7. Проектування гібридних тонкоплівкових мікросхем

1. Вибір принципової схеми – з міркування виконання нею необхідних функцій, яка могла б бути легко виготовлена в плівковій формі з найменшим браком.

Для цього аналізують можливі варіанти схеми з точки зору:

1. Наявності мінімального числа номіналів і типів активних навісних елементів

2. Мінімального числа (високоточних) прецензійних елементів (щоб забезпечити високий вихід придатних схем з низькою вартістю)

3. Мінімальної потужності розсіювання для резисторів

4. Мінімальної робочої напруги для конденсаторів

Після вивчення всіх варіантів принципових схем уніфікованого ряду вибирається елементарна комірка, що повторюється в більшості схем, з максимальним коефіцієнтом заповнення (з врахуванням вищевикладених вимог)

Конструктивний розрахунок доцільно починати з вибору матеріалу підкладки:

2. Вибір підкладки –

Дослідження показали, що структура плівок залежить від мікрорельєфу матеріалу підкладки – так як грубий мікрорельєф підкладки може змінювати швидкість осадження атомів на підкладці; число центрів кристалізації, що утворюються; розміри кристалів можуть змінюватися, в результаті змінюється електричний опір плівки (буде відмінне від вихідного в розрахунку опору даного металу)

Підкладки.

ℓ	4	6	12	16	16	20	24	30	48	60	96	120	Відхилення ±0,3мм
b	2,5	5	10	10	12	16	20	24	30	48	60	96

δ=0,6; 1,0; 1,6 мм ±0,1мм

Основний розмір 60×48 – 32 схеми 16×5 – за один технологічний цикл.

Розмір підкладки вибирають виходячи з максимальної щільності упаковки і допустимої потужності розсіювання.

Основа конструкції

Підкладки ГІС явл. діелектричною і механічною основою для розташування плівкових і навісних елементів і служить для тепловідводу.

Для малопотужних ГІС можна застосовувати безлужне боросилікатне скло С41-1, С48-3, а також ситали. В порівнянні з ситалами стекла мають більш низьку теплопровідність, що не дозволяє використовувати їх при підвищених рівнях потужності . Ситал має ряд переваг перед стеклами. Він добре обробляється, витримує різкі перепади температури, має високий діелектричний опір, газонепроникний і по механічній міцності в 2-3 рази міцніше за скло. Для потужних ГІС застосовують кераміку, полікор, а для особливо потужних берилієву кераміку, що має дуже високу теплопровідність (210).

Недоліком кераміки є значна шорсткість поверхні, що утрудняє здобуття відтворних номіналів тонкоплівкових мікросхем, тому кераміку 22ХС використовують тільки для товстоплівкових ГІС; підвищення ж класу чистоти обробки поверхні шляхом глазурування кераміки шаром безлужного скла, призводить до значного зменшення теплопровідності.

У випадках, коли потрібно забезпечити макс. тепловідвід, високу механічну міцність, жорсткість конструкції, застосовують металеві підкладки: Al підкладки покриті шаром анодного оксиду, або емальовані скляні підкладки.

Габаритні розміри підкладок стандартизовані. Звичайно на одній стандартній підкладці груповим методом виготовляють декілька ГІС. (платою називається частина підкладки з розташованими на її поверхні плівковими елементами одної ГІС). Поділ стандартної підкладки на частини кратні двом, трьом і т.д. дає ряд типорозмірів наведених у таблиці:

№ типорозміру	Розмір		№ типорозміру	Розмір
	ширина	довжина		ширина	довжина
1	96	120	11	5	6
2	60	96	12	2,5	4
3	48	60	13	16	60
4	30	48	14	32	60
5	24	30	15	8	15
6	20	24	16	8	10
7	16	20	17	24	60
8	12	16	18	15	48
9	10	16	19	20	45
10	10	12

Товщина підкладок 0,35; 0,6; 1. допуски на розміри підкладок 0,1-0,3.

Плати №3-10 використовуються в стандартних корпусах, сталевих і безкорпусних ГІС і мікрозборках.

Вимоги до матеріалу підкладки:

• Висока механічна міцність при малих товщинах

• Малі діелектричні втрати (tgδ)

• Високі питомі опори (ρ_V і ρ_S)

• Хімічна інертність по відношенню до напилюваних на її поверхню речовин

• Термічна стійкість при температурах 400...500ºС.

• Малий темп. коеф. термічного розширення (узгодження з матеріалами напилюваних плівок)

• Відсутність газовиділень у вакуумі

• Висока чистота поверхні (до 14 класу по ГОСТ 2789-59)

Таблиця - Електричні параметри можливих підкладок

Параметри	Боросилікатне скло		Ситал СТ50-1	Плавлений кварц	Кераміка
	С41-1	С48-3			22ХС	глазурована	Полікор	99,5BeO
Щільність, см3	—	2,2...2,7	2,5...2,7	3,2	3,8	2,2...2,7	—	2,0
Водопоглинання, кг/см3	0	0	0	0	0,05	0	—	0
ТКℓ, 10-7·1/ºС	41	482	502	55	605	705	705	70
Пит. теплопровідність, ккал/см·с·ºС	—	2...3,2	3,4	3,1	2,0	6,0...9,0	7,7	5,1
Е, при f=106Гц t=20º	7,5	6,8	8,5	3,8	10,3	13...16	10,5	6,4-9,5
tgδ f=106Гц t=20º	0,002	0,0015	0,002	—	0,0006	0,0017	0,001	0,0016
Епр, кВ/мм	40	40	40	—	50	50	—	—
Клас чистоти	14	14	13...14	14	12	14	14	14

Матеріали провідників і контактних площадок

Провідники та контактні площадки повинні мати малий питомий опір, хорошу адгезію до підкладки, високу корозійну стійкість. Найпоширенішим матеріалом тонкоплівкових провідників є золото з підшаром Cr, NiCr, або Ti; підшар забезпечує високу адгезію, золото – високу провідність і корозійну стійкість, можливість паяння та зварювання. Товщина золота 0,5-1 мкм.

В апаратурі з менш жорсткими вимогами до надійності в якості провідників використовують плівки міді або Al з підшаром Cr, NiCr, або Ti. Для запобігання окислення міді або поліпшення умов паяння або зварювання її покривають Ni, золотом або сріблом. Для паяння мідні контактні майданчики лудяться припоєм, при цьому інші плівкові елементи повинні бути захищені.

Al може використовуватися як з захисним покриттям Ni для зварювання, так і без нього (в першому випадку під’єднання навісних елементів паянням, а в другому зварюванням)

Товщина мідних і Al провідників ≈1мкм.

Товщина Ni покриття соті долі мікрон

Матеріал підшару, шару та покриття	Товщина шару, мкм	Питомий опір поверхні ρS, Ом/□	Спосіб забезпечення конт. з зовн. виводами
Підшар-Ni; шар золото	0,01 – 0,03 0,6 – 0,8	0,03 – 0,05	Паяння
Підшар-NiCr; шар-мідьМВ-Ni	0,01 – 0,03 0,6 – 0,8 0,08 – 0,12	0,02 – 0,04	Зварювання імпульсне побічного нагріву
Підшар-NiCr; шар-мідьМВ; покриття-золото 999,9	0,01 – 0,03 0,6 – 0,8 0,05 – 0,5	0,02 – 0,04	Паяння мікропаяльником або імп. звар. побічн. нагріву
Підшар-NiCr; шар-Al 97	0,01 – 0,03 0,3 – 0,5	0,06 – 1	Зварювання здвоєним електродом
Підшар-NiCr; шар-Al 99; покриття-Ni	0,04 – 0,05 0,25 – 0,35 0,05	0,1 – 0,2	Зварювання імпульсне побічного нагріву

Матеріали резисторів

Параметри тонкоплівкових резисторів визначаються

• властивостями застосовуваних резистивних матеріалів;

• товщиною резистивної плівки;

• умовами її формування.

Для створення ГИС необхідні резистивні плівки з питомим поверхневим опором від десятків до десятків тисяч Ом на квадрат. Чим менше товщина плівки, тим вище ρ_S, але тим вище ТК_R, погіршується часова і температурна стабільність плівок.

В якості резистивних матеріалів застосовують чисті метали та сплави з високим електричним опором, а також спеціальні резистивні матеріали: Ta, Ti, Cr, Ni, кермети (Cr+SiO₂)

Матеріал	R□	Ном. R, Ом	P0,	ТКR
NiCr Х20Н80 ГОСТ 12766-67	300	50÷30000	0,5	1·10-4
NiCr ГОСТ 880358	10	1÷10000	2	– 2,25∙10-4
	50	5÷50000
МЛТ-3М бКО.028.005 ТУ	500	50÷50000	2	2∙10-4
Cr ГОСТ 5905-67	500	50÷30000	1	0,6∙10-4
Кермет К-50С ЕТО.021013 ТУ	3000 5000 10000	1000÷10000 500÷200000 10000÷10000000	2	3∙10-4 –4∙10-4 –5∙10-4
Тантал; стрічка товщ. 0,3-3 мм РЕТУ 1244-67	20100 100 10	100÷10000 50÷100000 10÷15000	3	–2∙10-4
Сплав РС-3001 ЕТО.021.019 ТУ	1000 2000	100÷50000 200÷100000	2	–0,2∙10-4
Сплав РС-3710 ЕТО.021.034 ТУ	3000	1000÷200000		–3∙10-4

Матеріали конденсаторів

Обкладання конденсаторів повинні мати високу провідність, корозійну стійкість, технологічну сумісність з матеріалом підкладки і діелектрика, хорошу адгезію до підкладки, високу механічну міцність.

Найкращими матеріалами для обкладань конденсаторів є алюміній, який, однак, має погану адгезію до підкладки. Для запобігання відшаровування напилюється підшар з Ti і V (титан і ?ванадий?). Верхня обкладка напилюється без підшару. Вживання золота не рекомендується для обкладок через високу рухливість атомів, і можливої дифузії наскрізь діелектрика, що приводить до короткого замикання.

Матеріал діелектрика повинен мати хорошу адгезію до матеріалів обкладок; володіти високою електричною міцністю, малими втратами, мати високу (діелектричну проникність), мінімальну гігроскопічність. Найбільш часто застосовуються SiO, GeO.

Таблиця – Матеріали конденсаторів

Діелектрики	Обкладок	ρS, Ом/□	С0, пФ/см2	Uр., В	fр. не <, МГц
Моноокис кремнію ГОСТ 5.634-70	Al А99 ГОСТ 11069-64	0,2	5000	60	300
			10000	30
Моноокис германію ГОСТ 19602-74			5000	10
			10000	7
			15000	5
Боросилікатне скло ЕТО.035.015 ТУ			2500	24
			5000	15
			10000	10
			15000	8
Скло електровакуумне С-1			15000	12,6
			20000	10 – 12,6
			30000	6,3 – 10
			40000	6,3
П’ятиокис танталу Ta2O5	Ta–нижня обкл. РЕТУ 1244-67	1-10	60000	15	0,1
			100000	10
	Al А99–верхня обкл.	0,2	200000	3

Розробка топології ІС

Топологією інтегральних мікросхем називають структуру та характер взаємозв’язку окремих її елементів.

Вихідні дані для розробки топології:

1. схема Е3

2. діапазон робочих частот

3. номінальні значення РЕ і допуски на них

4. величина напруг дж. живлення

5. величина потужності, що виділяється

6. допустимі падіння напруг на шинах та провідниках

7. величини допустимих паразитних ємностей, опорів, індукцій

8. число і тип дискретних елементів

9. допустимі непоєднання шарів

10. кількість зовнішніх виводів і виводів живлення

11. конструктивні вимоги

Порядок розробки топології

Задачею топологічного розрахунку ІС є визначення геометричних розмірів елементів, розміщення елементів принципової схеми на підкладці, оптимальне з погляду мінімальних паразитних зв'язків і рівномірного розподілу теплових навантажень і складання топологічного креслення.

Для визначення площі підкладки ІС необхідно знати площі пасивних елементів схеми, число і тип активних елементів.

Розрахунок геометричних розмірів пасивних елементів

Плівкові резистори отримують напиленням на підкладку смужок резистивного матеріалу різної конфігурації. Максимум опору плівкового резистора обмежується конструкцією ІС, а мінімум 10÷20 Ом.

При номіналах опорів до 5 кОм резистор має форму прямокутника

ℓв

При великих опорах може застосовуватися послідовне з'єднання декількох більш низькоомних резисторів

Або резистор виконується у вигляді меандру (прямокутного або закругленого)

;

де n – кількість ланок

В – ширина контуру

А – довжина контуру

S – мінімальне, якщо А=В

Геометричні розміри резисторів залежать від величини опорів і типу резистивного матеріалу, його питомого опору.

R_□ – питомий опір квадрату, який залежить від товщини плівки і питомого опору матеріалу.

Доведемо це:

R_□

Наприклад, для сплаву NiCr

δ R_□ Р_пит.

50 Ǻ 400 Ом/□

80 Ǻ 300 Ом/□ 0,5 Вт/см²

90 Ǻ 210 Ом/□

500 Ǻ 40 Ом/□

Величина R_□, як і Р₀ – питомої потужності розсіювання, ТК_С та ін. – це табличні дані, які є для різних типів матеріалів.

Основними матеріалами для резисторів є: хром, ніхром, сплав МЛТ-3, МЛТ-3М, тантал, титан, кермет (моноокис кремнію + Cr) та ін.

Вихідними даними для розрахунку, визначення геометричних розмірів резистора є:

R – задана величина опору (з розрахунку сх. ел.)

Р – розрахункове значення потужності розсіювання

Р₀ – максимальна питома потужність розсіювання для даного матеріалу

R_□ – опір квадрату плівки

а – мінімальна ширина плівки

ТОНКОПЛЕНОЧНИЄ ГІБРИДНІ ІНТЕГРАЛЬНІ МІКРОСХЕМИ

. МАТЕРІАЛИ

Матеріали для підкладок. Підкладка в конструкції гібридної інтегральної мікросхеми є підставою, на якій розташовуються плівкові елементи і навісні компоненти. Від її властивостей багато в чому залежить якість всієї конструкції.

Підкладки, що використовуються при виготовленні гібридних інтегральних мікросхем, повинні задовольняти наступним вимогам: мати значну механічну міцність при невеликій товщині; володіти високим питомим електричним опором і малими втратами на високих частотах -(tg 6) і при високій температурі; бути хімічно інертними до облягаючих речовин; не мати газовиділень у вакуумі; зберігати фізичну і хімічну стійкість при нагріванні до 400— 500 °З; мати температурний коефіцієнт лінійного розширення (ТКЛР), близький до ТКЛР облягаючих плівок; сприяти забезпеченню високої адгезії облягаючих плівок; мати гладку поверхню (Rz^0,l мкм на довжині 0,08 мм); володіти високою електричною міцністю; мати низьку вартість.

Основні еоектрофізичні і механічні властивості матеріалів, що використовуються для виготовлення підкладок гібридних ІМС, приведені в табл. 3.1.

Найширше застосування при створенні тонкопленочных гібридних ІМС знаходять підкладки з ситалла СТ 50-1, стекла З 48-3, «Полікора» і берилієвої кераміки. Промисловістю випускаються підкладки різних типоразмеров. Проте як базові переважно використовуються підкладки розміром 100X100 і 50X50 мм з скла і 48x60 мм — з ситалла і кераміки. Інші типорозмири підкладок виходять розподілом сторін базової підкладки на частини. Наприклад, для підкладок з ситалла як дільник частіше за все використовують цифри 2 і 3 або кратні им. По товщині найбільше розповсюдження отримали підкладки розміром 0,6; 1 і 1,6 мм В технічно обгрунтованих випадках застосовують і більш тонкі підкладки до 0,2 мм Матеріали для резисторів. Параметри тонкопленочных резисторів в першу чергу визначаються властивостями вживаних для їх виготовлення матеріалів. Подібні матеріали повинні забезпечувати: достатньо високий питомий опір формованих на їх основі резистивных плівок; високу стабільність опору тонкопленочных резисторів в часі і в широкому інтервалі температур; високу антикорозійну стійкість напилених плівок в умовах підвищеної вогкості; високу адгезію резистивных плівок до підкладки або до раніше напилених плівок; такий же ТКЛР плівок, як і ТКЛР матеріалу підкладки; стабільні властивості при напиленні на них плівок з інших матеріалів.

Еоектрофізичні характеристики матеріалів, вживаних для виготовлення тонкопленочных разисторов гібридних мікросхем, приведені в табл. 3.2.

Матеріали для плівкових провідників і контактних майданчиків. Провідники і контактні майданчики в гібридних ІМС гущавині всього виконують багатошаровими. При цьому для виготовлення провідного шару найбільш широко використовують наступні матеріали: алюміній А99 ГОСТ 11069—74; тантал ТВЧ ТУ 95.311—75; мідь вакуумної плавки MB ТУ 11 Яє 0.021.040—72; золото Зл. 999,9 ГОСТ 6835—72.

Для поліпшення адгезії струмопровідних матеріалів до підкладки напилюють підшаровуй. Як матеріал підшару використовують: хром ЕРХ ЧМТУ 5-30-70; нихром (дріт) Х20Н80 ГОСТ 12766—67; ванадій ТУ 48-4-373-76.

Як захист провідників і контактні майданчики від зовнішніх дій застосовують: ванадій ТУ 48-4-373-76; нікель ГОСТ 849—70; хром ЕРХ ЧМТУ 5-30-70; оловосодержащие сплави.

В технічно обгрунтованих випадках для захисту використовують золото Зл 3 ГОСТ 9791—68 або золото Зл. 999,9 ГОСТ 6835—72.

Еоектрофізичні характеристики деяких багатошарових систем, що застосовуються для виготовлення плівкових провідників і контактних майданчиків, приведені в табл. 3.3.

Матеріали для плівкових конденсаторів. Характеристики тонкопленочных конденсаторів залежать як від матеріалу діелектричного шару, так і від матеріалу обкладань.

Матеріал обладок конденсатора повинен задовольняти наступним вимогам: мати низький електричний опір (для високочастотних конденсаторів); володіти низькою рухливістю атомів; мати ТКЛР, рівний ТКЛР підкладки і діелектричного шару; мати добру адгезію як до підкладки, так і до раніше напилених плівок; володіти високою антикорозійною стійкістю в умовах агресивного середовища.

Для виготовлення обкладань конденсаторів частіше за все застосовуються наступні матеріали: алюміній А99 ГОСТ 11069—74; тантал ТВЧ ТУ 95.311—75; титан ВТ 1-0 ТУ 1-5-111—73.

Матеріали, вживані для виготовлення діелектричних шарів, повинні задовольняти наступним вимогам: мати високе значення діелектричної проникності; мінімальний температурний коефіцієнт місткості (ТКЕ); мінімальні втрати енергії на високій частоті (tg S); володіти високою вологостійкістю і теплостійкістю; забезпечувати напилення щільних і однорідних плівок; мати добру адгезію як до підкладки, так і до матеріалів обкладань; володіти високою електричною міцністю.

Еоектрофізичні характеристики матеріалів, вживаних для виготовлення діелектричних шарів, приведені в табл. 3.4.

Для виготовлення плівкових котушок індуктивності використовуються матеріали, еоектрофізичні характеристики яких приведені в табл. 3.5. Характеристики матеріалів, вживані для захисту плівкових елементів мікросхем, приведені в табл. 3.6.

Параметри інших матеріалів, які використовуються при виготовленні тонкопленочных гібридних ІМС, зокрема параметри матеріалів, призначених для захисту і герметизації мікросхем, висловлені в гл. 8.

Топологічне креслення

Топологічне креслення. Це документ, що визначає орієнтацію і взаємне розташування всіх елементів і компонентів мікросхеми на підкладці. Він регламентує форму і розміри плівкових елементів і з'єднання між ними. Даний документ зумовлює оптимальне розміщення елементів на підкладці і забезпечує виготовлення мікросхеми технічними і електричними параметрами. Топологічне креслення є основним документом, по якому можна оцінити можливий характер і величину паразитних зв'язків в мікросхемі, розрахувати її теплові режими.

Оскільки топологічне креслення відноситися до креслень деталей, то на його оформлення повною мірою розповсюджуються вимоги ГОСТ 2.109-73 (роздягнув «Креслення деталей»). Специфічні вимоги, що пред'являються до топологічних креслень, регламентуються ГОСТ 11 0.000.028-73.

Для достатньої наочності взаємного розташування елементів на підкладці топологічні креслення рекомендується виконувати в наступних масштабах:

гібридних інтегральних мікросхем – 5:1, 10:1, 20:1 і в інших масштабах збільшення, кратних десяти;

напівпровідникових інтегральних мікросхем – 100:1, 200:1 і кратних ста.

Для наочності допускається не витримувати масштаб при зображенні товщини шарів на топологічних кресленнях напівпровідникових мікросхем.

Топологічне креслення, як правило, виконується на декількох листах, причому на першому листі завжди зображається підкладка зі всіма нанесеними на неї шарами. Крім того, на цьому листі проводяться умовні позиційні позначення елементів відповідно до електричної принципової схеми, а також проставляються номери контактних майданчиків. Нумерація розташованих по контуру периферійних контактних майданчиків Нумерація розташованих по контуру периферійних контактних майданчиків починається з одного з кутів платні (переважно з лівого нижнього) і ведеться в напрямі, протилежному напряму руху годинникової стрілки. Характерний, що дана нумерація повинна відповідати нумерації аналогічних зовнішніх висновків електричної принципової схеми і складального креслення. Контактні майданчики, розташовані усередині контура, обмеженого периферійними контактними майданчиками, нумеруються черговими порядковими номерами. Обхід їх здійснюється в напрямі зверху вниз і зліва направо.

На подальших листах топологічного креслення поміщають пошарове зображення елементів окремо для кожного шару. У разі двостороннього розташування елементів на підкладці вигляд на одну з її сторін поміщається на другому листі топологічного креслення.

Іноді для зручності викреслювання елементів мікросхеми на топологічному кресленні використовується координатна сітка, яка може мати крок 0,01; 0,05; 0,1 або 0,2 мм При нанесенні координатної сітки вершини фігур елементів необхідно розташовувати в точках перетину ліній сітки.

Окрім основного вигляду, на першому листі топологічного креслення приводять технічні вимоги і таблиці, в яких поміщають дані про виготовлення окремих шарів і величини електричних параметрів елементів мікросхеми.

Технічні вимоги висловлюються в певній послідовності, приведеній нижче, і включають наступні пункти: вказівка про розміри для довідок; специфічні вимоги до виготовлення підкладки і вказівки про можливу заміну її матеріалу; вимоги до точності виготовлення плівкових елементів; вказівки про те, в якому масштабі задані координати елементів, якщо вони задані не у натуральну величину; вказівка про крок координатної сітки; дані про площу нанесених дорогоцінних матеріалів; вимоги до зовнішнього вигляду підкладки з нанесеними на неї плівковими елементами; посилання на таблицю в якій приведені характеристики і дані по

виготовленню окремих шарів і елементів; посилання на таблицю, в якій містяться вказівки по перевірці величин електричних параметрів елементів мікросхеми; вимоги до класу точності приладів, яким приведені координати вершин елементів, або посилання на документи, якщо таблиці координат випущені у вигляді самостійних документів (з шрифтом ТБ); вказівка про те, що координатна сітка, а також позначення контактних майданчиків і елементів є умовними

.

Таблиця, в якій наводяться дані по виготовленню окремих шарів, містить, як правило, наступні графи: «Умовне позначення шару», «Найменування шару», «Матеріал шару», «Електричні характеристики», «Метод нанесення шару» і ін. Кількість граф в даній таблиці і їх порядок нормативними документами не регламентуються.

Друга таблиця, яка наноситися на перший лист топологічного креслення, містить величини електричних параметрів плівкових елементів мікросхеми, одержуваних по даному кресленню. Обов'язковими графами в даній таблиці є наступні: «Точки вимірювання» і величина і бокові відхилення», що «Перевіряється. Допускається введення в таблицю і додаткових граф, наприклад: «Позиційне позначення», «Робоча напруга», «Коефіцієнт електричного навантаження» і ін., а також розбиття граф на частини. Для напівпровідникових інтегральних мікросхем таблиця електричних параметрів елементів має дещо іншу структуру і оформляється у вигляді окремого документа. В цю таблицю включаються наступні графи: «Найменування параметра», «Позначення», «Значення параметра», «Погрішність вимірювання», «Режим вимірювання» і «Примітка».

Штамп, що розташовується на топологічному кресленні, заповнюється відповідно до вимог ГОСТ 2.104-68. При цьому в графі, в якій указується найменування виробу, для гібридних інтегральних мікросхем записується найменування «Платня», а для напівпровідникових – «Кристал». Децимальний номер даного креслення має наступний вигляд: АБВГ 7.100.001 або АБВГ 7.107.001 – для гібридних мікросхем і

АБВГ 7.344.001 – для напівпровідникових мікросхем.

На перших листах топологічних креслень гібридних ІМС елементи кожного шару штрихують, причому вид штрихування розшифровують в таблиці, в якій наводяться дані по виготовленню цих шарів. Приклад виконання першого листа топологічного креслення гібридної ІМС показаний на мал. 2.3.

На перших листах топологічних креслень напівпровідникових ІМС поміщають також структуру кристала. При зображенні структури кристала з метою завдання розмірів елементів по товщині виконують складний східчастий резонанс, де січні площини, проходять через різні елементи кристала, суміщені в одну площину. Ліні перетину цього розділу на топологічному кресленні не наносять. Приклади виконання першого листа топологічного креслення напівпровідникової інтегральної мікросхеми показаний на мал. 2.4.

На подальших листах топологічного креслення наносять пошарове зображення елементів, причому над зображенням шару допускається поміщати напис, що характеризує елементи, що зображаються, наприклад «Вигляд на шар провідників і контактних майданчиків». Істотний вплив на оформлення креслення шару надає спосіб завдання розмірів елементів. Для цього в основному використовується спосіб завдання розмірів елементів. Для цього в основному використовується спосіб прямокутних координат. При способі завдання розмірів елементів їх вершини нумеруються абстрактними числами. Контур кожного елемента, починаючи з лівим нижнім кутом, обходять за годинниковою стрілкою. У разі високої густини розміщення елементів на підкладці і у зв'язку з відсутністю місця для вказівки номерів їх вершин дозволяється не проставляти окремі координати. Координати вершин елементів поміщаються в таблицю, яка, як правило, розташовується на кресленні шару. Проте таку таблицю допускається оформляти у вигляді окремого самостійного документа (з шифром ТБ). Приклад оформлення креслення шару показаний на мал. 2.5.

Складальне креслення мікросхеми виконується відповідно до вимог, пред'явлених до таких креслень ГОСТ 2.109-73 (роздягнув «Креслення складальні»), і вимогами, висловленими в ОСТІ 110.000.028-73, а також в ОСТІ 4 Г0.010.043.

На складальному кресленні мікросхеми показується стільки видів, розрізів і перетинів, скільки необхідно для повного уявлення про розташування і взаємний зв'язок її складових частин. Крім того, на такому кресленні виявляються розміри і бокові відхилення, які повинні бути витриманий або проконтрольований по даному кресленню. Указується також і характер з'єднання складових частин мікросхеми і способи його здійснення (зварка, паяння, склеювання і ін.). При цьому всі складові частини, що входять в мікросхему, на складальному кресленні нумеруються відповідно до номерів позицій, вказаних в специфікації. Номери позицій наносять на полицях ліній-винесень, що проводяться від зображень складових частин. Окрім графічного зображення конструкції мікросхеми, на складальному кресленні приводяться технічні вимоги, в яких повинні бути вказаний варіанти установки безкорпусних компонентів, допустиме відхилення місцерозташування підкладки щодо корпусу, вимоги технологічного порядку, вказівки про спосіб герметизації мікросхеми і ін.

Складальне креслення мікросхеми, як правило, повинне містити зображення встановленої в корпус платні з плівковими елементами і навісними компонентами. На основному виді складального креслення допускається зображати мікросхему із знятою

кришкою. Це робиться для того щоб показати розміри навісних компонентів на платні, а також з'єднання периферійних контактних майданчиків з висновком корпусу. Захисний шар на цьому вигляді дозволяється показувати непрозорим.

Штамп на складальному кресленні заповнюється відповідно до вимог

ГОСТ 2.104-68.

«Мікросхема.

Складальне креслення»

Після слова «Мікросхема» указують її умовне позначення у відповідності з ГОСТ 18682-72. Децимальний номер, привласнюваний складальному кресленню, має вигляд: АБВГ 3.ХХХ.ХХХ СБ або АБВГ 4.ХХХ.ХХХ СБ

Приклад виконання складального креслення гібридної інтегральної мікросхеми наведений на рис 2.6.

Специфікація. На кожну мікросхему складають специфікацію, в яку вносять її складові частини, а також конструкторські документи, що відносяться до даної мікросхеми. Специфікацію оформляють на спеціальних бланках відповідно до вимог ГОСТ 2.108-68. В загальному випадку специфікація складається з розділів, які розташовуються в викладеній нише послідовності: документація, комплекси, складальні одиниці, деталі, стандартні вироби, інші вироби, матеріали і комплекти.

ГОСТ 2.108-68 регламентує порядок заповнення кожного з перерахованих розділів. Так, в розділі «Документація» записують спочатку документи на виріб, що специфікується, а потім документи на складові частини, що не специфікуються. Документи в кожній частині записують в алфавітному порядку поєднання початкових знаків індексів організацій-розробників і далі в порядку зростання цифр, що входять в позначення. В межах кожного позначення запис ведуть в послідовності, вказаній в табл. 2.2.

Приклад оформлення специфікації на гібридну інтегральну мікросхему наведений на мал. 2.7.

Комплекси, складальні одиниці і деталі, безпосередньо що входять у виріб, що специфікується, вносять відповідно в розділи «Комплекси», «Складальні одиниці», «Деталі». При цьому запис вказаних виробів ведуть в алфавітному порядку поєднання початкових знаків індексів підприємств-розробників.

В розділі «Стандартні вироби» спочатку записують вироби, застосовані по державних, згодом за республіканськими, далі галузевими стандартами. На закінчення розділу записують вироби, які відповідають стандартам підприємств. В межах кожної категорії стандартів вироби записують по групах, з'єднаних по функціональній ознаці, в межах кожної групи — в алфавітному порядку найменувань виробів, в межах кожного найменування — в порядку зростання позначень стандартів, а в межах кожного позначення стандарту — а порядку зростання основних параметрів виробу.

В розділ «Інші вироби» вносять вироби, які застосовуються за технічних умов, каталогів, прейскурантів і т.п.

В розділі «Матеріали» спочатку записують чорні і кольорові метали, потім кабелі, дроти і шнури, далі пластмаси, паперові і текстильні матеріали. Далі записують лісоматеріали, гуму і шкіру, керамічні і скляні матеріали, лаки, фарби, хімікати. Матеріали, необхідна кількість яких не може бути визначений конструктором, в специфікацію не вносяться. До таких матеріалів відносяться: лаки, фарби, клей і ін. Вказівку про застосування подібних матеріалів дають в технічних вимогах на полі креслення.

В розділ «Комплекти» вносять відомість експлуатаційних документів, комплект монтажних, змінних і запасних частин, комплект інструменту і обладнань, комплект укладань, комплект тари і інші комплекти.

Інші, не розглянуті в справжньому розділі види конструкторських документів, які складаються на мікросхему на етапі розробки робочої документації, оформляють з дотриманням вимог відповідних державних і галузевих стандартів. Наприклад, габаритне креслення оформляють виходячи з вимог ГОСТ 2.109—73 (роздягнув «Креслення габаритні»), технічні умови — по ГОСТ 2.114—70, карту технічного рівня і якості продукції — по ГОСТ 2.116-—71 і т.д.