Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Аграновский, К. Ю. Основы теории радиоэлектронных систем морских объектов

.pdf
Скачиваний:
54
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
13.1 Mб
Скачать

фокусного отрезка относительно реального объекта. Аналогичным об­ разом задаются параметры сплюснутого эллипсоида вращения и дру­ гих расчетных моделей. Далее определяются необходимые физические параметры окружающей среды и соответствующие параметры расчетной модели — электропроводность, плотность и т. п. В значительном числе случаев нас не интересует поле внутри управляющего объекта и поэтому желательно выбрать физические параметры расчетной мо­ дели таким образом, чтобы исключить из рассмотрения внутреннее поле.

Должны быть также заданы относительное расположение и ин­ тенсивность эквивалентных источников поля. Эквивалентные источ­ ники (точечные, дипольные, мультипольные либо распределенные, например, витки с током) могут располагаться либо на самой поверх­ ности расчетной модели, либо на заданном расстоянии от нее. Должна быть задана эквивалентная реальной интенсивность этих источников. Заметим, что в качестве характеристики эквивалентного источника может быть задана интенсивность и ориентация по отношению к рас­ четной модели внешнего однородного поля. В такой постановке мы приходим к необходимости решения неоднородных уравнений поля при однородных граничных условиях на поверхности расчетной мо­ дели (если источник расположен вне поверхности модели). Если ис­ точники расположены непосредственно на поверхности модели, то задача расчета усложняется, поскольку они вносят особенность в гра­ ничные условия на поверхности модели. Поэтому часть эквивалентных источников вначале располагают вне поверхности расчетной модели, определяют физическое поле, а затем совершают предельный переход, помещая источники непосредственно на поверхность модели.

Другой способ введения источников поля осуществляется с помощью задания неоднородных граничных условий на поверхности расчетной модели. При этом должна быть задана интенсивность и закон ее рас­ пределения по поверхности модели. Чтобы избежать серьезных вы­ числительных трудностей, не следует задавать смешанных граничных условий (к примеру, задавать на одной части поверхности модели значение потенциала, а на другой плотность стекающего тока — зна­ чение его нормальной производной).

Кроме того, должны быть заданы предельные условия, описываю­ щие характер убывания управляющего поля на бесконечности. Эти условия могут быть записаны в виде оценок степени убывания векто­ ров, потенциалов поля или сочетания их величин и производных. На­ пример, для электрического потенциального поля

(5.1)

управляющего объекта или в виде так называемого условия излучения, накладываемого на скалярный потенциал ф волнового поля,

(5.2)

120

Эти же условия в ряде случаев удобнее задавать в виде интеграль­ ных соотношений, относящихся непосредственно к интенсивности источников управляющего объекта. Так, например, условие (5.1) рав­ нозначно требованию электронейтральности системы. Оно заключается в том, чтобы сумма токов, стекающих с одних участков (Sx) поверхности модели, равнялась сумме токов, втекающих на остальную часть поверх­ ности управляющего объекта (S2):

Сформулированных условий достаточно для однозначного опреде­ ления поля управляющего объекта.

Для оценки управляющего поля необходимо задаться (исходя из типа измерительных датчиков и их расположения по отношению к управляющему объекту) точками, линиями или поверхностью, на которых необходимо определить рассматриваемые характеристики поля. Такими характеристиками могут быть измеряемый вектор либо его отдельная компонента, потенциал либо интегральная ха­ рактеристика поля, например, поток нормальной компоненты век­ тора через площадь поперечного сечения измерительного датчика; распределение объекта вдоль определенной линии — траектории пе­ ремещения объекта сдатчиком, если управляемый объект перемещается при работе радиоэлектронной системы и т. п.

В отдельных случаях измерительная система может быть построена таким образом, что непосредственно измеряется интенсивность источ­ ников управляющего объекта. В этом случае искомой величиной бу­ дет соответствующий параметр в выражении, описывающем физичес­ кое поле. Основное выражение (4.63) обычно связано с общим пред­ ставлением произвольного физического поля в виде разложения по элементарным мультиполям — основным интегральным характе­ ристикам источников физического поля. В этом случае искомыми ве­ личинами как раз будут являться мультипольные моменты (особенно дипольные моменты) источников поля управляющего объекта.

Исходя из тех же принципов, производится построение расчетной модели для активной системы. Управляющий объект заменяется рас­ четной моделью в виде простейшего тела в соответствующей системе координат (аналогично пассивной системе). Излучающая система, смонтированная на управляемом объекте, заменяется эквивалентными элементарными источниками поля (точечными, дипольными, одно­ родным полем и т. п.); задается их интенсивность и расположение относительно управляющего объекта. Кроме того, задаются предель­ ные условия для суммарного управляющего поля, расположение то­ чек наблюдения и подлежащие определению параметры физического поля.

Следует еще раз отметить, что построение расчетной модели яв­ ляется одним из ответственных и сложных моментов в определении управляющего поля. В ряде случаев требуется провести большие и трудоемкие предварительные исследования по определению задавае­

121

мых параметров. Такой, например, является задача определения ин­ тенсивности эквивалентных источников излучающих устройств ак­ тивной системы. Последняя задача аналогична задаче определения управляющего поля пассивной системы. В ряде случаев для нахожде­ ния эквивалентных параметров измерительно-регистрирующих уст­ ройств обеих систем требуется определить интенсивность физического поля на поверхности управляющего объекта, в местах установки дат­ чиков измерительной системы, затем получить эквивалентные характе­ ристики датчиков для безграничной среды.

В заключение необходимо подчеркнуть, что в большинстве случаев эквивалентные параметры расчетной модели (геометрические размеры, взаимное расположение, интенсивность источников и т. п.) даже при совершенно определенных объектах, точно известных режимах работы приемно-излучающих систем, параметров окружающей среды бывают определены весьма приближенно. Их уточнение может привести к большим материальным затратам, а иногда встречает непреодолимые трудности. Поэтому в ряде случаев эти параметры приходится пола­ гать не детерминированными, а случайными (для того чтобы перекрыть возможную неточность их задания). Это, в свою очередь, ограничивает возможности дальнейшего использования полученных решений (на­ пример, для целей разграничения классов объектов в системах рас­ познавания) и снижает точность выводов, получаемых на их основе.

Перейдем к расчету управляющих воздействий. В качестве расчет­ ной модели объекта остановимся на эллипсоиде вращения, частным случаем которого является сфера. Примем в качестве управляющего потенциальное поле. Введем вытянутую сфероидальную систему коор­ динат £, г|, а. Подобные физические поля (см. гл. 4) характеризуются одной скалярной функцией — потенциалом, удовлетворяющим урав­ нению Лапласа AU = 0.

Общее решение этого уравнения в виде разложения (см. 4.63) по собственным функциям уравнения Лапласа в принятой системе коор­ динат (присоединенным функциям Лежандра) представляется в виде

(5.3)

Рп(1) 1 < S < со

Константа разделения к = т2, т = 0, 1, 2, . . . , п принимает целочисленные значения, исходя из требования периодичности реше­ ния по а. Константа разделения т = п (п + 1), где п — 0, 1, 2, . . . , принимает целочисленные значения на основании требования ограни­ ченности решений в диапазоне ц £ [—1,1].

Второе решение Q% (г)) отброшено, поскольку оно имеет особенности на промежутке определения —1 ^ 1. Разложение только по Р™ (|) берется в тех случаях, когда в область определения поля вхо­

дит I = 1, а только по Q™(£) в случае, если область не ограничена,

122

£ -< с». В области 1 < £ < со в общем решении должны быть сохра­

нены обе функции Рп (|) и Q™(£).

Рассмотрим одну из наиболее распространенных типовых моделей — вытянутый эллипсоид вращения | = £0 в поле элементарного точечного источника интенсивностью I, расположенного в точке с координатами

Будем искать решения уравнения Пуассона:

AU = I6(tv r\q, aq).

В виде суперпозиции частотного решения неоднородного уравнения (поля точечного источника в безграничной среде) и общего решения (5.3) однородного уравнения (Лапласа), коэффициенты которого опре­ деляются таким образом, чтобы учесть искажения, вносимые эллипсои­ дом. Для определенности рассмотрим стационарное электрическое поле в среде с электропроводностью у. Эллипсоид будем считать идеально проводящим (для объектов, корпус которых изготовлен из металла), полагая потенциал на его поверхности

и = и 0, 1 = 10;

(5.4)

либо изоляционным (для объектов, корпус которых изготовлен из

диэлектрических материалов),

тогда

 

3 U

J_ [dU_

(5.5)

д п

h t

о, l = U-

д%

 

Электрическое поле, создаваемое точечным источником тока в без­

граничной среде, описывается выражением

 

U1

/

(5.6)

4nyR

 

 

где R — расстояние от точки расположения

источника (£9, f\q, aq) до

точки наблюдения (£, тр а).

 

 

Поле точечного источника может быть представлено в виде разло­ жения типа (5.3). Используем известное представление обратного

расстояния

[14] в виде разложения по сфероидальным функциям

 

 

сю

п

Qn (£) Рп (л) Р'п ( i 9) [An4cos та + В Т sin та],

(5.7)

4 =

2

2

R

п= 0т

 

 

 

 

=

00

п

Рп (!) р тп Ol) Qтп (19) [AТ

COS та + В Т sin т а ], К l q, (5.8)

2

2

R

л=0 т=О

 

 

 

 

где

 

mq

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AZ =

(2п +1)(— 1)"

( п — от)!

2P : ( \ ) C0Smaq’

(5.9)

 

В Т

f

(п + от)!

sin тап,

 

причем б0т = 1, если т — 0 и 80т = 0 при т Ф 0; f — полуфокусное расстояние сфероидальной координатной системы.

Это разложение может быть получено также непосредственно в ре­ зультате решения вспомогательной граничной задачи [19].

123

Б удем искать поле искаж ения эллипсоида в виде разлож ен ия

Н2 = 2 2 (я” cos ma + bmsin та\ Q™(£) (т)), £ > £0 (5.10)

снеопределенными постоянными коэффициентами. Суммарное поле представляется в виде

и ~ и х-\-и2.

(5.11)

Подставляя выражения (5.6), (5.8) и (5.10) в граничное условие (5.4) на поверхности эллипсоида и приравнивая постоянные коэффи­ циенты при одинаковых функциях, находим

атп

 

 

 

К

Qmn\i о)

B V

(5.12)

 

 

 

„0_Мо(боК&)>С

Таким образом, если настоящая расчетная модель относится к ак­ тивной системе, то управляющее воздействие будет описываться вы­ ражением (5.10) с коэффициентами (5.12).

Если приведенная модель описывает поле управляющего объекта в пассивной системе, то управляющее воздействие определяется по формуле (5.11), где Ux выражается в виде (5.6) непосредственно либо с учетом (5.7) — (5.9). Если потребовать, чтобы весь ток, стекающий с точечного электрода, попадал на эллипсоид, то необходимо соблю­ дать равенство

^o = ^ [ Q o ( y - Q o ( ^ o ) ] -

(5-13)

Если управляющий объект изготовлен из диэлектрического мате­ риала, решение ищется в том же виде и описывается аналогичными

разложениями

как для активной, так и для пассивной системы, но

с другими постоянными коэффициентами.

Подставляя

выражения (5.6) — (5.11) в граничное условие (5.5),

дифференцируя их и приравнивая коэффициенты при одинаковых функциях, находим неопределенные постоянные коэффициенты

а

т

Q"

ЛmQ

(5.14)

п

■tt-n

»

Ьт

'-и

в

mq

 

 

 

II

 

 

 

 

При построении расчетной модели пассивной системы иногда бывает удобно располагать точечный источник тока непосредственно на по­ верхности эллипсоида. Для этого достаточно совершить предельный переход в полученных выражениях, полагая \ q | 0.

Совершая предельный переход (корпус диэлектрический) и исполь­ зуя соотношение

Р п { l ) Q Z { l ) - P mn ( l ) Q n ( I )

( - 1)т (га + ОТ)!

(5.15)

£2-

(га — от)!

 

124

получаем после несложных преобразований:

и =

/

( - i)m (я + от)! X

4 п у п—0 т=О

 

( п — т ) \

0'п

Х ^г^—-Р ™ ^) [Л ^ с о э т а Ч -B ^sinm a] . (5.16) (о)

В частном случае, когда точечный источник расположен на оси эллипсоида в его вершине r\q = 1, выражение (5.16) упрощается и с учетом (5.9) переходит в равенство

 

I

00

 

 

и =

(2п + 1) Qn (£)

Р п (л )-

(5.17)

л у /(|а — 1)

Qn

4

 

 

 

 

лп

 

 

Если расчетная модель представляет собой диэлектрический эл­ липсоид, в вершинах которого r\q = 1, — 1 расположены то­ чечные источники тока / и — / (они присоединены отрезками кабеля

кклеммам источника э. д. с.), то поле такой модели с учетом Рп (—х) =

=(— 1 )пРп (х) выразится разложением:

ОО

 

 

 

U =

А п

 

% п + \ (^о) ■ Q * , + i < £ ) P * . + l t o ) -

(5 Л 8 )

2 п у ( |2 — 1) 2

п

 

 

 

Пример численных расчетов

для

этой модели представлен на

рис. 5.1. Соотношение длины эллипсоида к его ширине равно 10. Кри­ вые приведены для прямой, параллельной оси эллипсоида и отстоя­ щей от нее на расстоянии 0,4 f.

В случае, когда корпус объекта является проводящим (а в рас­ четной модели — идеально проводящим), поместить точечный источ­ ник тока непосредственно на его поверхность нельзя. Он должен быть расположен на некотором расстоянии от него.

Если в активной системе управляющий и управляемый объект на­ ходятся на значительном по сравнению с их размерами расстоянии, то поле, возбуждаемое управляемым объектом в месте расположения управляющего объекта, приближается к однородному. Поэтому пред­ ставляет интерес определить поле эллипсоида вращения во внешнем однородном поле. Это поле можно получить независимо, полагая по­ тенциал ориентированного вдоль оси х однородного поля с напряжен­

ностью Е 0 в виде

U0R = Е 0х, либо предельным переходом из по­

лученных ранее

выражений

(5.10) — (5.14),

устремляя \ q -> оо,

I -> оо, одновременно принимая, что

 

 

lim —5- = — Е 0.

 

Используя асимптотические

формулы при

больших значениях £

 

Рп(1У

(2л) I

(5.19)

 

2Пп \ (га — т ) \

 

 

 

125

( — \ ) mn\ (n -f m)l 2n

(5.20)

(2я + 1)! e/i+l

получаем с учетом £ « r/f, r| = cos 0

l i m y Q0 (£?) = oo, l i m 3 y Q1(£?) = -fE0

и при м*> 1

lim - y (2n+ 1)Q„ (E,) = 0.

Exo Ho

Удаляя точечный источник вдоль оси симметрии эллипсоида в бес­ конечность, получаем (для идеально проводящего эллипсоида):

U ^ - E o f P A D P A n ) ,

(5.21)

и 2 = fEo

Pi Сп) + 7 ^ - Qo&■

(5.22)

4 1 \Ъ0)

4 0 (£о)

 

Обычно U0 = 0, поскольку на эллипсоид не подается принуди­ тельный потенциал. Если однородное поле действует перпендику­ лярно оси симметрии эллипсоида таким образом, что

Uj = —fE0P\ (I) Р\ Сп) cos а,

(5.23)

126

то, полагая U0 = 0, получаем

Q} (£) Ol) cos а.

(5.24)

При диэлектрическом корпусе объекта формулы (5.10) и (5.14) переходят в следующие выражения для продольной и поперечной ори­ ентации однородного' поля соответственно:

(5.25)

(5.26)

В рассмотренной основной модели в качестве источника поля ис­ пользовался элементарный точечный источник. Однако в ряде случаев система источников имеет более сложную структуру. Так, для маг­ нитного и стационарного электрического поля в проводящей среде уединенный точечный источник не может быть физически осуществлен в силу соленоидальности этих полей. Поэтому элементарным для этих полей является дипольный источник. Потенциал диполя, помещен­ ного в точку с координатами £?, г]9, aq, описывается выражением

(5.27)

тивоположного знака; индексом q отмечена операция вычисления градиента по координатам точки источника.

Если обозначить через Pg, Рл и Ра составляющие вектора Р вдоль осей сфероидальной системы координат, то последнее выражение можно переписать следующим образом:

На основании этой формулы, используя (5.7) — (5.9), несложно получить представление поля диполя в виде разложения по сферои­ дальным функциям.

Далее, используя найденное разложение и повторяя вычисления, проведенные для точечного источника, легко можно получить анало­ гичные (5.7) — (5.9) формулы и для дипольного источника.

Более сложные источники описываются мультиполями более вы­ сокого порядка. Поля подобных мультиполей могут быть получены аналогичны полю диполя путем соответствующего многократного дифференцирования величины 1 /R. Следовательно, могут быть полу­ чены представления этих полей в виде разложений по функциям

127

Лежандра и определено поле эллипсоида в присутствии этих источ­ ников.

Распространенными расчетными моделями управляющих объектов пассивных систем и излучающих устройств активных систем являются модели с заданными на их поверхности неоднородными граничными условиями.

Рассмотрим типичную модель. На участке поверхности эллип­ соида, ограниченном координатными линиями, задано значение по­ тенциала срх, отличное от значения потенциала <р2 на остальной части его поверхности.

J«Pi.

£ =

Л (z [%>

%]. a £ [ « i .

«г].

|ф2>

£ = £о»

Л^[Л1»

Л2]>

агЬ

Пусть ФХ> Ф 2- Тогда можно положить фх == ф2 +Дф и переписать последнее условие в виде

£ / = ф 2 + Лф

g = g 0 ^ [ Л ь

Л,Ь

«.]

0

Л0Л1,

ЛгЬ а ^ [ а 1;

а 2]

Потенциал подобной системы ищется в виде стандартного для вы­ тянутого эллипсоида вращения разложения (5.3). Подставим это вы­ ражение в левую часть граничных условий. Положим £ = £0. Домно-

жим обе части полученного равенства последовательно на Р™(л) cos т а ,

Р™(у\) sin т а .

Проинтегрируем в пределах от — 1 до + 1

по т) и от

О до 2я по а.

Используя условия ортогональности и нормировки три­

гонометрических функций и функций Лежандра,1 получим

 

а л

Дф (2га +

1) (га — гаг)!

Лг

cos т а

dr\da,

(5.28)

 

2л$п (£о) (п +

тУ-

J I

sin т а

К

T|i “i

 

 

 

а о =

Фг

I (Л1 — Лг) (°Л — «2) д

 

(5.29)

 

0 Qo (£о)

 

4nQ0 (£0)

 

 

 

Если потребовать, кроме того, выполнения условия электроней­ тральности, которое соответствует требованию а° = 0, то необходимо

положить

ф2 —

1 — Лг) («1 — «а) Д(})

4л

1 Согласно условию ортогональности

1

О,

п ф к ,

Р п(Л) P'k (л) dr\ =

(га + гаг)! 2

га = к,

 

(га — гаг)! 2га +

1

2я

О,

J cos гага cos kad a =

о

я,

m + k,

m = k, т ^ > 0.

128

Следует заметить, что далеко не все граничные задачи, даже для эллипсоида вращения, являются легко разрешимыми. Покажем это, принимая в последней задаче более сложные граничные условия — так называемые условия третьего рода.

Ограничимся рассмотрением осесимметричной модели. Запишем граничные условия в виде

ап =

1 = 10,

0 < т ]< 1 ,

(5.30)

 

 

 

U — 62^ - ф 2 .

1 = 10>

— 1 < г ] < 0 .

 

д п

 

 

 

Общее решение для осесимметричного случая

 

00

 

S > S 0> 1 .

(5-31)

U=%<*nPn(4)Qn(l),

п—0

 

 

 

Используя значения коэффициентов Ламэ, перепишем граничные ус­ ловия в виде

U-

V & -

d U

 

 

 

— = ср2 + Аф, 0 < т ]< 1 ,

 

 

д'

 

(5.32)

 

 

 

 

U- k2 V i i - 1 d U

: Фг>

1 < т )< 0 ,

 

I V Й - ч г

95

 

 

где

ф1 = ф2 + Аф-

Подставим выражение (5.31) в последние граничные условия. Домножим обе части полученного равенства на Pt (rj). Проинтегрируем по г] в пределах + 1. С учетом условия ортогональности полиномов Лежандра получаем следующую бесконечную систему алгебраиче­ ских уравнений:

Л/~

__ 1

оо

 

 

4 Q o (So)---- —

f;-------2

a, [* i +

( - l ) ' * a] X

 

f

i=o

 

 

Г Pt(r\) -

M =

= 2<p3 + Aq>

di J

 

К й - Ч !

 

ДЛЯ n = О и

Qn (So) - ^ 7

/

— ^ 1

a t [kL-+

( ■ - 1 / k 2] x

2я 4- 1

i=o

 

 

v d C U (lq)

 

Г P i ftl)

P n

=

J V > 0- r , 2

129

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ