книги из ГПНТБ / Физико-химические основы процесса химического кобальтирования
..pdfРис. II. Микрофотографии шлифов поперечного среза Со—1’-покрытий (Х '1300^
а, б — исходное состояние (4,3 и 5,3 вес.% фосфора соответственно); о, г — после терми* ческой обработки (5,3 вес.% фосфора) в течение 1 часа при 350 и 750° соответственно
Рис. III. Іекстурограммы от Со— Р-покрытий, содержащих 5,3 uec.%
фосфора
а |
исходное состояние; б, в — после термической обработки в течение і часа при 350 |
и |
750° соответственно |
*, Р Заказ 3Ü7U
Рис. IV. Микрофотографии шлифои поперечного срозаіиикрытиіі (X 1300)
а — Со—P-покрытия; о — Со—W—Р-понрытшт
Г ь
о
і
'a ,
Рис. V. Микроструктура Со—Ni —P-покрытии (X 1000) [73]
а — до термообработки; б — после термообработки
Рис. VI. Микрофотография по верхности Со—ѴѴ—Р-иокрытиіі
(Х440)
Концентрация гипофосфита натрия в растворе: а — 20 г/л (поверхность бле стящая); б — 00 г/л (поверхность матовая)
Рис. VII. Микрофотография по верхности Со—W—Р-покрытий
,Х 440)
Температура раствора:
а — S0; 6 — 90; в — 07,5°С
7*
Рис. VIII. Микрофото графии шлифов попереч ного среза Со—W—Р- покрытнп, содержащих
10 вес. % W н 2 вес. %
Р(X 1200) [114]
а— исходное состояние;
б, в, з — после отжига в те чение одного часа при 350» 550 и 750 °С соответственно
Рис. IX. Текстурограм мы от Со—W—Р-покры- тий, содержащих 12,7 вес.% W и 2 вес.% Р
а— исходное состояние;
ß— после отжига в течение
1 часа при 750° С
Рис. X. М и к р оф отогр аф ия ш лиф а п оп ер еч н ого |
ср еза |
С о — Z n — Р -п ок р ы ти я н а м едн ой осн ове (хЮОО) |
[161] |
Рис. XI. Микрофотография шлифа поперечного среза Со—Мп—Р-покрьттия на медной основе (X 1000) [16]
Рис. XII. Электронномпкроскопическая картина поверхности стекла пос ле обработки а 1%-иом солянокислом растноре хлористого олопа беа по следующей промывки в воде (X 12 000)
Рис. XIII. Электронномпкроскопическая (и) п мпкродифракцнониаи (б) картины поверхности стекла, подвергнутой сенсибилизации без последую щей промывки в воде и активированию (X 12 000) [144]
Рис. XIV. Электронномнкроскоинческая (а) к міікродііфракционная (б) картины поверхности стекла, подвергнутой сенсибилизации с последующей промывкой в воде и активированию (X 11 Ü0Ü) [144]
Рис. XV. Электропиомикроскопнческая (а) и мпкродпфракциоиная (б) кар тины поверхности стекла, подвергнутой сенсибилизации с последующей дли тельной промывкой в воде н активированию (X 12 000)
Рпс. ХМ . Элоктрошіомпкроскопп-
ческнр (л, б) и міікродііфракцпошіан
(«) картнпы пт Со — І’-оспдшш, нп- н р с р п п ы х на активированную новррх-
порп, |
ст оила, на ра.чли ч и ы х стадиях |
|
их роста (X Ж) 000) |
||
л — ю сек; 6 — ДО со,-; |
||
о міікродифракцппшіяя картина, coot- |
||
встстнующля миіфофптогрлфпн и |
||
Рис. XN11. |
• І.мрктрошюмпкроскоші- |
|
чрскан |
(«J и |
микроднфракционнал |
(б) картины от Со—Р-осадка после протекания фазовых превращении, нропс.ходящн.ѵ нод воздействием п у ч
и н электронов болыион пнтепснвио-
стн (X 10 UUU)
Рис. XVIII. Олсктропиомпкроскопячеекнс (а, б, в) п микродифракционная (г) картины от Со—W—Р-осадков, нанесенных на активированную поверхность стекла, на различных стадиях их роста (X 40 000)
а — 30; б — 45; в — 60 се к