Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Арсенид галлия. Получение, свойства и применение

.pdf
Скачиваний:
37
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
18.36 Mб
Скачать

130

О П Т И Ч Е С К И Е

С В О Й С Т В А

[ГЛ. 3

Из температурной зависимости интенсивности полос

поглощения

также можно

получить важные

сведения"

о природе полос, так как интенсивность полос,

соответ­

ствующих излучению фонопов, уменьшается при охлаж­

дении кристалла,

поскольку число фоионов

 

 

п М = — ш ®

>°*V*T^O.

 

 

 

exp -jjT- - 1

 

 

На

рпс. 3.25

показаны экспериментальные

резуль­

таты,

полученные

на образцах

чистого арсенида

галлия

толщиной от 0,2 до 3 мм при температурах от 20 до 293° К в области длин волн от 10 до 35 мкм. Стрелками показаны значения энергий, являющиеся результатом комбинаций сложения из пяти велнчин, приведенных в табл. 3.9.

Как

видно

на рис. 3.25, согласие между подогнанными

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 3.9

Т и п

фонола

Т О ,

Т О ,

L O

L A

Т А

ftco(q), эв

0,0324

0,0316

0,0292

0,0230

0,0086

таким образом величинами энергий и положениями макси­ мумов в экспериментальном спектре поглощения доста­ точно хорошее Таким образом, изучение спектров ре­ шеточного поглощения п отражения в интервале резонанса (LO—ТО), а особенно в коротковолновой области, позво­ ляет получить сведения о фононном спектре в центре и на краях зоны Бриллюэна в дополнение к другим экспери­ ментальным методам (рамаиовское, нейтронное рассеяние).

3.2. Магнитооптические эффекты

При наложении магнитного поля на кристалл куби­ ческой сингоиии он становится оптически анизотропным, закон дисперсии в зонах — сложным. Если совместить направление вектора индукции внешнего магнитного поля В с осью z кристалла, то функция плотности состоя­ ний может быть представлена формулой

" m a x

S ( e ) = 2 ,

f

e ) »

y T

. (3.29,

4

'

I S

j 8 - е с -

[п + Т) Ш с

3.2] М А Г Н И Т О О П Т И Ч Е С К И Е Э Ф Ф Е К Т Ы 131

где а>с—Ве1тп, тп— эффективная масса носителей в зоне, п — целые положительные числа, для которых знамена­

тель

действителен. На рис. 3.26 эта зависимость изобра­

жена

сплошной линией, пунктир изображает g(e) при

В=0.

Таким образом, под действием магпптиого поля

непрерывный спектр плотности состояний становится ди­ скретным. Энергии, соответствующие бесконечно боль­

шой

плотности

состояний — уровни

Ландау — разде­

лены

интервалами

Ттс=НВе1тп,

которые

обратно

про­

порциональны эффективной

массе. Если

зона мульти-

плетна, то уровни

Ландау

образуются

в

каждой

ветви

независимо.

 

 

 

 

 

 

9

1

1

 

1

 

 

-

 

 

 

 

-

/ ,

 

^

 

 

 

1 V

 

 

 

1

 

1

1

, 1

е

Рис. 3.26. Энергетический спектр плотности состояний

впростой зоне при отсутствии

(1)и при воздействии (2)

внешнего

магнитного поля

на

кристалл.

Рис. 3.27. Схема уровней Ландау^п=0, 1, 2, 3 в зоне про­ водимости (се, Р) п ветвях легких (а_р 6_j_) и тяжелых (а_, Ъ_) дырок валентной зоны. Индексы а, а_^, а _ соответствуют

спиновому квантовому числу 8=1/2; р, b_j-( Ь_ соответствуют в=—1/2. Стрелками показаны разрешенные оптические переходы для а^., а_

и я-полярпзации.

На рис. 3.27 показан энергетический спектр вблизи /с=0 для арсенида галлия, где уровни. Ландау изображены для простоты иллюстрации оптических переходов прямы­ ми линиями с учетом снятия вырождению по спину. Буквы а, а соответствуют спиновому числу s = + l / 2 ;

132 О П Т И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А [ГЛ. 3

ft, Ъ соответствуют s=—1/2. Индекс «—» — ветви тяжелых дырок в валентной зоне, «+»-—ветви легких дырок.

Цифры при уровнях означают номер уровня

?г=0,1,2,...

в формуле (3.29). На рис. 3.27 расщепление ветви тяжелых дырок из-за отсутствия центра инверсии в кристалле цинковой обмаикп не показано.

Возникновение уровней Ландау приводит к повым межзонным п внутризоиным явлеппям. В первом случае электрон под действием света переходит с уровней Лан­ дау в валентной зоне на уровни Лапдау в зоне проводи­ мости, во втором — между уровнями Ландау внутри зоны.

3.2.1. Межзонные эффекты. Поскольку функция плот­ ности состояний во внешнем магнитном поле приобре­ тает квазидискретный вид, то дисперсионное соотношение (3.5), содержащее g(e) в числителе, будет иметь особые точкп при энергиях

(

1 \ *

1

 

где со* =Behn*, 77i*=w„mr ,/(7ren -)-/np),

(3—магнетон Бора,

g' — фактор, связанный с параметрами зон [71—75]. Поэтому в спектрах отражения и прозрачности возникают особенности. Кроме того, ввиду оптической анизотропии кубического кристалла в магнитном поле наблюдается вращение плоскости поляризации света, распространя­ ющегося вдоль поля (эффект Фарадея), и двойное луче­ преломление (эффект Фохта, пли Коттона — Муттона).

Эф$гкт Фарадея. Угол поворота плоскости поляри­ зации В пропорционалеп разности показателей прелом­ ления лево- и правополярнзованнои компонент электро­ магнитной волны, т. е.

0 = ^ ( v + _ v _ ) .

(3.30)

Поскольку V-J- имеет особенности, связанные с зонной структурой кристалла и с ее изменениями при наложении магнитного поля, то целесообразно рассматривать две области частот и полей:

1) co>cog, В — велико и 2) co^Ccog, В -> 0.

В первом случае особенности угла поворота будут находиться при частотах а> = о)„, как следует из

3.2]

М А Г Н И Т О О П Т И Ч Е С К И Е Э Ф Ф Е К Т Ы

133

1/2

(3.31)

Хп (со„ — ю) т, Y — -j-ges$Ilz;

А — коэффициент, включающий матричный элемент пря­ мого разрешенного перехода из валентной зоны в зону проводимости, эффективные массы электронов и дырок, а также некоторые мировые копстаиты, подобно выра­ жению для А в (3.7). Член формулы (3.31) в фигурных скобках описывает осциллирующий характер зависи­ мости Q(со). Кулоновскнм взаимодействием электронов

идырок при выводе (3.31) пренебрегалось.

Вработе [93] межзонпое вращение экспериментально исследовалось в образцах толщиной — 5 мкм с концен­

трацией примесей от 101 6 до 101 7 см~3ъ импульсном маг­ нитном поле до 100 кгс при 77° К. На рис. 3.28 показаны экспериментальные результаты в области энергий от 1,51 до 1,57 зв, где видны О С Ц И Л Л Я Ц И И вращения и зависимость величины угла поворота (а в области 7ш^1,52 зв и знака)

от

концентрации примеси. Расчет 0(со) был

выполнен

по

теории [75] в предположении, что вращение

происхо­

дит

за счет

переходов между уровнями Ландау,

причем

экситонный

эффект учитывался лишь как сдвиг

энерге­

тических уровней Ландау на величину энергии связи экситона. Результаты расчета зависимости 6(со) показаны на рис. 3.28 для различных значений времени релаксации

межзонных

переходов

из ветви легких

T W I И тяжелых

%hh дырок

в зоиу проводимости. Предполагалось, что

с ростом концентрации

примесей %ц, и Т/Л

уменьшаются.

Удовлетворительное согласие между расчетными и экспе­ риментальными амплитудными значениями угла пово­

рота

получалось при

величине

матричного

элемента

Во

1 =6,15

вв.

магнитное

поле мало

деформи­

втором

случае

рует энергетический спектр кристалла, поэтому из зави­ симости 0(со) могут быть определены параметры зон

134

О П Т И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А

[ГЛ . 3

невозмущенного кристалла. Следуя работе [74], зависи­ мость угла поворота от частоты для прямых разрешенных

_ J

I

1

I

I

I

i _

1,51

 

1,53

 

1,55

 

1,57

 

 

 

 

 

Ьсо,

эв

Рис. 3.28. Спектры осцилляции межзонного эффекта Фарадея[93].

В в е р х у — э к с п е р и м е н т а л ь н ы е р е з у л ь т а т ы д л я о б р а з ц о в с к о н ц е н т р а ц и я м и

э л е к т р о н о в : 1 — 8 , 8 - Ю 1 * ;

2 — 2 , 5 - Ю 1 5 ; 3 — 9 , ( М О " ; 4 — 8 , 8 - Ю 1 0

с и - 8 .

В н и з у —

расчетные з а в и с и м о с т и

д л я р а з л и ч н ы х

в р е м е н р е л а к с а ц и и

л е г к и х

( т ; д . 1 0 1 3 ,

сек) и

т я ж е л ы х

( Т д д - Ю 1 3 , сек)

д ы р о к ;

5

4,00;

3,50; 6

— 1,75;

 

 

1,50;

7 — 1,00;

1,25;

* —

0,40;

0,80

 

сек.

 

 

межзонных

переходов

представим

в

виде

 

 

 

 

 

е =

е 0 /(*),

0О

= 4 я

'

 

 

 

f [ ^ )

^

= 4 I d + * ) - 1 / 2 - (1 - т

1 +

 

 

 

+

±

[2 -

(1 -

*)i/2 _

(1 +

х у

%

(з.зз)

3.2]

М А Г Н И Т О О П Т И Ч Е С К И Е Э Ф Ф Е К Т Ы

 

135

 

 

где D — не зависящий от частоты коэффициент, подобный

коэффициенту

 

А

в (3.7),

включающий,

кроме

того,

g'-факторы зои проводимости

и валентной.

Практически

это громоздкое

выражение

в

области co^cog приводится

к более простому [65, 66]

 

 

 

 

 

 

 

6 =

Ш/ГоД

(3.33)

показывающему,

что угол

поворота за счет

прямых

раз­

решенных переходов может быть положительным или

отрицательным,

в

зависимости от

соотношения

g-факто

ров

зон, если они

простые;

в,

грао

 

 

 

 

вкладом

верхних

 

(глубоких)

 

 

 

 

вон

пренебрегается.

 

— 1 1

1 —

1 г —

,

,

 

 

 

 

 

 

 

На рис. 3.29 показаны две

 

V

 

 

300

спектральные

 

зависимости

 

 

 

 

 

 

 

Ю.Зкгс

0(/\)

при 300° К в поле 10,3

 

 

 

 

кгс

для

образцов

re-GaAs

 

 

 

 

 

 

с

концентрацией

 

носителей

 

 

 

 

 

 

1,5.10й и 1,5-10"

с м - 3 , г д е

 

 

 

 

 

 

видно, что угол

поворота в

- \г

 

 

 

 

чистом кристалле при со -><»g

 

 

 

 

становится

отрицательным, в

-1

 

 

 

 

то

время как у

 

легирован­

 

 

 

 

 

 

0,9

1,1

1.3

 

1.5

ного образца инверсии 8(со) не

 

 

 

 

 

 

 

Л,№1

наблюдается[79,87,88,91,92].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

охлаждении

до 77° К

Рис.

3.29.

Спектры

межзон­

точка инверсии

 

сдвигалась

 

ного эффекта Фарадея для об­

в

коротковолновую сторону,

разцов с различными концент­

в

согласии

с

термическим

рациями

электронов

[88].

коэффициентом

запрещенной

1 — 1 , 5 - Ю " ; 2 — 1 , 5 - i O 1 1

с м " » .

 

 

 

 

 

 

зоны

арсенида

галлия (см.

 

 

 

 

 

 

рис.

3.13),

что

позволяет предположить

ответственным

за отрицательное вращение межзонный переход между абсолютными экстремумами зон, а за положительное —• переход между глубокими зонами. Кроме того, вклад в положительное вращение дает эффект заселенности зон.

Сравнение экспериментальных точек в области поло­ жительного вращения с зависимостью (3.32) позволило определить ge t f=3,2 в согласии с теоретической величи­ ной 3,6.

Поглощение. Спектральная зависимость коэффициента поглощения для прямых разрешенных переходов между

136

О П Т И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А

[ГЛ. 3

простейшими зонами, без учета спинового и спин-орби­ тального вырождений, может быть представлена форму­ лой [75]

 

 

Ks = ™Ii(a>-<on)-l>z,

 

(3.34)

где D — коэффициент,

подобный А

в (3.7). Если ввести

в эту формулу

феноменологический

параметр затухания

 

 

 

 

Т а б л и ц а ЗЛО

Поляри­

 

 

я

 

а_

зация

 

 

 

Разре­

\па±у~>-

\паУ

|na±>->- |«p>

|/г+2,

а±>->- |геа >

шенные

 

 

 

 

 

переходы

1лЬ±>-> |гар>

|в+2, Ь ± > - | я а > |п+2,

Ь±>-Ч"Р>

1 — время релаксации,— который будет также опреде­ лять п ширину полос, то поглощение будет осциллиро­ вать с частотой, достигая при со = юп максимальных ко­ нечных значений [75].

1(В)//(0)

 

 

 

 

 

 

 

i

\

/

\

В-92,5кгс

л

а+

\

 

l / v

7 7

° *

 

^

 

 

 

П-спектр

 

В\\[ЮО\

t

 

T t

0 ?

f , ?

4

' !

д ? !

1,51

 

 

1,55

 

 

1,60

Ьо),эВ

 

 

 

 

 

 

 

РИС. 3.30. Спектр ОСЦИЛЛЯЦИИ прозрачности во впешием магнитном

поле [89].

Внизу — вычисленные значения сил осцилляторов для оптических переходов из ветвей легких и тяжелых дырок в зону проводимости.

Правила 'отбора для прямых разрешенных переходов с учетом спина и мультиплетпости валентной зоны имеют вид, показанный в табл. 3.10 (обозначения уровней со-

3 . 2 ]

М А Г Н И Т О О П Т И Ч Е С К И Е

Э Ф Ф Е К Т Ы

137

ответствуют

рис. 3.27) [89]. Символы о^_, о _ и я

означают

поляризации: о+ и О - л е в о - п

правоциркулярио поля­

ризованный свет, распространяющийся вдоль магнитного

поля, я — свет линейно

поляризован (Е || В), а

распрост­

раняется

перпендикулярно

полю.

 

Результаты экспериментальных исследований высоко-

омпого

образца GaAs

с

концентрацией электронов

п ^

101 2

см~3

и подвижностью — 5 ООО см2/в-сек

показаны

на рис. 3.30 для я-излучения,

Ыгг6

 

проходящего

сквозь свобод-

 

иый

ориентированный (В ||

 

 

||[100]) образец толщиной ~

~4 мкм при 77° К. Нижняя половина рис. 3.30 содержит результаты расчета по форму­ ле (3.34)с учетом правил отбо­ ра табл. 3.10 для интеисивностей переходов. Как видно, результаты эксперимента достаточно хорошо согласу­ ются с расчетом, в котором не учитывается отсутствие центра инверсии в решетке GaAs.

На рис.

3.31 показаны за­

 

 

 

 

 

 

 

висимости

максимумов

по­

 

 

 

 

 

 

 

глощения от индукции магни­

 

 

 

 

 

 

 

тного

поля, сплошные линии

 

 

 

 

 

 

 

вычислены с учетом кулонов-

 

 

 

 

 

 

 

ского

взаимодействия

носи­

 

 

 

 

 

 

 

телей

и

определена

энергия

 

 

 

 

 

 

 

связи

экситона

при

В = 0

Рпс. 3.31. Зависимости от маг­

8ех(Г)=3,4 мэв, а также уста­

нитного

поля энергий

мини­

новлен рост е е к

прп увеличе­

мумов в я-спектре прозрач­

нии магнитного

поля.

 

ности

для

различных

опти­

При

анализе спектров вы­

ческих переходов

[89].

i —

| я а — > - > 1 п р

>,

 

 

числены

эффективные

массы

| Я + 2 ,

Ь —

> - М п с х

>,

 

 

в абсолютных

экстремумах

j

 

1 п а — ) - И п | 3 >.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зон при 77° К: для электронов тПа =0,067 + 0,002т0 ,

тяже­

лых

дырок 7^=0,45 + 0 , 0 5 т 0 ,

легких

дырок т а = 0,082 +

+ 0,006

?щ. Величина спии-орбитального

расщепления

Д =0,33

эв.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

138

О П Т И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А

[ Г Л . 3

3.2.2. Внутризоиньге эффекты. При энергиях fia<^e8 магнитооптические эффекты возникают из-за взаимодейст­ вия фотонов со свободными носителями, а также из-за переходов электронов между ветвями сложной зоны. В^первом случае задача теоретически решается достаточно наглядно с помощью кинетического уравнения Больцмана, н в простейшем предположении изотропных эффективных масс носителей m „ i P и времени релаксации т П ( Р получает­ ся выражение для тензора удельной электропроводности

 

 

вхх

0"iy

0

 

 

 

а = Оух

 

0

(3.35)

 

 

0

0

O'zz

 

г Д е

_

_ " f e » ^ ( " v p ' + ' m )

 

 

 

( T n . P + ' e ) + Ш о

 

 

 

ш ре со8 о

 

Be

 

 

O'zz = _ t

, .

= «Х-;

OJc =

 

 

Хп,р

+ Ш

 

n'p

 

 

Оптические

константы,

связанные с

(3.35),

зависят

от ориентации

магнитного

поля,

направления

распрост­

ранения света и электрического вектора световой волны. Рассмотрим два частных случая — продольный и попе­ речный, когда вектор распространения параллелен или перпендикулярен вектору индукции магнитного поля В .

Продольное распространение. В этом случае линейнополяризованный свет удобно представить совокупностью

лево- и правоциркулярно

поляризованных компонент,

эффективная электропроводность

для которых

равна

ог± ='схх!±'*сг*„ =

_ t

&}*fU- - Г .

(3.36)

где знак «-|-» соответствует лево-, а «—»— правополяризованноп компоненте.

Из (3.36) видно, что при <в ->- <вЕ а± имеет особенности, •соответствующие резонансному поглощению энергии, ко­

торые

проявляются тем отчетливее, чем лучше выполня­

ется

условие U ) C T i P Э>1.

S.2]

М А Г Н И Т О О П Т И Ч Е С К И Е

Э Ф Ф Е К Т Ы

139

На

основании (3.36), налагая

практически

выпол­

нимые

ограничения: сор >сос (слабое магнитное

поле),

<йЛг,р^>1 (инфракрасная область спектра), v 2 ;> £ 2 (малое

поглощение),

получим формулу

 

 

4

1

со2

(3.37)

 

со(со + сос) J

 

 

которая при

В = 0

совпадает

с (3.18).

 

Отражение. В спектре отражения легированного кри­ сталла плазменный минимум при частоте тщ в магнитном

поле

расщепляется таким образом, что частоты миниму­

мов

связаны соотношением

 

 

 

 

0 ) 1 , 2 ^

1

+

1 ш с

(3.38)

 

СОр + -Y СОс

Х о Г '

причем расстояние между ними

(в шкале

частот) равно

 

Ли) = 0)2 00х =

СОс

 

т. е. позволяет непосредственно определить

эффективную

массу

свободного носителя.

 

 

 

Эффект Фарадея.

На основании (3.30)

и (3.37) при

условии v2 ^>£2 ; C U > C O P ^ > C O c угол

поворота

плоскости по­

ляризации на свободных носителях может быть выражен рормулой

e„d со^со.

откуда следует, что угол поворота пропорционален кон­ центрации носителей и обратно пропорционален квадрату эффективной массы ??iF, определенной по эффекту Фа­ радея, поэтому из зависимости v0~X,2 величина mF может быть определена без анализов механизмов рассея­ ния, если концентрация носителей не является зави­ сящей от механизмов рассеяния. Так как формула (3.39) содержит квадрат эффективной массы, то погрешность AmF/mF при прочих равных условиях меньше, чем при отражении.

Анализ формулы (3.39) для различных типов зон по­ казал [67, 83, 94], что величина mF . в общем случае от­ личается от тк, определяемой из минимума в спектре отражения.

1) Простейшая зона состоит из одной ветви с квад­ ратичным законом дисперсии, изоэиергетические

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ