1. Рiзновид транзисторів та їх основні характеристики

За принципом дії транзистори пiдроздiляються на бiполярнi та польовi.

Бiполярний транзистор – це напiвпровiдниковий пристрiй з двома взаемодiючими p-n переходами та трьома або бiльше виходами, пiдсилюючi властивостi якого обумовленi явищем iнжекцiї вприскування та екстрацiею (всасування) неосновних носiїв заряду.

Ток в бiполярних транзисторах викликаеться рухом двох видiв носiїв протилежного знаку.

Область напiвпровiдниковоi структрури, яка знаходиться мiж двома p-n переходами, називаеться базою, а двi висшi областi структури – називаються емітером та колектором.

Якщо база- область електронної, а емітер та колектор – дирочної проводимостi, то транзистор типу p-n .

Якщо база – з дiрочною, а емітер та колектор електронної проводимостi, то цей транзистор типу n-p-n.

При нормальному включеннi бiполярного транзистора та роботi в активному режимi його емiторний перехід змiщуеться в прямому, а колекторний в зворотному напрямку.

к б е

До бiполярних транзисторів вiдносяться:

лавиннi, якi призначенi для формування потужних iмпульсiв наносекундного дiапазону (лавиноподiбне нарощування колекторного струму вiдбуваеться протягом декiлькох наносекунд та обумовлене ударною iонiзацiею в колекторному переходi)

двохемiторнi модуляторнi транзистори, в яких конструктивно поеднанi двi транзисторнi структури. Двохемiторнi транзистори призначенi для пiдсилення та регенерацiї слабких напруг з використанням iх часткового перетворення в змiнну напругу

Однопереходнi транзистори (двохбазовi) – його структура являє собою кристал високоомного напiвпровiдника з двома p-n переходами та двома омiчними переходами. Область, прилегла до p-n переходу являеться емітером, а омiчнi переходи являються базами (застосовуються в iмпульсних генераторах, схемах формування управлiнням iмпульсiїв для включення транизистора)

Складенi бiполярнi транзистори (тр-ри Дарлингтона)

-обладают очень високим коефiцiентом передачи струму.

К

Б

Е

Польовий транзистор –це н.п. пристрiй, в якому струм основних носiїв заряду протекаючий через канал, управляется електричним полем, в полевих тр-рах зумовлені носіями заряду тільки одного знаку, в зв’язку з чим їх відносять до класу унiполярних транзисторів. В польових транзисторах електрод через який провiдний канал втiкають носії заряду,

називаеться стоком, а електрод, через який з каналу заряду втiкають,-

стоком. Електрод на який подаеться управляючий електричний сигнал,

називаеться затвором, а провiдниковий канал- це область у напiвпровiднику в який регулюється потік носiїв заряду.

Існує два види польових транзисторiв, що розрізняються принципами управління носіями заряду:

1)- транзистори з управляючим p-n переходом.

2)-транзiстори (МОП i МДП) з вмонтованим каналом.

Характерна особливість цих транзисторів – наявність початкового струму Iс нач. мiж iстоком та стоком при вiдсутности управляючого сигналу на затворi.

с+

з+-

і

В залежностi вiд полярностi вiд прикладеної до затвору напруги, електропровiднiсть каналу польового транзистора може зменшуватися (режим обеднения) або збiльшуватися ( режим обогащения).

-першi працюють в режиме обеднения .

-другi в режимах обеднения та обогащения.

Заперающая напруга мiж З. та I. при якому вiдбуваеться повне запирання транзистора, називаеться напругою отсечки.

Iс

Uзн отс Iс нач

Uзн

с

з+ Iс нач Uзи отс

і