1. Б иполярные транзисторы. Основные характеристики: входные, выходные, проходные. Электрические и экспоненциальные параметры.

Биполярные транзисторы –Это п/п с двумя p – n переходами и тремя электродами.

Отличительный признак: для нормальной работы необходимы носители двух видов - электроны и дырки.

Используются два встречно включенных

p – n перехода. Бывают двух типов:

n² и p² – сильно легированные области.

В транзисторе, находящемся в активном состоянии, переход эмиттер-база, эмиттерный переход, смещен в прямом направлении, т.е. приоткрыт, а коллекторный переход закрыт.

П рямосмещенный эмиттерный p-n-переход ускоряет электроны из эмиттера в базу. Если база узкая – меньше диффузионной длины – и электрон не успевает рекомбинировать в базе, он пролетает через базу в коллектор, ускоряясь положительным напряжением последнего. Изменяя прямое напряжение эмиттер-база, мы изменяем количество электронов, впрыскиваемых в базу из эмиттера, а значит и ток коллектора.

Подавая на эмиттер отриц. по отношению к базе напряжение, мы уменьшаем ширину эмитерного р-n- перехода и позволяем электронам из в большей мере легированного эмиттера диффундировать в базу. Если ширина базы меньше диффузионной длины(средняя скорость умнож. на время жизни), то значительная часть электронов через базу попадает в коллектор и ускоряется положительным потенциалом коллекторного источника питания. Та часть носителей, кот рекомбинировала в базе создает базовый ток. Эмитерный переход смещен в прямом направлении, поэтому входное сопротивление и Rг(сопротивление генератора) не может быть большой величины. Коллекторный переход смещён в обратном направлении, Rвых велико и Rн может иметь большую величину.

Для совр транзисторов α=Iк/Iэ=0.9÷0.99, поэтому Iк≈Iэ, а Кu=∆Uк/∆Uэ=∆IкRк/∆IэRэ>>1 => Rн/Rг>>1 (Rн сопр. нагрузки)

В усилительном режиме работы транзистора, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном. Эмиттерный переход сильно легирован, коллектор - обеднен. Коллекторный переход должен быть равномерно легирован и в меньшей степени, чем эмиттер, с целью увеличения пробивного напряжения коллектор-база.

I_э = I_к+I_б (Так как ток коллектора во много раз больше тока базы, то токи эмиттера и коллектора приближенно равны).

Биполярный транзистор - (в процессе переноса заряда участвуют электроны и дырки) п/п прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя или более выводами, которые служат для усиления или переключения входного сигнала. По порядку чередования переходов различают - p-n-p и n-p-n. Различие у них в полярности подключения источника питания.

Основные характеристики:

- уравнение Эберса-Молла

- тепловой потенциал(Т=293°, q- постоянная Больцмана)

Iэ0-ток утечки насыщения эмитерного p-n-перехода, величина постоянная для данного транзистора при данной температуре.

Электрические и эксплутационные параметры.

Uкэ(u)max, Uбэ(u)max,; Рк(u) max, Ркт max,; Iк(u) max, Iб(u) max, не должны превышаться коэф. нагрузки -0.5; h21-коэф. усиления по току.; h21= Iк/Iб, h21= ∆Iк/∆Iб ; fгр- граничная частота. Для fгр=> h21=1; Iкб0, Iэб0, Сэ,Cк, tп max- t перехода(170°), tк max- t корпуса.