Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Дефекты решетки. Пособие к практическим занятиям и домашним работам. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
нению от положения равновесия (в случае, если эти от­клонения много меньше расстояния между атомами), а коэффициент пропорциональности – есть «жесткость» С ус­ловной «пружины», возвращающей его в точку х = 0 на дне потенциальной ямы. По определению сила есть производная
()
x
от потенциала по смещению
()
Fx


, и если потенци-
x
ал парного взаимодействия записать в гармоническом при-
2
ближении
жесткость
x
() (0)
  , то сила

x
() (0)
Fx x
2!
()
Fx
C
 есть величина постоянная (ведь

(0)
()
x

  , а

x
x
»(0) есть коэффициент, т.е. число в выражении для (х)), и тогда колебания – синусоидальные (гармонические), а их

частота
11(0)

C
22
mm

(m – масса атома). Колеблю-
щийся атом (осциллятор) с малой амплитудой колебаний и колеблющийся независимо от других атомов – есть гармони­ческий несвязанный осциллятор, предельная частота коле­баний которого (частота Эйнштейна) одинакова для всех ато­мов данного материала.
Появление вакансий в кристалле изменяет частоту ко­лебания атомов, и тогда изменение колебательной энтропии может быть определено как разность энтропий собственных колебаний идеального (без вакансий) кристалла с N атомами
S(N) и кристалла с вакансиями S(N): S
= S(N) – S(N).
V
В приближении несвязанных осцилляторов в идеаль­ном кристалле частоты колебаний всех атомов одинаковы
C
~
. Если жесткость С пропорциональна числу связей
m
у одного атома, равного z (z – число атомов в первой коор- динационной сфере), то чем меньше «соседей» у атома, тем легче ему колебаться. Появление одной вакансии около ка-
21
кого-либо атома означает разрыв одной связи у этого атома (вспоминая, что вакансия вызывает самые сильные смеще­ния атомов только в первой координационной сфере). Тогда жесткость связи С атома, рядом с которым находится вакан­сия, пропорциональна (z – 1).
При высоких температурах энтропия осциллятора


, где h –постоянная Планка. Рядом с каждой
kT
h
ln
Sk
вакансией находится z атомов, и частота колебаний каждого из них равна С.
Теперь изменение колебательной энтропии будет равно
z

S k kz kz
V
1
i

  
hh

ln ln ln ln .

kT kT


Поскольку частота пропорциональна жесткости С, а жесткость пропорциональна координационному числу z, то
Cz



Cz
.
1
С учетом этого
Skz kz kz
 
V
ln ln ln
 

zz
1
12 1
zz
изменение
колебательной энтропии зависит только от типа кристалли­ческой решетки и больше ни от чего.
Возвращаясь к анализу свободной энергии F:
    
F U T S nU T S S
 
nU T n S k N N n
    
nNnNNnn
ln( ) ln( ) ln( )]}
 
nU Tn S kTN N n
    
kTn N n kTN N kTn n
ln( ) ln( ) ln( ).
{[ln()
VV
VV
()
VVK
ln( )
Поскольку ищется экстремум этой функции в зависимо­сти от числа вакансий n, то нужно взять производную от F по n и приравнять ее нулю:
22

()
F
    
UTS kTN Nn kTn Nn

nn n



nn
kT n kTn n U T S kTN N n kTn N n
+ln() / [ ( ) ( )]
  
kT n kT N n
[ ln( ] ln( )
откуда
(в процессе преобразований использованы правила нахожде-
ния производных от сложных функций:
от логарифма
[()]
dfy
dx
{[( )]} () () () ( )dfgx df dy df dg
dx dy dx dy dx
изводной от того члена, который от переменной, по которой идет дифференцирование, не зависит).
Величина exp(S ток с z = 12 константа А = 1,69; для ОЦК-решетки с z = 8 константа А = 1,71), поэтому часто пользуются приближен­ной формулой
kTN N kTn n U T S kTN N n
[ ln( )] [ ln( )] ( )
      
kT N n kTn N n kT N n
ln( ) ln( ) ln( ) 0
  
SU U
0
c
V
,
когда сама у есть функция от х: у = g(x) в виде

exp exp A exp
 

[ ln( )] [ ln( )]
][0]ln[()]
UTS kT nNn
 
V
UTSkT c

V
VV V
kkT kT
(ln ) 1dx
dx x
, от многосложной функции
/ k) близка к 1 (для ГЦК- и ГПУ-реше-
к
к
0
ln( ) 0,
и факт равенства нулю про-
ddadb
()
ab b a
 ,
dx dx dx
(2.1)
U
0
c
V
Тот факт, что величина А близка к 1, означает, что вкла­дом колебательной энтропии при приближенных расчетах можно пренебречь.
23
V
exp .
kT
Поскольку энергия образования вакансии UV = V Gb3 и энергия , необходимая для плавления вещества, также пропорциональна произведению Gb
3
а именно пл = пл · Gb
3
(пл – температурный коэффициент плавления; для метал­лов его величина равна 0,02–0,04 0,03), то отношение этих величин есть также постоянная величина, одинаковая для всех металлов: U
/ пл = (V Gb3) / (пл · Gb3) = V / пл
V
0,25 / 0,03 10.
Это значит, что:
1) вакансии – это такие дефекты кристаллической решет­ки, которые нельзя «уничтожить» какими-либо способами; их существование (появление и изменение их количества) термодинамически выгодно;
2) концентрация вакансий в точке плавления у всех метал-
0
c
лов примерно одинакова и равна
(Тпл) = exp(–V / пл) 10–4;
V
3) зависимость равновесной концентрации вакансий от сходственной (гомологической, относительной) темпера­туры Т / Т
0
() exp .
c

V
= θ у всех металлов также примерно одинакова
пл
V
пл пл
T
T
 

Формулировка задач практического занятия.
Задача 1. Оценить равновесную концентрацию вакансий
для серебра в точке его плавления, зная температуру плавле­ния, модуль сдвига и период решетки.
Вариант решения.
Необходимые табличные данные приведены в учебнике [1]: кристаллическая решетка серебра – ГЦК; температура плавления серебра Т
= 961 С; период решетки для сере-
пл
бра а = 4,078 Å; модуль сдвига G = 29,4 ГПа; безразмерная энергия активации образования вакансий в серебре
/ Gb3 = 0,25; температурно-независимый коэффициент
= U
V
V
=
А = 1,69. Все значения приведены для 20 С. Учет темпера­туры, близкой к Т
, может быть осуществлен следующим
пл
образом. Температурно-зависимыми параметрами в этой
24
формуле являются период кристаллической решетки и мо­дуль сдвига. В [1] указывается, что при изменении темпера­туры от 0 К и до Т
упругие модули снижаются примерно
пл
в 2 раза. Для серебра температура, равная 20 С по отноше­нию к его Т от комнатной температуры и до Т
, составляет (20 + 273) / (961 + 273) 24%, т.е.
пл
модуль сдвига умень-
пл
шится в (2 0,24) 1,76 раза. Более строгое вычисление из­менения модуля сдвига может быть найдено по формулам, содержащим атомно-физические константы серебра; этот метод изложен в [1].
Увеличение периода решетки серебра при нагревании можно учесть через коэффициент линейного расширения
L
по формуле
(1 ).
bb T (2.2)
0
Значение
для любых металлов можно найти в общих
L
TL
справочниках физических величин. Любые справочные зна­чения, взятые из интернета, принимаются только при нали­чии ссылки на источник (справочник), из которого они при­ведены.
Равновесная концентрация вакансий может быть вычис­лена по формуле (2.1):
0
= A · exp(–V Gb3 / kT).
С
V
В этой формуле k = 1,38 · 10
–23
Дж/град – постоянная
Больцмана, температура Т – в градусах Кельвина. Значе­ние
= 19 · 10–6 град–1 (значение взято из справочника «Та-
L
блицы физических величин» под ред. И.К. Кикоина. 1976, Энергоатомиздат).
Подстановка табличных значений в формулу (2.1) дает
0
= 1,2 · 10–3.
С
V
Задача 2. В поликристалле свинца зерно размером d = = 10 мкм содержит избыток вакансий C
= 1·10–4. Оценить
V
перемещение x границ, если все вакансии стекут на грани­цы. Решетка ГЦК с периодом а = 4·10–8 см. Считать зерно шаром.
25
Вариант решения
Неравновесная концентрация вакансий (с большим их избытком) с течением времени будет стремиться к равно­весному значению. Основной атомный механизм этого про­цесса – миграция вакансий к стокам. В данной задаче пред­лагается рассмотреть сток вакансий на границы зерен. В практике термической обработки и высокотемпературной эксплуатации металлических изделий это не самый «бы­стрый» и выгодный механизм – при наличии дислокаций, частиц второй фазы и микропор именно перечисленные эле­менты строения микроструктуры будут в первую очередь яв­ляться местами стока для вакансий.
Граница зерна – это объект кристаллической структуры, создаваемый атомами, расположенными в узлах кристал­лической решетки (но их положение в пространстве по раз­ные стороны от границы – разное). Вакансия – не занятый атомом узел кристаллической решетки. При приближении вакансии к границе зерна атом из границы перемещается в вакансию – происходит перемещение границы в сторону тела того зерна, откуда «пришла» вакансия. Последователь­ное взаимодействие вакансий, подходящих из объема зерна, с его границей будет приводить к уменьшению размера зер­на. Сколько вакансий придет к границе зерна, на столько переместится (на единицу своей площади) и сама граница. Следовательно, последовательность решения задачи состо­ит в том, чтобы рассчитать: 1) количество вакансий в зерне;
2) толщину слоя, который они «займут» на границе зерна при размещении на ней равномерным слоем; 3) перемещение собственно границы.
Из формулы для определения концентрации вакансий
= nV / (NA + nV) следует, что число вакансий nV опреде-
С
V
ляется числом атомов N сматриваемом объеме N шара равен V = d
3
ской ячейки (для кубических решеток) равен а
либо числом атомных узлов в рас-
A
= (NA + nV). Объем зерна в форме
узлов
/ 6. Объем элементарной кристалличе-
3
(а – период
решетки металл; в данной задаче – свинца). В одной элемен-
26
тарной ячейке металла с ГЦК-решеткой находится 4 атома, и тогда количество атомных узлов в зерне N
3
= 2d = C ный объем V
/ 3а3, а количество вакансий N
· 2d3 / 3а3. Это количество вакансий занимает суммар-
V
V
= N
зерно
· vат, где vат – объем, занимаемый од-
V
зерно
V
= 4V / а3 =
узлов
= CV · N
узлов
=
ним атомом (или, что равнозначно, одной вакансией). На ос­новании изложенных выше рассуждений v
= а3 /4 · CV · 2d3 / 3а3 = CV · d3 / 6. Этот объем равномер-
V
V
= а3 /4. Тогда
ат
ным слоем «размазан» по поверхности зерна, площадь кото­рого S = d мещение границы зерна x = V
· d / 6 = 10–4 · 10 / 6 = 1,67 · 10–4 мкм = 1,67 Å.
= C
V
Задача 3. Избыток вакансий C
2
. Тогда толщина этого слоя – и есть искомое пере-
/ S = (CV · d3 / 6) / (d2) =
V
= 1·10–4 из монокри-
V
стальной пластинки алюминия толщиной h = 1 мм выносит­ся дислокациями на поверхность, отчего в точках выхода дислокаций образуются пирамидальные ямки с огранкой по плоскостям плотной упаковки {111}. Определить, при ка­кой плотности точек выхода дислокаций на грань (1; 1; 1) монокристалла ямки будут отчетливо видны в световом ми­кроскопе (диагональ ямки достигнет 3 мкм).
Анализ явления.
Как указывалось выше, почти всегда основными стока­ми для вакансий являются дислокации. Любая дислока­ция – есть дефект кристаллической решетки, располагаю­щийся вдоль линии плотной укладки атомов и имеющий в сравнении с размерами атомов бесконечную длину. Этот дефект лучше всего представить в виде цилиндра условно бес­конечной длины и радиусом 2–3 межатомных расстояния. В пределах этого «цилиндра» атомы расположены относи­тельно атомных узлов очень нерегулярно, из-за чего рассто­яния между ними могут быть как очень большими (в срав­нении с равновесными), так и очень маленькими. Вакансия, встраиваясь в эту область «ядра дислокации», тем не менее сохраняется как объект решетки (в отличии от взаимодей­ствия вакансии с межузельным атомом, приводящим к ис-
27
чезновению обоих дефектов). В частности, вакансия может перемещаться вдоль линии дислокации (и для нее это более выгодный путь миграции, чем по неискаженной решетке, из­за нерегулярного расположения атомов). Сама дислокация, являясь объектом «бесконечной» длины, не может просто оборваться – она может закончиться только на другом дефек­те решетке и, в частности, на свободной поверхности образца. Двигаясь по оси дислокации и выходя на поверхность, вакан­сии образуют объемный дефект – ямку, в которой атомов нет. Ямка по мере притока вакансий растет как в глубину, так и в ширину, формируя правильную геометрическую фигуру, форма которой зависит от укладки атомов на поверхности, то есть от типа (индексов) плоскости поверхности. На плоскости типа {001} ямка под микроскопом выглядит в виде квадрата, на плоскости типа {110} – в виде прямоугольника, на плоско­сти типа {111} – в виде треугольника (для кубической решет­ки – в виде правильного треугольника), для плоскостей с бо­лее сложными индексами форма ямок не такая правильная. В пространстве ямка травления, образующаяся на плоскости типа {111}, имеет форму правильной пирамиды с плоскостью основания на поверхности образца.
Вариант решения
Количество дислокаций в решетке может быть оценено показателем их плотности . По одному из двух принятых способов расчета плотность дислокаций оценивают через количество точек выхода дислокаций на плоскость:
 = N где N
– подсчитанное на площади S число ямок травле-
ямок
ния. Размерность этой величины – штуки / см
/ S, (2.3)
ямок
2
= 1/см2 =
= см–2.
Разрешающая способность световых микроскопов – это величина, сравнимая с размером длины волны носителя ин­формации в этом методе наблюдения – фотонов. Длина вол­ны фотонов видимого спектра ~1 мкм.
28
Чтобы сама ямка стала видна в оптическом микроскопе, ее линейный размер (боковая сторона основания) на плоско­сти наблюдения должен быть не менее 3 мкм (по условию за­дачи). Имея форму правильной пирамиды, ямка будет иметь в этом случае объем V
ямки
= L
задачи объем, занимаемый одной вакансией, равен V
3
/ 4 (а – период решетки). Количество вакансий, необхо-
= а
3
· 2/12. Из предыдущей
ямки
вак
=
димых для образования ямки таких размеров равно
N1 = V (3 мкм)
/ V
ямки 3
· 2 / [3· (2,5 Å)3] = 8 · 1011 шт. (2.4)
вак
= L
3
· 2 / 3а3
ямки
Дальнейший ход решения задачи в чем-то аналогичен ходу решения предыдущей задачи: необходимо сопоставить количество имеющихся избыточных вакансий с требуемым их количеством для вычисленной предельной плотности дислокаций
max
.
В качестве анализируемого объема выберем объем ме­талла V, имеющий форму параллелепипеда высотой, рав­ной половине толщины пластинки (вынос вакансий идет на две противоположные плоскости), и основанием в виде квадрата со стороной х, равной расстоянию между осями дислокаций на плоскости (расстоянию между ямками трав-
2
ления). Тогда V = x ных узлов N
узлов
· t / 2. В этом объеме количество атом-
= 4V / а3 = 2х2t / а3, а количество вакансий
23
NCN Cxta
VV V
узлов
2/.
(2.5)
Приравнивая (2.4) и (2.5), находим х:
233 2
2/ 2/(3);
CxtaL a
V
ямки
3
ямки V
2/(6 ).xL Ct
23
ямки V
2/(6 );xL Ct
При таком расстоянии между ямками травления плот­ность дислокаций
ямки
3
) =
= 6 · 10
2
= 1 ямка / х
–4
· 0,5 мм / [2 · (3 мкм)3] 6 · 103 мм–2 = 6 · 106 см–2.
= 6CV · t / (2 · L
29
Формулировка домашней работы.
В (Al, Ag, Au, Cu, Ni, -Fe, Pb, Pt), закаленном от (0,95; 0,9; 0,85; 0,80; 0,75) Т / Т (50, 100) Å в количестве (10
имеются поры размерами
пл
8
, 1010, 1012) мм–3. Определить, на сколько изменится размер пор после выдержки при ком­натной (0,2–0,3)Т
температуре, если все избыточные ва-
пл
кансии стекут в поры.
Указания по выполнению домашней работы
1. Рассматриваемая в домашнем задании ситуация про­тивоположна той, которая рассматривалась при решении за­дачи 2 этого раздела, а именно: вакансии, стекая из объема металла на поверхность поры, вызывают перемещение по­верхности этой поры во встречном направлении, то есть раз­мер пор увеличивается.
2. Для количественного анализа целесообразно выбрать единичный объем металла, приходящийся на одну пору. Этот параметр задан через плотность пор.
3. Количество вакансий при заданной температуре в за­данном материале рассчитывается в соответствии с приме­ром, рассмотренным в задаче 1 этого раздела.
30
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]