14. Цоколёвочные мастики

Применяются для крепления цоколя к стеклу (неразъёмные соединения). По переходу из одной фазы (пастообразные, жидкие) в твёрдую мастики делятся на: 1) плавящиеся; 2) схватывающиеся (присоединение кристаллизационной Н₂О); 3) реакционные (постепенное протекание химических реакций между компонентами); 4) конституционные (отверждение в результате водоотщепления).

Соединение осуществляется: 1) путём адгезии (прилипания); 2) охватывание скреплённых деталей (фасонное крепление). Неприятное свойство некоторых мастик – водопоглощение и набухание (отвал цоколя или нарушение изоляции, если токовводы касаются мастики. Поверхности перед цоколеванием необходимо очищать от жирных и масляных пятен, ухудшающих адгезию. Для крепления пластмассовых цоколей (деталей) используются мастики с малой температурой отверждения (< 150^оС).

Плавящиеся мастики: 1) пицеин; 2) известково-саратная ; 2) новолаковая; 4) шеллачно-фарфоровая.

Схватывающиеся мастики: 5) ГИПС; 6) мраморный цемент; 7) портландский цемент; 8) силикат калия – окись магния; 9) силикат калия - отмученный мел.

Реакционные мастики: 10) свинцовый глёт –глицерин; 11) розовая мастика; 12) каолин и бура.

Конституционные мастики: 13) шеллачная; 14) бакелитовая (резолевая); 15), 16) силиконосмоляные.

Составы, режимы (временные и температурные) всех мастик можно найти в [1, т. 3, табл. 19-1], там же (табл. 19-4) – электропроводяшая мастика.

Б. ХИМИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ

И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

15.Электропроводность полупроводников

Рассмотрим возможные типы проводимости на примере чистого и легированного кремния.

Электроводность п/п i- типа проводимости

а) а) чистый п/п (Si) (низкие температуры), 1 чёрточка соответствует 1 электрону

б) б) чистый п/п (Si) при температуре 200^оС:- 1 электрон покидает своё место под воздействием теплового излучения;- на месте электрона образуется дырка, квазичастица, аналогичная электрону, но имеющая положи- тельный заряд

в) в) чистый п/п (Si) при приложении электрического поля, электрон перемещается против поля, дырка - в направлении поля. Электропроводность чистого п/п определяется формулой:

σ_i=enμ_n+epμ_p,

где е - заряд электрона, n- концентрация электронов,p- концентрация дырок,μ_n иμ_p- подвижности электронов и дырок (скорости перемещения частиц, имеющих единичный электрический заряд, в электрическом поле единичной напряженности).

Электропроводность п/п n-типа проводимости

Если в чистый п/п ввести атомы примеси из группы на единицу больше, чем группа самого п/п (дляSiэто элемент 5 группы, Р), то 4 валентных электрона Р образуют прочные электронные пары сSi, а избыточный 5-й электрон

имеет слабую связь с ядром Р. Даже при комнатной температуре этот электрон становится свободным. При приложении электрического поля (Е) происходит ток (перемещение электронов, дырок при этом не образуется.

Проводимость такого п/п: σ_n=enμ_n- это проводник с электронным типом проводимости (обозначения см. выше).

Электропроводность п/п р-типа проводимости

Если в чистый п/п ввести атомы примеси из группы на единицу меньше, чем группа самого п/п (дляSiэто элемент 3 группы бор, В), то 3 валентных электрона атома В образуют прочные связи с соседними атомамиSi, а 4-ая пара остаётся не заполненной, т.е. образуется дырка, при этом свободных электронов нет. При при ложении к такому п/п электрического поля (Е) происходит перемещение дырок, а его электропроводсть называется дырочной (р-типа) и определяется формулой: σ_р=eрμ_р(обозначения см. выше).

Зонные диаграммы для различных пипов п/п

Собственный п/п Примесные п/п

i-типn-тип р-тип

ЗП – зона проводимости, ЗЗ – запрещённая зона, ВЗ – валентная зона

ΔЕ – ширина ЗЗ, Е_с- дно зоны проводимости, Е_v- потолок валент- ной зоны, Е_д- донорный уровень, Е_д« ∆Е, Еа - акцепторный уровень, Еа « ∆Е.