Электромагнитная совместимость (гост 30372/гост р 50397; гост р 51317.2.5/ мэк 61000 –2 – 5)

Электромагнитная обстановка (ЭМО) — совокупность электромагнитных явлений, процессов в заданной области пространства, частотном и временном диапазонах.

Электромагнитная помеха (ЭМП) — электромагнитное явление, процесс, которые снижают или могут снизить качество функционирования САУ ЛА.

Электромагнитная совместимость (ЭМС )— способность САУ ЛА функционировать с заданным качеством в заданной ЭМО и не создавать недопустимых ЭМП другим техническим средствам.

Источник помехи — источник искусственного или естественного происхождения, которые создают или могут создать ЭМП.

Электромагнитная эмиссия от источника помехи — генерирование источником помехи электромагнитной энергии.

Экран (электромагнитный) — устройство или элемент конструкции устройства, обеспечивающий поглощение, преобразование или отражение электрических и (или) магнитных полей и электромагнитных волн.

Экранирование (электромагнитное) — способ ослабления ЭМП с помощью экрана с высокой электрической и (или) магнитной проводимостями.

Рецептор — САУ ЛА, реагирующее на электромагнитный сигнал и (или) ЭМП.

Естественная помеха — ЭМП, источником которой являются природные физические явления.

Искусственная помеха — ЭМП, источником которой является устройство, созданное человеком.

Атмосферная помеха — естественная помеха, источником которой являются электрические разряды в атмосфере.

Электростатическая помеха — естественная помеха, обусловленная электризацией и проявляющаяся вследствие импульсных токов стекания накопленных электрических зарядов и (или) электростатических разрядов.

Кондуктивная помеха — ЭМП, распространяющаяся по проводникам.

Индустриальная помеха — ЭМП, создаваемая техническими средствами.

Примечание. К индустриальным помехам не относятся помехи, создаваемые излучениями выходных трактов радиопередатчиков.

Коммутационная помеха — индустриальная помеха, возникающая при процессах коммутации тока и напряжения.

Межсистемная помеха — ЭМП, источник которой находится в системе, не относящейся к рассматриваемой.

Внутрисистемная помеха — ЭМП, источник которой находится внутри рассматриваемой системы.

Порт – граница между САУ ЛА и внешней электромагнитной средой (зажим, разъем, клемма, стык связи и т.п.).

Порт корпуса - физическая граница САУ ЛА, через которую могут излучаться создаваемые САУ ЛА или проникать внешние электромагнитные поля.

(Пс, пп, ис и мсб (гост 17021, гост 20406, гост 26975)

Печатная плата (ПП) — материал основания, вырезанный по размеру, содержащий необходимые отверстия и, по меньшей мере, один проводящий рисунок.

Рисунок ПП — конфигурация проводникового и (или) диэлектрического материалов на ПП.

Примечание. Рисунок означает также соответствующую конфигурацию на заготовке, инструментах и т.д.

Проводящий рисунок — рисунок ПП, образованный проводящим материалом.

Материал основания ПП — материал, на котором выполняется рисунок ПП.

Заготовка ПП — материал основания ПП определенного размера, который подвергается обработке на всех производственных операциях.

Печатный узел — ПП с подсоединенными к ней электрическими и механическими элементами и (или) другими ПП и с выполненными всеми процессами обработки.

Примечание. К процессам обработки относится пайка, покрытие и т.д.

Объединительная ПП — ПП, предназначенная для электрического соединения двух или более печатных узлов.

Печатный проводник — одна проводящая полоска или площадка в проводящем рисунке.

Печатный монтаж — способ монтажа, при котором электрическое соединение элементов электронного узла, включая экраны, выполнено с помощью печатных проводников.

Печатный элемент — элемент, изготовленный с применением печати.

Примечание. Под элементом понимают индуктивность, резистор, конденсатор и т.д.

Печатная схема — схема, полученная путем печати и включающая печатные элементы, проводящий рисунок или их комбинацию, образованные в предварительной конструкции или подсоединенные к поверхности общего основания.

Проводящий слой ПП — проводящий рисунок, лежащий в одной плоскости.

Концевые печатные контакты – ряд печатных контактов на краю ПП, предназначенных для сопряжения с гребенчатым соединителем.

Крепежное отверстие ПП – отверстие, используемое для механического крепления ПП на шасси или для механического крепления элементов к печатной плате.

Металлизированное отверстие ПП — отверстие в ПП с осажденным на стенках проводниковым материалом.

Монтажное отверстие ПП — отверстие, используемое для соединения выводов навесных элементов с ПП, а также для любого электрического подсоединения к проводящему рисунку.

Фиксирующее отверстие ПП — отверстие в ПП, предназначенное для точного ее расположения в процессе обработки.

Фотошаблон рисунка ПП — инструмент, используемый для копирования имеющегося на нем изображения с помощью света.

Координатная сетка чертежа ПП — сетка, определяющая положение элементов рисунка ПП в прямоугольной или полярной системе координат.

Фольгированный материал — материал основания ПП, имеющий с одной или двух его сторон проводящую фольгу.

Прокладочная стеклоткань — листовой материал, пропитанный смолой в стадии «В».

Смола в стадии «В» — термореактивная смола в промежуточной стадии реакции полимеризации, при которой она разбухает, когда контактирует с определенными жидкостями и размягчается при нагреве, но не может полностью раствориться или расплавится.

Проводящая фольга — листовой проводниковый материал, предназначенный для образования проводящего рисунка ПП.

Субтрактивный процесс — процесс получения проводящих рисунков, заключающийся в избирательном удалении участков проводящей фольги.

Аддитивный процесс — процесс получения проводящих рисунков, заключающийся в избирательном осаждении проводникового материала на нефольгированный материал основания.

Показатель травления — отношение глубины травления к боковому подтравливанию.

Осаждение – процесс, заключающийся в химическом или электрохимическом нанесении металла на всю или на часть поверхности основания и (или) проводящего рисунка.

Резист — покрытие диэлектрическое или металлическое, используемое в качестве защиты при выполнении последующих операций.

Интегральная микросхема (ИС) — микросхема, ряд элементов которой нераздель­но выполнен и электрически соединен между со­бой таким образом, что с точки зрения техничес­ких требований, испытаний, торговли и эксплуа­тации устройство рассматривается как целое.

Примечание. Под микросхемой пони­мают микроэлектронное устройство, рассматри­ваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обыч­ной схемы.

Микросборка (МСБ) - микроэлектронное изделие, выполняющее оп­ределенную функцию преобразования и обработ­ки сигнала, состоящее из элементов и (или) ком­понентов, размещенных на общей подложке, раз­рабатываемое для конкретной радиоэлектронной аппаратуры с целью улучшения показателей ее миниатюризации и рассматриваемое как единое целое с точки зрения требований к приемке, по­ставке и эксплуатации.

Элемент ИС — часть ИС, реализующая функцию какого-либо ЭРЭ, ко­торая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как само­стоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Примечание. Под ЭРЭ понимают транзистор, диод, резистор, кон­денсатор и др.

Элемент МСБ - часть МСБ, которая реализует функ­цию электрорадиоизделия, выполнена нераздель­но от платы и не может быть выделена как са­мостоятельное изделие с точки зрения требова­ний к испытаниям, приемке и поставке.

Примечание. Под электрорадиоизделием понимают изделие, выполняющее функцию гене­рирования, преобразования, переключения, зaдержки, распределения, запоминания и фильтра­ции радиочастотных сигналов.

Компонент ИС — часть ИС, реализующая функцию какого-либо ЭРЭ, ко­торая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытани­ям, приемке, поставке и эксплуатации.

Компонент МСБ - часть МСБ, которая реализует функ­цию электрорадиоизделия и может быть выделе­на как самостоятельное изделие с точки зрения, требований к испытаниям, приемке и поставке.

Полупроводниковая ИС — ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводниково­го материала.

Пленочная ИС — ИС, все элементы и меж­элементные соединения которой выполнены в ви­де пленок.

Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными.

Гибридная ИС — ИС, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы.

Аналоговая ИС — ИС, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изме­няющихся по закону непрерывной функции. Цифровая ИС — ИС, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изме­няющихся по закону дискретной функции.

Корпус ИС — часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воз­действий и для соединения с внешними электри­ческими цепями посредством выводов.

Подложка ИС — заготовка из диэлектрического материала, пред­назначенная для нанесения на нее элементов гиб­ридных ИС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Полупроводниковая пластина — заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупровод­никовых ИС.

Бескорпусная ИС — кристалл ИС, предна­значенный для монтажа в гибридную ИС или МСБ.

Плотность упаковки ИС (МСБ) — отношение суммы элементов ИС (МСБ) и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему ИС (МСБ).

Примечание. Объем выводов не учитывают.

Степень интеграции ИС (МСБ) — показатель степени сложности ИС (МСБ), характеризуемый числом содержа­щихся в ней элементов и (или) компонентов.

Примечание. Степень интеграции ИС (МСБ) определяют по фор­муле:

K=lg N,

где: К— коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округ­ляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов ИС (МСБ), в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в ИС (МСБ).

Малая ИС — ИС, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включитель­но.

Средняя интегральная микросхема — ИС, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС и свыше 100 до 500 — для аналоговых ИС.

Большая интегральная микросхема (БИС) — ИС, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифро­вых ИС и свыше 500 для аналоговых ИС.

Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) — ИС, содержащая свыше 100 000 элементов и (или) компонентов для циф­ровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50 000 — для циф­ровых ИС с нерегулярной структурой построения и свыше 10 000 — для ана­логовых ИС.

Примечание. 1. К цифровым ИС с регулярной структурой по­строения относят схемы запоминающих уст­ройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов.

2. К цифровым ИС с не­регулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств.

Сверхскоростная ИС — цифровая ИС, функцио­нальное быстродействие которой не менее 1х1О¹³ Гц/см² на 1 логический элемент.

Примечание. Под функциональным быстродействием понимают произведение рабо­чей частоты логического элемента, равной об­ратному учетверенному максимальному значе­нию среднего времени задержки распростране­ния сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла.

Кристалл ИС — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элемен­ты полупроводниковой ИС, межэлементные соединения и контактные пло­щадки.

Базовый кристалл ИС — часть полупроводниковой пластины с опреде­ленным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для со­здания ИС путем изготов­ления межэлементных соединений.

Базовый матричный кристалл ИС (БМК) — базовый кристалл ИС с регулярным в виде матрицы расположением ба­зовых ячеек.

Базовая ячейка кристалла ИС — совокупность несоединенных и (или) соеди­ненных между собой элементов, являющаяся ос­новой для построения БМК.

Примечание. Базовую ячейку, выполня­ющую простейшие логические функции И — НЕ (ИЛИ— НЕ), называют базовым вентилем ИС.

Контактная площадка ИС — металлизированный участок на подложке, крис­талле или корпусе ИС, слу­жащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов.