Умовні графічні позначення гост 2.730-73

1 транзистор типу р-n-p

2 транзистор типу n-p-n

3 лавинний транзистор n-p-n

4 транзистор однопереходний з n-базою

5 транзистор однопереходний з р-базою

6 транзистор з двома базовими виводами р-n-p

7 транзистор польовий з каналом n-типу

8 транзистор польовий з каналом p-типу

9 транзистор польовий з ізольованим затвором збагаченного типу з p-каналом

10 транзистор польовий з ізольованим затвором збагаченного типу з n-каналом

11 транзистор польовий з ізольованим затвором об’єднаним з p-каналом

12 транзистор польовий з ізольованим затвором об’єднаним з n –каналом.

Терміни, визначення та умовні позначення параметрів біполярних транзисторів (ГОСТ 2003 – 74)

Постійна напруга колектор-емітор Uке

Межова напруга біполярного транзистора Uке огр.

Постійна напруга колектор-емітер, при струмі бази равному нулю Uке0

Постійна напруга колектор-емитер, при опорі в ланцюгу база-емітер Uкеr

Постійна напруга колектор-емитер,при короткому замкнені в ланцюгу база-емітер Uкек

Напруга насищения колектор-емітер Uке нас

Постійна напруга колектор-база Uкб

Постійна напруга колектор-база, при струмі емітера равному нулю U кб0

Постійна напруга емітер-база.при струмі колектора равном нулю Uеб0

Постійний струм емітер Iе

Постійний струм колектора Iк

Импульсний струм колектора Iк,н

Постійний струм бази Iб

Зворотний струм колектор-емитер, при разомкнутом виводі бази I ке0

Зворотний струм колектор-емитер, при заданому опорі в колі база-емітор Iкеr

Максимально допустима під розсіяння потужність колектора Pk max

Максимально допустима під розсіяння потужність транзистора P max

Максимально допустима импульсна розсіемая потужність біполярного транзистора Pi max

Максимально допустима потужність живлення Uпит max.

Максимально допустима температура перехода Tп max

Максимально допустима температура корпуса Tк max

Максимально допустима температура навколишньої середи T max

Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора h21е

Емність колекторного переходу Cк

Емність емітерного переходу Cе

Время увімкнення біполярного транзистора t ув

Время вимкнення біполярного транзистора t вик

Гранична частота коефіціента передачі струму fгр.

Захист транзисторів від теплових пере навантажень необхідно забезпечувати не тільки в процесі експлутації , але і при монтажі .При луджені і пайці контактів приймати міри , запобігаючи нанесенню шкоди транзистору при нагріві .

Тому слід притримуватися правил :

• відстань від корпусу до місця луження повинна бути не менше 3мм , коли в ТВ на транзисторі не вказані інші умови ( наприклад 8мм ).

• при пайці треба встановити тепло відвід .

• коли пайка виконується без тепло відводу , то температура припою повинна бути <260⁰ , час пайки <3сек , коли другий час не встановлений в ТВ .

Захист транзисторів від пере навантажень .

Сучасні транзистори дозволяють створювати радіоелектронні пристрої , які володіють високими якісними показниками, та дозволяють високий ККД , і постійну готовність до роботи .

Разом з цим транзистори – дуже чуттєві до електричним пере навантаженням , які викликають локальний перегрів конструкції , приводять до необоротнім процесам в їй , і виведення з ладу транзистора .

Для виконання надійної роботи транзисторів необхідно змінювати міри , викликаючи довгочасні електричні навантаження , близькі до гранично дозволених :

Робочі режими транзисторів треба вибирати з коефіцієнтами навантаження по напрузі і потужності в межах 0,7...0,8 . Це досягається за допомогою паралельного (мал. 1) і послідовного (мал. 2) включення транзисторів .

мал. 1 мал. 2

мал.1 мал.2 мал.3

1. Схема захисту транзистору за допомогою стабілітрону .

2. Схема захисту базового кола за допомогою діода .

3.Комбінована схема захисту транзисторів (для широкополосних и ВЧ підсилювачів).

Для підвищення надійності :

• При паралельному включені транзисторів радиться розташовувати їх на спільному тепло відводі , це по-перше , і по друге в колі емітерів і баз включати резистори , які стабілізують роботу транзисторів за рахунок утворення заперечного зворотного зв’язку і зрівняні струмів .

• В схемах послідовного включення транзисторів радиться включення резисторів паралельно крім К-Е .

Можуть бути короткочасні пере навантаження , котрі можуть бути викликані : пере навантаженнями , які наводяться на елементах схеми чи з’являються в джерелах живлення. В генеруючи режимах роботи - короткочасні пере навантаження часто являються наслідком нестаціонарних процесів ... наявності в схемах індуктивності .

Для захисту транзисторів від пере навантажень наведеними зовнішніми джерелами і виникаючих в ланцюгах живлення, рекомендується використання швидкодіючих діодів , стабілітронів або спеціальних НП обмежувачів напруги , включених між К і Е (мал.1), Б і Е (мал. 2) .

В ВЧ приладах таке (мал. 1 і 2) ввімкнень захисних елементів може обмежувати частотний діапазон в зв’язку з наявністю власної ємності у діодів та стабілітронів , тому ввімкнені (по сх. 3) обмежуючий елемент .

Для захисту транзисторів від пере навантажень виникаючих в ланцюгу живлення – ввімкнення стабілітронів і обмежувачів здійснюється паралельно джерелу (мал. 4).

Для захисту транзисторів від статичного пробою в процесі монтажу :

1. заземлить обладнання і жало паяльника .

2. монтажники повинні бути в заземленому наручному ремені .

мал. 4 мал. 5 мал. 6

Мал.5 Схема захисту в приладі з індуктивним навантаженням RC колом послідовно Е-К.

Мал.6 Схема захисту в приладі з індуктивним навантаженням за допомогою діоду .

Особливості застосування транзисторів враховуючи залежність параметрів транзисторів від електричних і температурних режимів .

Транзистори – прилади універсального підсилення і вони можуть бути використані не тільки в конструкції , для якої створені , але і в інших конструкціях .

В зв’язку з цим робочий режим транзисторів , як правило , відрізняється від режим , для якого параметри приводяться в технічних вимогах , що викликає необхідність при проектуванні приладів приймати до уваги залежність параметрів від ... режимів підсилення .

Але значення багатьох параметрів транзисторів дають значний вплив на електричні і температурні режими .

У вигляді графіків застосовуються залежності для ряду видів транзисторів:

h21е = f(Ik) при Uke = const (нап.56) КТ834

/h21е/ = f(Ik) при Uke = const (нап.36) f = 10мГц КТ827

h21е = f(Ikе) при Іke = const (нап.150мА) КТ384А

h21е = f(t⁰) при Uke = 10В , Іk = 10мА 2Т602Б

Uke нас = f (Ik) при Ik/Iб = 10 КТ315А

Uke нас = f (Ik/Iб) при Іk = 2А 2Т704А

Ікб о = f(t⁰) при Ukб = 100В КТ816Б

Uke R = f(t⁰_ГРАН) 2Т825Б

Uke R_ПРОБ = f (Rбе) 1Т311А

Ск = f (Uкб) 2Т839А