2. Класифiкацiя та системи умовних позначень транзисторив.

Вжитi у нашiй крайнi умовнi позначення транзисторив мiстять вiдомостi про їх придназдначенiсть, конструктивно-технологiчних свойствах, головнi електричні параметри, застосування, початковий матерiал.

Сучаснi умовнi позначення транзисторів установленi стандартом (лiтеро-цифровий код ) ГОСТ 11336919-81.

Перший елемент – позначений початковий П/ПР.матеріал, може використовуватися як літери та числа.

Г чи 1 – германій та його сполуки.

К чи 2 – кремній та його сполуки.

А чи 3 – сполуки галия (оксид галію).

І чи 4 – сполуки индію.

Другий елемент – літера, визначаюча підклас чи групу:

Біпольовий – Т

Польовий – П

Третій елемент – літера, визначаюча функціональні можливості но допускають розсіяну потужність або частотні можливості:

а) для транзисторів малої потужності (не > 0,3 вт.)

1 – низкі частоти max. працююча частота не більше3 мГц.

2 – середня частота 3-30 мГц .

3 – високі та СВЧ >30мГц.

б) для транзисторів середньої потужності (0,3 – 1,5 Вт)

4 – низька частота не більше 3 мГц

5 – середня частота 3 – 30мГц

6 – ВЧ та СВЧ > 30 мГц

в) великої потужності: Р>1,5Вт

7 – НЧ не більше 3 мГц

8 – СрЧ від 3 – 30 мГц

9 – ВЧ та СВЧ > 30 мГц

Четвертий елемент – число, позначаюче порядковий номер розробки транзистора 00 – 999

П’ятий елемент – літера, визначаюча визначаюча класифікацію транзистора по параметрах – літери російського алфавіту від Адо Я

Для безкорпусних приладів у склад визначення додатково вводиться цифра, характеризуюча відповідаючу модифікацію конструктивного виконання:

1 – з виводами без кристалотримача

2 – з виводами на підложці

3 – з виводами без підложки

4 – з контактними площадками без підложки та без виводів

5 – з к/площадками на підложці та без виводів.

Біполярні транзистори (1964 г.)

Перший елемент – буква П – біполярні транзистори

МП – для транзисторів у корпусі, герметизуючим що дає хорші установки

Другий елемент – одно, двух або трьох значне число, визначаючі порядкові номера розроботки та позначаючі підклас транзистора по класу исходного П/П

материалу та допустимої потужності:

від 1 – 99 – германіеві малої потужності, НЧ.

від 101 – 199 – кремніеві малої потужності, НЧ.

від 201 – 299 –германіеві великої потужності, НЧ.

від 301 – 399 – кремніеві великої потужності, НЧ.

від 401 – 499 – германіеві малої потужності, ВЧ та СВЧ.

від 501 – 599 – кремніеві малої потужності, ВЧ та СВЧ.

від 601 – 699 – германіеві великої потужності, ВЧ та СВЧ.

від 701 – 799 – кремніеві великої потужності, ВЧ та СВЧ

Третій елемент – буква, умовно визначаюча класифікацію параметрів(у деяких транзисторі, може бути відсутня).

Система умовних позначень силових транзисторів

Перший елемент – цифра позначаюча початковий полупровідниковий матеріал:

1 – германій

2 – кремній

3 – арсенід галія

4 – карбонад кремнія

Другий елемент – буква:

ТК – діскретний біполярний

ТКД – составний біполярний

ТКП – польовий

Третій елемент – цифра позначаюча порядковий номер розробника (модифікацій).

Четвертий елемент – цифра, позначаяча номер корпуса для кожного конструктивного виконання.

П’ятий елемент – цифра, позначаюча конструктивне виконання корпуса.

1 – штирьова з гнучкими виводами

2 – штирьова з

3 – таблеточная

4 – під запресовку

5 – фланцева

6 – 9 – конструктивние виконання, інші від указаних.

Шостий елемент – відокремлене дефісом число, відповідне до максимально допустимого постійного струму колектора в Амперах

Сьомий елемент – відокремлене дефісом число, яке визначає умовне визначення класу транзистору по максимальній допустимій напрузі колектор-емітер при відключенні бази