Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Туровский Я. Техническая электродинамика

.pdf
Скачиваний:
100
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.82 Mб
Скачать

Подробные методы и формулы для расчета индуктивностей лобо­

вых соединений даны в (Л. 5-1, 5-6, 5-7].

на концах

Другой случай исследования влияния замкнутого

воздушного зазора на картину поля приведен в § 6-4.

Различные

В л и я н и е к о н с т р у к ц и о н н ы х э л е м е н т о в .

стальные крепящие элементы электрических машин и трансформато­ ров, а также конструкционные детали аппаратов, распределительных

 

а)

 

 

б)

 

 

 

Рис.

5-28. Зеркальное

изображение

Рис. 5-29. Зеркальное

лобовых соединений в стальной пли­

изображение

тока

те

с бесконечной

проницаемостью

в

стальной

балке

в воздушном

зазоре

[Л. 5-7].

[Л. 5-7].

 

а — однослойная

обмотка;

б — двухслой ­

 

 

 

ная

обмотка .

 

 

 

 

 

 

устройств и т. п. имеют обычно форму относительно узких металли­ ческих полос. В этом случае поле вблизи проводника с током можно определить, замещая стальной пояс полузамкнутым бесконечным контуром, показанным на рис. 5-29 пунктирной линией.

Когда проницаемость стали имеет конечное значение, можно пользоваться (5-2) и (5-2а). Вопрос точного учета реакции вихре­ вых токов при переменных токах остается открытым, и их влияние пока можно учитывать только приблизительно (§ 5-2).

5-7. РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПОВЕРХНОСТИ РАЗДЕЛА ДВУХ СРЕД МЕТОДОМ НАЛОЖЕНИЯ ВЕКТОРНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ

Метод будет проиллюстрирован [Л. 5-19] на примере расчета поля

проводников с током, расположенных

вблизи экранированной сталь­

ной поверхности (рис. 5-30). Рассмотрим сначала

один

проводник

с током i—Im sin (at, расположенный

в области /

(воздух

либо ди­

электрик). Среда // образует магнитный экран, составленный из по­ лос электротехнической стали, расположенных ребром к поверхности

/// и перпендикулярно оси проводника. Среда III является массив­ ным стальным полупространством с постоянной проницаемостью р. Можно, следовательно, принять yi=yn = 0-

300

Векторный магнитный потенциал, определяемый (2-63) B = rotA, удовлетворяет (2-64)

V2 A = —(jj,

(5-35)

которое в области диэлектрика / и идеального стального экрана // приобретает вид:

V2 A=0.

(5-36)

Для сплошной проводящей среды /// справедливо (2-66), кото­ рое для переменного синусоидального тока приобретает вид:

 

V2 A = a2 A.

(5-37)

рис.

Переходя

к

задаче из

5-30, можно составить

три

скалярных

дифференциаль­

ных

уравнения

для

отдельных

сред

(причем Ay=Az=0,

АХ

идА/дх=0):

для диэлектрика / соглас­ но (5-36)

дЫ1/ду2

+ д2А,/дг2 = 0; (5-38)

для

экрана //

 

д2Аи1ду2

+ д2Аи1дг2

= 0;

 

 

 

(5-39)

для

массивного

полупро­

странства ///

согласно

(5-37)

<ЭМ/ „/^2 + д2Л„,/аг2 =

 

 

 

= cA4X J J ,

 

(5-40)

 

 

 

 

 

 

где Ai,

An,

Aju

— векторные

Рис.

5-30.

Расчет

поля

параллель­

магнитные

потенциалы

от од­

ного из

проводников

соответ­

ных

проводников

с током, распо­

ственно

в

диэлектрике,

экране

ложенных

вблизи

экранированной

и

массивной

стали:

 

 

поверхности.

 

 

 

 

a =

|//tofxm Yn l

= (1 +j)k,

й =

]/"со|л.ш тш /2.

(5-41)

 

Положим, что потенциал А, в диэлектрике состоит из двух ос­

новных членов, т. е.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A^AJO+AIW,

 

 

 

 

(5-42)

где А;0

— магнитный

векторный потенциал,

образованный

током / т =

=

fme,wt

 

и

его

полным положительным

зеркальным изображением

в

идеальном

непроводящем ферромагнетике

(рис. 5-31);

A!W—до­

бавочный член, появившийся в результате искажающего действия

реакции вихревых токов и насыщения стали

на поле в диэлектрике.

 

В е к т о р н ы й п о т е н ц и а л о д н о г о п р о в о д н и к а на

р а с с т о я н и и

а

(рис. 5-30).

Векторный

потенциал

уединенного

бесконечно

длинного

и

бесконечно тонкого

прямолинейного провод-

301

ника определяют

по (2-67а)

согласно рис. 5-32:

 

[j.

С

 

(J.J

+СО

 

 

idl

С

dx

 

4 л

i

r

4 7 1

J Vx2+y2

+ \a-\-z)2

 

 

 

 

 

—oo

 

 

 

 

 

In

Уу2 + (а + г)2,

(5-43)

откуда максимальное значение комплексного векторного потенциала Л/о Для обоих проводников (действительного и его изображения — рис. 5-32) с тем же направлением тока приобретает вид:

А=-Ц^^{[У2

+ (а + гУ]\у24-(1-

z)2}}.

(5-44)

Выражение (5-44) удовлетворяет уравнению Лапласа (5-36).

Рис. 5-31. Полное положительное (М= + 1) зеркальное изображение.

Ввиду симметрии

всей системы

относительно оси OZ (рис. 5-32)

искажающее поле

AIW

должно быть четной функцией по отноше­

нию к переменной

у.

Благодаря

этому для любой п-й

гармо­

I '

 

ники

пространственного распределе-

 

пия векторного потенциала

можно

 

 

предвидеть решения в виде

функции

ЛУ

Ja+z9— о

а

Aiwn=fn(z)

cos Хпу,

(5-45)

гс=0, 1, 2, 3, ..., со.

Вводя (5-45) в (5-38), получаем:

}"n(z)~ Xnfn(z)=0. (5-46)

Решением этого уравнения яв- ляется функция

U ( 2 ) = С „ Л 2 + DJ- > " z . (5-47)

Возвраащясь к (5-45), можно, следовательно, написать:

Рис. 5-32.

К определению

Aiwn = (cne'nZ + Dne~Xn* ) cos\n y.

векторного

потенциала

(5-48)

уединенного

проводника,

 

302 '

Общее решение (5-38) для векторного потенциала AjW

является

суммой особенных решений

(5-48) для отдельных гармоник

 

 

00

 

Аш

= £ А!Тп.

(5-49)

 

п—О

 

Так как постоянная X может приобретать любые значения, более общее решение для линейных систем получаем, учитывая полный спектр периодического распределения в виде интеграла

 

 

 

оо

 

 

 

 

 

 

 

AIW

=

j

[С (X) elx - f D (X) e~lz] cos XydX.

 

(5-50)

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

В области

диэлектрика

переменная

заключается

в

интервале

— о о < г ^ 0 . Так

как при х*•—оо

значение векторного

потенциала

AJW

не может возрастать до бесконечности, следовательно,

D(X)=Q.

 

Таким образом,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

00

 

 

 

 

 

 

 

 

AIW

=

j С {X)

cos XydX.

 

(5-51)

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

Окончательное

выражение векторного

потенциала в диэлектрике

с учетом (5-42)

и (5-44)

приобретает вид:

 

 

 

 

А1 = —

 

 

In {[у* + (а + Z)«] [у* + (я - z)*]} +

 

 

 

 

 

 

00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

(X)elz

cos XydX.

 

(5-52)

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

Рассуждая

аналогично,

можно

для

непроводящего

экрана на­

писать следующее

выражение для векторного потенциала:

 

 

 

 

00

 

 

 

 

 

 

 

Ац

= Jо [Е (X) e^ + F (X) e~Xz] cos XydX.

 

(5-53)

 

В области / / /

таким же образом получаем:

 

 

 

 

 

 

 

со

 

 

 

 

 

 

 

Аш

=

j G (X) е~ г

>•'+** cos XydX.

 

(5-54)

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

Составляющие напряженности магнитного поля для отдельных сред /, И, III определяют на основании уравнений

1 д А

1 дА

 

н*—*ду-'

н « = -у<>г-

(5-55>

Постоянные С(Х), Е(Х), F(X) и G{X) определяют на основании граничных условий:

HoHrz = \iiiHIIZ,

HIV=HIIy

для 2=0;

\х.цНiiz^ykiiiHniz,

Ииу = Нц

для z—d.

303

В результате преобразований получим [Л. 5-19]:

С(Х) =

п + гё~2<Гк

 

E(V=—n

K-ц/»

r(n—l)

 

п -j- re

 

 

 

 

 

F(X)

= PiI An

 

 

П~

 

 

 

2n

 

n

re

 

 

 

 

 

где

VnJ2nm

; ( л — l ),—2dX( r + l )

 

+e-(a+d>X

 

Г = ( ц ш Х -

l * n

+

a»)/((X,nX +

е—а\

^ ' 1

e-(a+2d)\

+Vl*~+^4

{ i n /Х* + «»);

Я=(цо + Циг)/(Ц1/—Цо).

(5-56)

(5-57)

(5-58)

(5-59)

(5-60) (5-61)

В результате подстановки (5-56) — (5-61) в (5-52) — (5-54) полу­ чаем следующие выражения для векторного потенциала уединенного бесконечного длинного проводника, расположенного вблизи экрани­

рованной стены:

 

/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для диэлектрика

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4тс

In у*+

 

{а-г)*

 

 

 

 

 

 

 

-(а—г) X

 

t _|_

 

—2d\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

те

 

 

2тс

(

 

 

 

 

 

 

 

n +

re

_ 2 d \ c o s

(5-62)

для

магнитного

экрана

(шунта)

/ /

 

 

 

 

 

 

Рп7 '

• ( л - 1 )

 

 

 

 

 

 

 

1

п

2п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°S

 

в - (а+г)> .

 

 

 

"I

(5-63)

 

 

+ J х

( л + г ^ )

 

 

» й

 

 

И

>

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

J

 

для

массивного

стального

полупространства / / /

 

 

 

Л Ш

-

2гс

 

(

n

- l

) j - - L ± i _ V

 

 

 

 

,-(a+d)\\

 

 

+ V\'+

a'

(d—Z)

 

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

• cos XydX.

(5-64)

304

Суперпозиция

полей

двух проводников

(рис.

5-30). Векторный

потенциал,

создаваемый

проводником

с током — 1 т на расстоянии Ь

(рис. 5-30)

от поверхности экрана,

можно

определить, подставляя

в (5-62)—'(5-64)

значение тока — 1т

вместо

+1т

и Ь вместо а. Век­

торный потенциал системы двух проводников ввиду принятой линей­ ности трех рассматриваемых сред является результатом суперпо­ зиции (наложения) векторных потенциалов отдельных проводников.

Таким образом, для поля двух проводников

(рис. 5-30)

получаем

[Л. 5-19]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для области диэлектрика

/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

-

 

ЬЬи. ,

 

У2

+

(а +

г)2

y* +

 

 

(b-zy

 

 

 

Л Г,2 -

 

4Л

 

г/2

+

(6 +

г)2

г / 2 +

(я —г)2 "*"

 

 

П Ъ Г ( П ~ ^ )

 

 

X

 

 

п +

гв~ш

С 0

5

Х у с 1 К

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(5-65)

для

области

магнитного

экрана (шунта)

 

/ /

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 (п +

ге~ш)

 

X

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

е—(a+2d-z)\

_ e

— (b+2d-z)

X

 

 

 

COS Ху dX]-\-

 

 

X

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 0

, , - ( a + z ) X

 

„ - ( f t + z ) X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

j

x (,. +

« - * * > —

c o s X

y d

X

 

:

 

( 5 " 6 6 )

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•1'

 

 

для

области

массивной

стальной плиты

/ / /

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

 

 

ОО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л ш . 2 = 2тс

 

( " - O J

л + г

в

- М Х

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e — (a+d )

X + ( d - z )

V^X»+ a» _

е

(Ь+d)

X + ( d - z ) ^ Х Ч ^ "

 

 

X

 

 

 

х

 

 

 

 

 

 

 

 

 

c o s

tyd)*:

(5-67)

Соответствующие составляющие напряженности магнитного поля находят, подставляя выражения Ai,i\ Лц,2 ; Л и ц в (5-55).

Подобным образом можно решать и другие задачи. Ввиду до­ статочной сложности полученных формул их обычно решают в окон­ чательном виде с помощью ЭЦВМ.

20—346

305

ГЛАВА ШЕСТАЯ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ С ПОСТОЯННОЙ МАГНИТНОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

6-1. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МНОГОКРАТНЫХ ОТРАЖЕНИИ ВОЛНЫ

В § 4-3 приведен метод расчета электромагнитного поля внутри металлических стенок и листов, основанный на анализе многократных отражений электромагнитной волны. С помощью этого метода в § 4-4 были рассчита­ ны активная и реактивная мощности, рассеиваемые в стенках и экранах, в § 4-9 — коэффициенты потерь мощности цилиндрического экрана и в § 5-5 — сопротив­ ление проводников ротора асинхронного глубокопазного двигателя. Другие примеры применения этого метода будут приведены ниже.

6-2. ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКАЯ ЛИСТОВАЯ СТАЛЬ

Одной из основных проблем в электрических машинах и трансформаторах является соответствующий выбор тол­ щины листа электротехнической стали в зависимости от ее свойств, частоты и т. д. Уменьшение толщины дает уменьшение потерь мощности от вихревых токов и более равномерное распределение индукции в сечении листа, благодаря чему улучшается использование материала. Но одновременно с этим уменьшение толщины листа вы­ зывает увеличение трудоемкости при сборке магнитопровода и шихтовке ярм трансформатора, а также уменьшение коэффициента заполнения сечения магнитопровода сталью ai (коэффициент изоляции).

К о э ф ф и ц и е н т и з о л я ц и и щ. Мерой

заполнения

магнитопровода

является

коэффициент

изоляции

ai=(d—d')ld=\(kd—ka")l{kd),

 

(6-1)

где d — толщина

листа;

d' — толщина

междулистовой

изоляции.

 

 

 

 

Коэффициент k (2-47) оценим для индукций, приме­

няемых в трансформаторах:

 

 

для горячекатаной стали при магнитных

индукциях

1,45—1,5 Т, относительной

проницаемости |хг = 680ч-530

306

(рис. 1-19) и удельной проводимости у=1>7-106 См/м, мо=0,4 л - 10~~6 Г/м имеем:

k = [/IDHY /2 =

= К2и-50(680ч-530).0,411 • 10-e -1,7- Юв /2=(478--422) 1/м;

для холоднокатаной стали (гиперсил) при индукциях

1,65—1,7 Т (хг = 1 640^-840 [Л.

1-6],

а

также

при

у =

= 2 • 10е См/м

коэффициент

k= (805^577)

1/м.

 

 

Так как a"<^d, не сделаем

существенной

ошибки,

принимая при этом члене в

(6-1)

среднее

значение

/г^бОО

l / M =

const (независимо

от свойств материала и

насыщения).

Принимая,

кроме

того,

постоянное

зна­

чение

толщины изоляционного

слоя

d' = 0,035 мм

(ла­

ковая изоляция листов толщиной d=0,35-^0,5 мм), получаем:

 

 

 

 

 

а {

« (М—0,021

)l{kd).

 

(6-2)

 

К о э ф ф и ц и е н т

 

в ы т е с н е н и я

м а г н и т н о г о

п о т о к а

as.

Исследования

различных авторов пока­

зали [Л. 6-13], что распреде­

 

 

 

 

ление

напряженности

маг­

 

 

 

 

нитного поля в сечении ли­

 

 

 

 

ста

при

переменной

прони­

 

 

 

 

цаемости

незначительно

от­

 

 

 

 

личается

от

распределения,

 

 

 

 

полученного

классическим

 

 

 

 

методом

при

ц = (.i3aM=cons/

 

 

 

 

[Л.

1-28]

(цзам

проницае­

 

 

 

 

мость

замещения,

линеари­

 

 

 

 

зующая

нелинейную

среду).

 

 

 

 

Можно, следовательно

поль­

 

 

 

 

зоваться (4-29), дающей ре­

 

 

 

 

зультирующее

 

распределе­

 

 

 

 

ние максимального

значения

 

 

 

 

напряженности

магнитного

 

 

 

 

поля

внутри

листа

вдоль

Рис. 6-1

Распределение

маг-

оси

Ог

 

(рис.

6-1).

На

 

рис.

нитного

поля внутри

ли-

6-1 и в

формуле

(4-29)

фигу­

ста

электротехнической

стали

рируют модули векторов

Н т

[Л.

6-14].

 

 

и В т , так как в магнитопроводе эти векторы имеют прак­ тически только одну составляющую. Интегрируя (4-29),

20*

307

получаем:

ch a (4-;

Hm(z) = Hn

ad

 

 

ch —

в пределах от нуля до d получим комплексный макси­ мальный поток в листе на единицу длины:

Ф„

о

Bm(z)dz —

с п 52

оl c h a ( r — Z I rfz —

 

 

 

2 ц . / / т .

S h ~2~

(6-3)

 

 

 

 

 

ch

Учитывая согласно (2-47), что a = ( l - f / ) & после пре­ образований получаем временной модуль потока

 

 

 

 

 

 

V 2 f*

Г

 

Ы

 

 

kd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ch

 

 

cos kd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

chfed+ cos

 

 

 

 

 

 

При

равномерном

распределении

поля

поток

выра­

жался

бы

формулой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фтоо= м*Ят £ Д

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент вытеснения магнитного потока в ре­

зультате

эффекта

вытеснения

составляет,

следователь­

 

>,2

 

 

 

 

 

 

но

(рис.

 

6-2),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ая = Фж

 

 

 

 

0,8

 

 

 

 

 

 

 

kd

V

 

 

ch kd — cos kd

^

^

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ch kd + cos kd(

 

o,s

 

 

 

 

 

 

 

Если

 

гиперболические

и

 

OS

 

 

 

 

 

 

тригонометрические

 

функ­

и

 

 

 

 

 

 

ции в

(6-4)

разложить

в

ря­

El

6

 

 

 

 

 

 

ды, положить Ы - С 1 и учесть

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~kd

только два первых члена

ря­

 

 

 

 

 

 

 

 

О

 

 

 

 

 

дов, то получим as=l.

При

 

 

Z

4

6

8

10 12

Рис. 6-2. Коэффициент вытеснения

kd>3

коэффициент

as

стре­

мится

к

 

Y~2/(kd)

(гипербо­

переменного

магнитного

потока

 

в сечении

листа

а,

[Л. 6-14].

 

ла) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

308

Р е з у л ь т и р у ю щ и й

к о э ф ф и ц и е н т

и с п о л ь .

з о в а н и я с е ч е н и я

м а г н и т о п р о в о д а

aw.

Ре­

зультирующий коэффициент использования сечения маг-

нитопровода

aw

является произведением

коэффициентов

йг и as:

 

kd — 0,021

ЛГ\ch kd — cos kd

 

 

а ^ У 2

 

 

(kdf""

уV

-chkd + coskd

 

 

График коэффициента

использования

aw

(рис.

6-3,

кривая / ) имеет максимум

при

М = 0 , 7 5 , который

со­

ставляет 0,97.

 

 

 

 

 

 

Согласно

исследованиям

автора [Л. 2-20,

6-14]

учет

изменения проницаемости вызывает смещение этого графика влево (кривая 2). Остро выступающий экстре­

мум

кривой

aw

отчетливо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

определяет

область

наи­

 

ко

 

 

 

 

 

 

 

 

более

эффективной

тол­

,

0,9//

т

т

 

 

 

 

щины

листа

с

точки

зре­

 

 

 

 

;

о,8

I[

\\

 

 

 

COnSt

ния

использования

сече­

+ 0,7

 

V [JL=fJ.

=

 

ния.

 

Из

рис.

6-3

для

Г*

 

 

I

 

 

\

 

 

 

а ш ^ 0 , 9 получаем:

 

II

°>6

 

 

\

 

 

 

0 , 1 5 < Ы О П т < 1 , 1 ,

(6-6)

г* 0,5

 

I

 

 

\

 

 

 

 

 

 

I

 

 

V

 

 

 

что

соответствует толщи­

та

'

 

 

 

\

\

 

^0,3

 

 

 

 

 

 

не

горячекатаной

стали

 

0,2

 

 

 

 

 

•ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(6^440

1/м)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

: —

 

 

 

 

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,34

мм<с ?опт<2,5

мм

 

 

 

 

 

 

 

kd

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2 3 * 5 6 7 8 9

 

 

 

 

 

 

(6-7)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.

6-3.

 

Коэффициент

использо­

и для

 

холоднокатаной

 

стали

(/г«700

1/м)

 

вания

 

сечения магнитопровода аю

 

[Л.

6-14].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,25

м м < ('/о0

п т < 1,58

 

мм.

 

 

(6-8)

Как вытекает из вышеприведенных выражений, коэф­ фициент использования сечения магнитопровода оказы­ вается достаточно высоким даже для значительной тол­ щины листа. Наиболее приемлемой с точки зрения маг­ нитной проводимости магнитопровода является для го­ рячекатаной стали толщина около 1 мм и для холодно­ катаной стали около 0,7 мм (рис. 6-3).

Г и с т е р

е з и с н ы е

п о т е р и .

В настоящее

время

нет простых

и точных

формул для

гистерезисных

потерь,

охватывающих весь диапазон индукции. Поэтому рас­ четы проведем здесь приближенно, пользуясь формулой Рихтера [Л. 1-6] для электротехнической стали. Со-

309

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ