времени изменяется по линейному закону |
|
||||
|
|
Q{l) = Iö(. |
(2.50в) |
В общем случае при скачкообразном изменении тока базы іо(і) на величину Д/б в соответствии с ур-иием (2.49а) заряд изменяется по экспоненциальному закону
|
Q(t) = Q (оо) - |
[Q (ос) - |
Q (0)] е - % , |
(2.51) |
где Q(0) = |
Tß/6(0); <2(оо)==т&іб(оо) и |
Q(oo) — Q(0) = TßD'6(oo) — |
||
— г‘б(0)1 = |
Тр Дгб. Таким образом (см. рис. 2.22), |
|
||
AQ (t) = Q(t) — Q (0) = [Q(оо) - |
Q (0)] (l - |
е - '/тр) = |
|
|
|
|
|
= трД/б(і - e “ '/Tß). |
(2.52) |
Если поделить равенство (2.52) на ха и учесть (2.50), то для активной области получим
Агк(0 = ? А / б(і - e ~ ' /Tß)» ß Д/б( і - е _//тр). |
(2.53) |
та |
|
98
Соотношения (2.51) — (2.53) в разной форме описывают пере ходную характеристику транзистора. Однако надо иметь в виду, что ф-лы (2.51), (2.52) справедливы для всех областей работы транзистора, а (2.53) — только для активной области.
Для учета влияния емкости Ск коллекторного перехода в ле вую часть ур-ния (2.49а) необходимо ввести еще одну компонен ту — ток смещения через емкость Ск:
Г1 ^кб |
dQ |
. |
Q |
tб- |
(2.54) |
dt |
dt |
' |
тр |
Для рассматриваемой схемы транзисторного ключа рис. 2.13, полагая, что скорость изменения напряжения «Кб примерно равна
скорости изменения ик, и так как duK — RKdiK, diK= — т'а
ур-иие (2.54) можно записать
dQ |
Q = |
|
(2.54а) |
lö |
dt + |
TS(6, |
№ |
||
где |
|
|
|
'4(0) |
=xß + |
ßCK/?K |
(2-546) |
|
— dQ, то
Ч
Поделив |
последнее равенство на |
ß, найдем |
та экв ~ та + CKRK. |
В этих формулах под Ск пони |
|
мают усредненное по диапазону |
|
изменения коллекторного напря |
|
жения значение коллекторной ем |
|
кости. |
|
Из ур-ния (2.54а) следует, что |
|
учет влияния С„ сводится к тому, |
|
что в ф-лах (2.51) — (2.53) вместо |
постоянных времени тр или тя в показателе экспоненты появляется эквивалентная постоянная Т р экв или т НЭкв-
Длительность включения
Пусть в исходном состоянии ключ (рис. 2.13) выключен, тран зистор заперт некоторым обратным напряжением «бзЕсли прене бречь неуправляемым тепловым током До. то.заряд в базе Q0= 0.
При подаче на вход ключа отпирающего перепада напряжения (положительного в случае транзистора п-р-п-типа и отрицатель ного в случае р-п-р-типа) эмиттерный переход получит прямое сме
щение и через базу будет протекать постоянный ток / б , величина которого определяется величинами входного напряжения и
4! |
99 |