- •Вибір елементної бази
- •Використання та вибір імс
- •Тема 3.Резистори.
- •Параметри резисторів
- •5. Постійні резистори
- •6. Змінні резистори
- •2 Класифікація набору резисторів. Набір резисторов представляет совокупность резисторов объединённых в единую конструкцию, как правило, в корпусах микросхем.
- •Умовне позначення набіру резисторів.
- •Конструкція резисторів
- •Технологія виготовлення металопліночних та металоокисних резисторів (послідовність):
- •1.5 Вибір резисторів при проектуванні виробів реа
- •Позначення на електричних|. Схемах
- •Система умовних позначень резисторів.
- •Практична робота № 1 “розрахунок проволочних резисторів постійного опору”
- •Продовження Табл. 1
- •Тема 2. Конденсатори
- •1. Класифікація, область застосування|вживання| і функції конденсаторів
- •2. Основні технічні параметри конденсаторів
- •3. Стандартні і нормалізовані конденсатори постійної ємкості
- •4. Конденсатори змінної ємкості
- •5. ПолупеременНыЕ| (підстроєні|підбудовані|) конденсатори
- •Тема 3. Високочастотні індуктивні котушки
- •§ 8.2. Типи обмоток і визначення геометричних розмірів котушок
- •Основні параметри обмотувальних дротів (діаметр до 1 мм)
- •§ 8.3. Розрахунок індуктивності і власної місткості котушок
- •§ 8.4. Добротність індуктивних котушок
- •Розміри і основні параметри броньових магнітних сердечників типів сб і б(мал. 8.14)
- •§ 8.7. Екранування індуктивних котушок
- •§ 8.8. Зв'язані індуктивні котушки
- •§ 8.9. Дроселі високої частоти
- •§ 8.10. Варіометри
- •§ 8.11. Електромеханічні фільтри
- •Тема 4. Трансформатори і дроселі класифікація і області застосування
- •§ 9.2. Початкові дані для конструктивного розрахунку
- •§ 9.3. Основні властивості магнітних матеріалів
- •§ 9.4. Елементи конструкцій трансформаторів і дроселів
- •Зменшення числа витків обмотки залежно від числа шарів
- •Значення коефіцієнта ky нещільності укладання дроту
- •§ 9.5. Основні залежність параметрів трансформаторів
- •§ 9.6. Розрахунок трансформаторів низької частоти
- •Граничні значення амплітуди індукції, що рекомендуються, для трансформаторів низької частоти із сталі 3411—3424
- •Магнітні матеріали, вживані для виготовлення трансформаторів низької частоти
- •§ 97. Розрахунок силового трансформатора
- •§ 9.8. Уніфіковані трансформатори і дроселі фільтрів
- •Низькочастотні уніфіковані трансформатори
- •Силові уніфіковані трансформатори
- •§ 9.9. Імпульсні трансформатори
- •Тема 5. Напівпровідникові діоди
- •Рiзновид транзисторів та їх основні характеристики
- •Класифiкацiя та системи умовних позначень транзисторив.
- •Умовні графічні позначення гост 2.730-73
- •Дозволений тепловий режим транзисторів .
- •Тема 7. Інтегральні мікросхеми
- •Терміни та означення
- •Класифікація інтегральних мікросхем (гост 18682-73)
- •Тонкоплівкові імс
- •Проектування гібридних тонкоплівкових мікросхем
-
Терміни та означення
Мікроелектроніка – галузь електроніки, що охоплює проблеми дослідження, конструювання, виготовлення і застосування мікроелектронних виробів.
Мікроелектронні вироби – пристрої з високою степеню інтеграції, до них належать:
-
інтегральні схеми ІС, ВІС, СВІС, ГВІС
-
функціональні компоненти (оптоелектронні, іонні, теплові, акустичні та ін.)
-
мікрокомпоненти (радіокомпоненти і радіодеталі) – мікрорознімання, індикатори, кнопки, елементи конструкції, багатошарові друковані плати та ін.
Інтегральна мікросхема – конструктивно завершений мікроелектронний виріб, що виконує визначену функцію перетворення і обробки сигналу в якій комплект дискретних деталей замінено групою , сумою або інтегралом деталей виконаних невід’ємно на одній підкладці або в об’ємі одного кристалу.
Плівкова ІМС – усі елементи і міжелементні з’єднання якої виконані у вигляді плівок.
Тонкоплівкова ІМС – ІМС з товщиною плівок до 1 мкм., елементи якої виготовляються методами вакуумної технології.
Товстоплівкова ІМС – ІМС з товщиною плівок 10-70 мкм., елементи якої виготовляються методом трафаретного друку.
Гібридна ІМС – ІМС що містить пасивну частину у вигляді плівок, активні р/ел. навісні.
Напівпровідникова ІМС – ІМС, усі елементи і міжз’єднання якої виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника.
По робочих сигналах ІМС поділяють на:
Аналогові ІМС – м/сх, призначені для перетворення і обробки сигналів, що змінюються по закону безперервної функції (частковий випадок ан. ІМС – м/сх. з лінійною характеристикою)
Цифрові ІМС – інт. м/сх. призначені для перетворення і обробки сигналів, що змінюються по закону дискретної функції (частковий випадок цифрової – логічна мікросхема)
Мікрозбірка (мікропроцесор) – мікроелектронний виріб, що виконує певну функцію і що складається з елементів, компонентів, інтегральних мікросхем (в корпусах або безкорпусних) і ін. електрорадіоелементів, що знаходяться в різних поєднаннях.
Мікроблок – м/ел. виріб, виріб, який окрім мікрозбірок може містити окремі інтегральні мікросхеми і компоненти на п/п шарі.
Топологія мікросхем – креслення, що визначає розміри, форму і тимчасове розташування елементів і з'єднань ІМС в плоскості паралельної пл. підкладки або кристала.
Інтегральна технологія – являє собою сукупність методів обробки, що дозволяють за наявності структурної подібності різних елементів ІМС формувати їх одночасно в єдиному технологічному процесі.
ОСНОВНІ НАПРЯМКИ МІКРОМІНІАТЮРИЗАЦІЇ
-
Класифікація інтегральних мікросхем (гост 18682-73)
По конструктивно-технологічних ознаках інтегральні мікросхеми розділяють на три групи: напівпровідникові (гр.1,5,7), гібридні (гр. 2,4,6,8) і інші (до інших відносяться плівкові, вакуумні, керамічні).
Підгрупа |
Вид |
Буквене позначення типономіналу |
||
Найменування |
Буквене познач. |
Найменування |
Буквене познач. |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Генератори |
Г |
Гармонічних сигналів Прямокутних сигналів Лінійно змін. сигналів Сигналів спец. форми Шуму Інші |
С Г Л Ф М П |
ГС ГГ ГЛ ГФ ГМ ГП |
Детектори |
Д |
Амплітудні Імпульсні Частотні Фазові Інші |
А И С Ф П |
ДА ДИ ДС ДФ ДП |
Комутатори і ключі |
К |
Струму Напруги Інші |
Т Н П |
КТ КН КП |
Логічні елементи |
Л |
Елемент И-НЕ ИЛИ-НЕ И ИЛИ НЕ И-ИЛИ И-НЕ/ИЛИ-НЕ И-ИЛИ-НЕ И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ ИЛИ-НЕ/ИЛИ Розширники Інші |
А Е И Л Н С Б Р К М Д П |
ЛА ЛЕ ЛИ ЛЛ ЛН ЛС ЛБ ЛР ЛК ЛМ ЛД ЛП |
Багатофункціональні схеми |
Х |
Аналогові Цифрові Комбіновані Інші |
А Л К П |
ХА ХЛ ХК ХП |
Модулятори |
М |
Амплітудні Частотні Фазові Імпульсні Інші |
А С Ф И П |
МА МС МФ МИ МП |
Набіри елементів |
Н |
Діодів Транзисторів Резисторів Конденсаторів Комбіновані Інші |
Д Т Р Е К П |
Н Н Н Н Н Н |
Перетворювачі |
П |
Частоти Фази Тривалості Напруги |
С Ф Д Н |
ПС ПФ ПД ПН |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Перетворювачі |
П |
Потужності Рівня Код – аналог Аналог – код Код – код Інші |
М У А В Р П |
ПМ ПУ ПА ПВ ПР ПП |
Схеми вторинних джерел живлення |
Е |
Випрямлячі Перетворювачі Стабілізатори напруги Стабілізатори струму Інші |
В М Н Т П |
ЕВ ЕМ ЕН ЕТ ЕП |
Схеми затримки |
Б |
Пасивні Активні Інші |
М Р П |
БМ БР БП |
Схеми селекції і порівняння |
С |
Амплітудні Часові Частотні Фазові Інші |
А В С Ф П |
СА СВ СС СФ СП |
Тригери |
Т |
Типа J-K R-S D T Динамічні Шмідта Комбіновані (D-T,R-S-T) Інші |
В Р М Т Д Л К П |
ТВ ТР ТМ ТТ ТД ТЛ ТК ТП |
Підсилювачі |
У |
Високої частоти Проміжної частоти Низької частоти Імпульсних сигналів Повторювачі Зчитування і відтворення Індикації Постійного струму Операційні і диференційні Інші |
В Р Н И Е Л М Т Д П |
УВ УР УН УИ УЕ УЛ УМ УТ УД УП |
Фільтри |
Ф |
Верхніх частот Нижніх частот Смугові Режекторні Інші |
В Н Е Р П |
ФВ ФН ФЕ ФР ФП |
Формувачі |
А |
Імпульсів прямокутної форми (чекаючий мультивібратор, блокінг-генератор) Імпульсів спеціальної форми Адресних струмів (формувачі напруг і струмів) Розрядних струмів (формувачі напруг і струмів) Інші |
Г
Ф А
Р
П |
АГ
АФ АА
АР
АП |
Елементи запам’ятовуючих пристроїв |
Р |
Матриці-накопичувачі ОЗП ПЗП ОЗП зі схемами керування |
М В У |
РМ РВ РУ |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Елементи запам’ятовуючих пристроїв |
Р |
ПЗП зі схемами керування і одноразовим програмуванням ПЗП зі схемами керування і багаторазовим програмуванням Інші |
Т
Р П |
РТ
РР РП |
Елементи арифметичних і дискретних пристроїв |
И |
Регістри Суматори Напівсуматори Лічильники Шифратори Дешифратори Комбіновані Інші |
Р М Л Е В Д К П |
ИР ИМ ИЛ ИЕ ИВ ИД ИК ИП |
По функціональних ознаках інтегральні м/сх. підрозділяють на підгрупи і види.
ГОСТ 18682-73
Серія
1 21 Л Б 1ХХ
Порядковий номер розробки м/сх. за функціональною ознакою
Вид (за функціональним призначенням)
Підгрупа
Порядковий номер розробки даної серії
Група (за конструктивно-технологічним виконанням)
Групи:
-
напівпровідникові 1,5,7;
-
гібридні 2,4,6,8;
-
інші 3.
Для ІМС широкого вжитку на початку вказується – К.
Перед серією вказують умовне позначення корпусу П – пластмасовий
И – керамічний
Б – безкорпусний варіант
Через дефіс з буквою корпусу цифра відповідає констр. оформленню:
-
гнучкі виводи
-
павучкові виводи
-
жорсткі виводи
-
нерозділені на пластини
-
розділені без втрати орієнтації
-
без виводів