Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Механика композитных материалов 5 1980

..pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
10.75 Mб
Скачать

УДК 539.3:678.5.06:539.2

В. Т. Томашевский, В. Н. Шалыгин, В. С. Яковлев

МОДЕЛИРОВАНИЕ УСЛОВИЙ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ В СТРУКТУРЕ НАМОТОЧНЫХ КОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ*

В последние годы в литературе неоднократно рассматривались при­ чины появления дефектов в структуре намоточных композитных поли­ мерных материалов (КПМ) в процессе их переработки в изделия. В настоящей работе предпринято комплексное исследование этой за­ дачи с построением математических моделей формирования полей напряжений и деформаций, выявлением условий возникновения и пред­ отвращения появления дефектов в виде трещин, расслоений, искривле­ ния арматуры в КПМ на всех этапах технологического процесса пере­ работки.

Этап I: намотка («сухая» или «мокрая») предварительно пропитан­ ного связующим армирующего материала (AM) на технологическую оснастку (оправку). На этом этапе создается предварительное натя­ жение AM для выпрямления волокон и уплотнения структуры КПМ. Определению возникающих при этом напряжений посвящен ряд работ [1, 2]. В [2] получены зависимости для расчета напряжений при на­ мотке с произвольным изменением усилия натяжения ленты и при допу­ щении линейной связи а —е — выражения для компонент деформаций, возникающих в КПМ на первом этапе переработки.

Этап II: нагрев намотанного изделия с неотвержденной полимерной матрицей (ПМ). Прежде всего необходимо знать распределение темпе­ ратуры Т по толщине КПМ. Так как тепло подводится радиально к оболочке, то уравнение теплопроводности запишется в виде:

dT(R.t)

,& T ( R ,t)

 

~ д ^ = а

dR* •'

(1)

где коэффициент температуропроводности а композиции в целом мо­ жет быть принят постоянным в обычном диапазоне температур.

В начальный момент времени to закон изменения Т по радиусу оболочки можно считать известным T(R, to) = T0(R) .

Целесообразно рассмотреть два наиболее типичных варианта гра­ ничных условий:

1) температура на наружной Ra и внутренней RB поверхностях обо­ лочки в исследуемом диапазоне времени повышается с постоянной

скоростью V

T(RB, t) =T(RU, t) =v(t — t0) + Г оп ов,'

Т(RB, t) = Т(Rn,t) =

2) T поднимается сразу до заданной величины

= Гпов-

(1) получено для обоих вариантов. Для второго оно имеет

Решение

 

2

X

 

T{Rt t) = Taoa

 

7 7

 

Ли

Х СTo{R) sin р (R- RB)dR ] е-Р2п-Ма sin р (R- flD) , лв

Доклад, представленный на IV Всесоюзную конференцию по механике полимер­ ных и композитных материалов (Рига, октябрь 1980 г.).

Ясно, что из-за стесненности деформаций изгибные отклонения AM при потере устойчивости будут незначительными.

Этап III: отверждение полимерной матрицы. При нагревании полу­ фабриката КПМ от Гг до Тп и последующей выдержке из-за неравно­ мерности Г по толщине стенки реакция полимеризации инициируется в крайних слоях раньше, чем во внутренних, формируется фронт по­ лимеризации (ФП), движущийся от крайних поверхностей к внутрен­ ним. Реакционноспособный объем связующего оказывается заключенным между жесткими сводами. По мере продвижения ФП растет тол­ щина КПМ с трехмерной структурой. При этом происходит уменьше­ ние объема отвержденной части ПМ за счет химической усадки. Уса­ дочные деформации суммируются от слоя к слою, приводя к миграции связующего от средних слоев к наружным и к появлению растягива­ ющих радиальных напряжений. Происходит изменение полей напряже­ ний и деформаций, сформировавшихся на предыдущих этапах. С ростом зоны пространственно сшитого полимера радиальные сжимающие ос­ таточные напряжения (ОН) быстро убывают и могут изменить знак. Из-за весьма низкой прочности частично отвержденного и находяще­ гося в термопластичном состоянии связующего появляется опасность образования разрывов сплошности ПМ. Тангенциальные растягиваю­ щие ОН в слоях выше срединного могут стать сжимающими, а в ниж­ них слоях увеличить растяжение.

Таким образом, в зонах, где отверждение не закончено, создаются благоприятные условия для образования несплошностей, текстурной волнистости. Основной причиной этого является химическая усадка, которая может достигать у разных связующих 4—10%.

Исходя из кинетики образования структуры ПМ, можно предполо­ жить вероятный механизм ее разрыва7во внутренней области как раз­ деление двух параллельных поверхностей под действием радиальных ОН. Будем считать, что разрушение происходит, когда напряжения пре­ восходят предел прочности связующего aBS. Эта характеристика, как и другие (Es, as, vs, ps), является функцией глубины полимеризации г| ПМ. На основании теоретических и экспериментальных [4] исследова­ ний по хемореологии отверждения эпоксидных полимеров величина ц может быть аппроксимирована зависимостью, вытекающей из закона Аррениуса [5]:

\ - е ~ х

t - t T

 

(

Tn-T \

 

Т) = 1 + ge~x

т = г —

 

exp

4 Г -Г г /

( 2 )

где t? — время выдержки до

начала

реакции

полимеризации,

а /п —

до полного ее завершения; g, q, г — эмпирические константы, характе­ ризующие природу полимера.

Изменение физической характеристики ПМ можно представить в виде: А4<= (А4оо —M0)ri + Mo, где М0 — значение ее к моменту времени

tv, Moo — после завершения полимери­

 

 

зации.

Сопоставление рассчитанных

— »- t мин

 

по формуле (2) и экспериментальных

35 5 5 75 95

115 135 155

данных (рис. 1) подтверждает их

 

 

удовлетворительную сходимость.

 

 

Для определения напряжений, воз­

 

 

никающих на III этапе, используем в

 

 

качестве

физической модели длинный

 

 

многослойный цилиндр из k слоев AM

 

 

и k—1 прослойки связующего. Кроме

 

 

выдвинутой гипотезы о ФП и приве­

 

 

денных

выше результатов, использо­

 

 

ваны следующие допущения: а) слои

Рис.

1.

AM при T<Tt идеально гигроскопичны, а при Т>ТГ непроницаемы; б) AM идеально упруг, а его механические характеристики неизменны в рассматриваемом диапазоне температур; в) процессы релаксации про­ текают значительно медленнее реакций полимеризации; г) в стенке ци­ линдра имеет место заданное нестационарное температурное поле T(R,t), определенное на II этапе; д) полные величины напряжений и деформаций с учетом предыдущих этапов можно получить, используя принципы наложения.

Температурно-усадочные деформации i-го слоя представим в виде

суммы чисто температурных (*) и обусловленных

химической

усад­

кой (**):

 

 

 

Bij = E*ij Т E**ij

ИЛИ 0г = 0*г+0**;,

 

где 0г — относительное изменение объема i-ro слоя

0*г= 3as [Т {R,t) -

—Го] ; 0**г находится из закона

сохранения масс 0*%= —[1 —pop(О-1].

На основании сделанных допущений, используя

зависимости

Коши

и Дюгамеля—Неймана, принимая свойства компонентов КПМ в преде­

лах

толщины элементарного

слоя неизменными,

можно

получить для

1-го слоя как AM, так и ПМ

(индексы а или 5 опускаем)

 

 

d2o)i

1 dan

1

1+р,

dFi

 

 

~dR2 +~]Ri ~dR

~ ~ W m = \ - p ,

dR

(3)

где

Fi = a[T(Ri,t)— To]

функция,

характеризующая

деформируе­

мость i-го слоя AM за счет изменения температуры (для связующего — с учетом химической усадки). Решая (3) методом вариации произволь­ ных коэффициентов, приходим к зависимостям для AM и ПМ, имеющим структуру

С0г= (1 + р.) (1 - ц ) - 1#*-1J FiRidR + AiRi + B iR r 1.

Произвольные постоянные Ага, A{S, Bia, Bis определяются из граничных условий на поверхности оболочки и условий сопряжения перемещений на границе контакта слоев:

[ l FRdR

RJ

Я=Я„ +

 

л-1

h- 1

 

A ‘ '

 

FRd*+

1+и. ^ ,Ф<

'2(1-».)

;

Aj+i Af+

^ fi>

Bi+l Bi + <Di\ Ащ — Ai

— f(# H[q);

Bm = Bi—Ф (/?n[ii),

где Ф/ —Ф (Rn,i+i) —Ф (^„[j]); I, [i]

номера

слоев

AM

и ПМ соот­

ветственно;

fi=f(Rп,ж ) - f ( R m ) ;

f(R) = (\ + vs)Fs(R) -

(l + pa)Fa(/?);

ф(/?)= т / ж ™

-

 

 

 

 

 

Из соотношений Дюгамеля—Неймана находим Напряжения в про­ слойках связующего:

a*li|=T~u '

L

-Цгг1! F.iR^Rm dR-iziy iL s

Д -Д

1 - Ц ф ]

ЩЦ

l + p i s [ i ]

} ^

4 KI= ,

1“| - { л щ - ( 1 - м < 1 ) [ ^ ( % ] ) - % - 2| ^ ( % ) Л [ ^ 1 +

1

Wsfil

v

L

 

J

 

 

 

, ^

D

 

 

 

 

+ 7 T ---- ‘B\. цЯщ 2}

 

 

 

 

14” Jbls[i]

 

 

Аналогичную структуру имеют выражения для напряжений в слоях AM; в (4) следует заменить индексы [i] на i и s на а. 'Зависимости для деформаций могут быть получены из уравнений Коши:

йцц

_ COj

&zi

1 + Ц

(5)

бЯг—

~'

1-----(Бдг+ ефг) + ------- Fi .

1 R

 

1—11

1 —р

 

Здесь R, cp, z — цилиндрические координаты.

Для нахождения численных значений напряжений (4) и деформа­ ций (5), возникающих на III этапе, использовался метод шагового ин­ тегрирования по времени с применением ЭВМ. Найденное таким об­ разом поле напряжений сравнивается с прочностью связующего. Для Т<ТГ напряжение, при котором начинается разрыв жидкости, может быть вычислено в соответствии с рекомендациями [6]. Результаты рас­ четного примера для КПМ с эпоксидной ПМ приведены на рис. 2. Видно, что аз111 могут привести к ее разрыву. Подобные кривые дают возможность прогнозировать пороговое значение толщины КПМ с по­ зиций опасности формирования трещин (расслоений) уже на этапе структурирования ПМ. Условием предотвращения образования макро­

дефектов

на этом этапе является соблюдение неравенств азш = сгз11 +

+ оя^0;

сгг111 = (Т211 —аф^ 0 .

Этап IV: охлаждение композиции до температуры стеклования Тс. Отвод тепла осуществляется преимущественно через наружную поверх­ ность оболочки. При охлаждении от Т=ТП до Т=ТС в поверхностных слоях происходит температурная усадка AM и ПМ, находящейся в ге­ леобразном состоянии. Если АТ —Тп— Тс достаточно велико, то может происходить потеря устойчивости AM со значительными амплитудами нзгибных перемещений в наружном и прилегающем к нему слоях.

Математическое описание этого процесса и условия предотвраще­ ния искривления AM могут быть полностью взяты из описания этапа II. Следует лишь учесть, что жесткость основания с, роль которого выпол­ няет прослойка связующего, должна определяться для гелеобразного состояния как функция с(Т). Количественный анализ решения дает картину распределения температурных технологических напряжений (ТТН), об­

ратную II этапу. Теперь слои, лежащие выше срединной поверхности, испыты­ вают сжатие, и тем большее, чем дальше отстоят от нее. Расчет дает возможность определить максимально допустимое значение АТ = ТП— ТС, исходя из требо­

вания предотвращения искривления AM.

Этап V: охлаждение КПМ до темпе­

Рис. 2. Н =

30

(1), 60 (2),

ратуры окружающей среды. Процесс

120

мм

(3).

стеклования начинается на поверхностях КПМ. Граница фазового перехода движется фронтом от поверхностных слоев к внутренним. Соз­ даются жесткие своды, и радиальные температурные деформации, бу­ дучи растягивающими, могут явиться причиной образования трещин При этом следует учитывать, что значения механических характерис­ тик ПМ во внутренней зоне, где стеклование еще не прошло, заметно ниже, чем в зоне, где оно осуществилось. ТТН на этом этапе условно разделяют на два вида: 1) остаточные (остаются в КПМ после пол­

ного охлаждения); они изучены достаточно подробно как в

упругой

[7, 8], так и в вязкоупругой постановке [9]; 2) вызванные

неравно­

мерным распределением температуры по толщине КПМ в процессе ох­ лаждения.

Задача о ТТН второго рода исследована авторами [10]. Используя предложенную в [10] математическую модель, можно вычислить все три компоненты нормальных ТТН при известном законе распределения температуры по толщине КПМ. Расчеты показывают, что неравномер­ ность температурного поля на начальной стадии охлаждения КПМ чрезвычайно способствует образованию трещин. При этом ТТН для КПМ с углеродным армированием выше, чем со стекловолокнистым, а трансверсальная прочность на разрыв ниже. Поэтому процесс обра­ зования трещин в углепластиках должен протекать более интенсивно, а пороговое значение толщины будет меньше, чем у стеклопластиков, что и подтверждается экспериментально. При однонаправленном коль­ цевом армировании осевые ТТН могут явиться причиной образования трещин в плоскостях, нормальных к оси оболочки.

Использование приведенных выше математических моделей дает воз­ можность прогнозировать появление дефектов в виде трещин или ис­ кривления AM в процессе технологической переработки КПМ в изделия методом намотки и устанавливать параметры этих процессов, наиболее благоприятные с точки зрения предотвращения или сведения до мини­ мума опасности появления таких дефектов.

С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

 

1. Болотин В. В., Болотина К. С. Расчет остаточных

напряжений и деформации

в намоточных изделиях из армированных пластиков. —

Механика полимеров, 1969,

1, с. 134— 139.

2.Николаев В. П., Инденбаум В. М. К расчету остаточных напряжений в намо­ точных изделиях нз стеклопластиков. — Механика полимеров, 1970, № 6, с. 1026—1030.

3.Тарнопольский 10. М., Портнов Г. Г. Программированная намотка стекло­ пластиков. —• Механика полимеров, 1970, № 1, с. 48—53.

4.Вязкоупругая релаксация в полимерах. М., 1974. 270 с.

5.Оудиан Дж. Основы химии полимеров. М., 1974. 614 с.

6.Корнфельд М. Упругость и прочность жидкостей. М., Л., 1951. 107 с.

7.

Болотин В. В., Болотина К. С. Термоупругая задача для кругового цилиндра

из армированного слоистого материала. — Механика полимеров, 1967, № 1, с. 136—

141.

8.

Варушкин Е. М. Исследование температурных остаточных напряжений и де­

формаций в толстостенных намоточных изделиях из армированных пластиков. —

Ме­

ханика

полимеров, 1971,

6, с. 1040—1046.

 

9.Огилько Т. Ф. Метод расчета макроскопических усадочных напряжений в ци­ линдрических оболочках из стеклопластиков с учетом некоторых технологических факторов. — Механика полимеров, 1974, № 5, с. 823—827.

10.Томашевский В. Т., Шалыгин В. Н., Наумов В. Н. Влияние неоднородности охлаждения на технологические температурные напряжения в толстостенных цилин­

дрических оболочках нз армированных полимеров. —

В кн.: Полимерные материалы

в машиностроении. Пермь, 1977, с. 10— 18.

 

Военно-морская академия

Поступило в редакцию 29.01.80

им. Маршала Советского Союза Гречко А. А.,

 

Ленинград

 

Ленинградский механический институт

УДК 620.111.3:678.067

О. Г. Никольский, А. А. Аскадский, Г Л. Слонимский

ПРИМЕНЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОГО (АКУСТИЧЕСКОГО) МЕТОДА К ИССЛЕДОВАНИЮ СВОЙСТВ НОВОГО ТИПА ПОЛИМЕРНЫХ

МАТЕРИАЛОВ — ЭЛЕМЕНТООРГАНОПЛАСТОВ*

В настоящее время композитные материалы привлекают все более пристальное внимание исследователей и практиков, поскольку они могут сочетать различные свойства, которые в своей совокупности недости­ жимы для обычных гомополимеров. Например, очень часто требуется сочетание в материале необходимых механических и электрических свойств, меняющихся в заданном направлении, например с изменением температуры. Одним из путей создания композитных материалов явля­ ется получение композиций из полимера и химически активного напол­ нителя, который, например, при тепловой обработке претерпевает хими­ ческие превращения в матрице полимера, в результате чего образуется композитный материал с новыми свойствами. При этом очень важно иметь способ, с помощью которого можно оценивать как температурный интервал интенсивного прохождения химической реакции в твердой композиции, так и степень конверсии. Важно также оценивать обрати­ мость и необратимость химических превращений, так как от этого зави­ сит стабильность свойств конечного изделия. Для такого анализа, на наш взгляд, удобно применять динамический механический метод иссле­ дования в сочетании с измерением электропроводности.

В, настоящей работе приведены некоторые результаты, связанные с получением и исследованием механических и электрических свойств но­ вого типа полимерных композитных материалов — элементоорганопластов. Сущность получения таких материалов сводится к следующему: элементоорганическое вещество, содержащее различные металлы или переходные элементы, растворяется в том же растворителе, что и поли­ мер, и полученный совместный раствор полимера и элементоорганиче­ ского вещества в общем растворителе помещается на гладкую под­ ложку. После испарения растворителя образуется пленка, состоящая из полимерной матрицы, в которой элементоорганическое соединение дис­ пергировано на молекулярном уровне. Доказательством этому служат рентгенограммы композитных пленок, показывающие полностью аморф­ ное гало, в то время как исходное элементоорганическое вещество могло быть кристаллическим. Далее, после высушивания и удаления ос­ татков растворителя, пленка прогревается с одновременной фиксацией механических и электрических характеристик. Проведенные нами опыты показали, что многие элементоорганические соединения обладают спо­ собностью прекрасно совмещаться с теплостойкими ароматическими по­ лимерами вплоть до очень высоких концентраций.

В качестве полимерной матрицы удобно использовать ароматические теплостойкие полимеры, поскольку они обладают высокой температурой размягчения, что позволяет проводить их нагревание в широком интер­ вале температур для реализации химических превращений, происходя­ щих в элементоорганических соединениях. При нагревании этих соедине-

* Доклад, представленный на IV Всесоюзную конференцию по механике полимер­ ных и композитных материалов (Рига, октябрь 1980 г.).

ний в матрице теплостойкого полимера образуются частицы или слои ме­ таллов или их окислов, которые приводят к резкому изменению свойств полимерной пленки. По этим изменениям удобно судить об обратимости или необратимости происходящих в композиции превращений.

Нами изучен большой класс как элементоорганических соединений, так и теплостойких ароматических полимеров, которые хорошо совмеща­ ются и комбинируются друг с другом. Среди таких полимеров отметим карборансодержащие полиамиды общей формулы

н3со осн3

и растворимые ароматические полиимиды, например, полиимид 3,3',4,4'- дифенилоксидтетракарбоновой кислоты и анилинфлуорена (ПИР-2), имеющий формулу

Среди элементоорганических соединений назовем в качестве примера бисэтилбензолванадий, циклопентадиенилтетракарбонилванадий и дифенилацетиленид кремния, имеющие формулы (C2H5C6H5)2V, CpV(CO)4,

(C6H5)2Si(C = CH)2.

При химическом превращении вещества в твердой матрице, как пока­ зывает теоретический анализ [1], должно наблюдаться большое поглоще­ ние механической энергии, подводимой к образцу. Например, если обра­ зец подвергается малоамплитудным вибрациям с определенной частотой, то на температурной зависимости тангенса

 

 

угла механических потерь (tg6) должен по­

 

 

являться отчетливо выраженный максимум

 

 

в той области температур, в которой прохо­

 

 

дит химическая реакция. Схематически это

 

 

изображено на рис. 1. Действительная часть

 

 

комплексного

модуля упругости

Е'

при

 

 

этом несколько уменьшается, но после про­

 

 

хождения реакции принимает примерно по­

 

 

стоянное значение. Все эти изменения tgS и

 

 

Е' с температурой связаны с интенсивным

Рис. 1 Схематическое изобра-

молекулярным

движением, которое

сопро­

вождает химическийпроцесс. По подъему

жение

температурных зависм-

на температурной

зависимости

tg 6

можно

мостей

tgfi и Е'. E* = E' + iE"\

 

tg 6 = £"/£'.

судить о начале

химической

реакции,

по

ig p Ом м

В.00

Рис. 2. Температурные зависимости tg б (1), Е' (2) и lg р (3—8) для системы на основе м-карборансодержащего полиамида и 30% по массе бисэтилбензолванадия.

максимуму на этой зависимости — о максимальной скорости этой реак­ ции и по концу спада tg б — о завершении реакции.

При анализе элементоорганопластов динамическим механическим методом [2] часто обнаруживается более сложная картина, характери­ зующаяся наличием ряда максимумов tg б и спадов или подъемов Е' Все это отражает сложный многоступенчатый характер химических пре­ вращений, происходящих при нагревании указанных композиций. В ка­ честве примера на рис. 2 показаны температурные зависимости tg б и Е' для композиции, состоящей из полиамида, полученного на основе дихлорангидрида м-карборандикарбоновой кислоты и бензидина и 30% по массе бисэтилбензолванадия. Температурная зависимость tg б обнару­ живает ряд максимумов, связанных с химическими превращениями, как в самой полиамидной матрице, так и с участием бисэтилбензолванадия. Максимум механических потерь, лежащий ниже 140° С, наблюдается также и на температурной зависимости tg б исходного карборансодержащего полиамида (рис. 3) и, по-видимому, связан с химическими пре­ вращениями в карборановом ядре, сопровождающимися выделением во­ дорода. Водород может активно взаимодействовать с бисэтилбензолванадием с выделением на начальной стадии активного металла. Макси­ мумы на температурной зависимости tg б, лежащие выше 140° С для композиции и отсутствующие для исходного полиамида, отвечают слож­ ному характеру химических превращений, связанных с разложением бисэтилбензолванадия и взаимодействием продуктов его разложения с полиамидной матрицей.

Наличие интенсивных химических реакций, происходящих в указан­ ной композиции, определяет поведение Е' На температурной зависи­ мости действительной части комплексного модуля упругости можно

Рис. 3. Температурные зависимости tg б (/), Е' (2) и lg р (3—б) для м-карборансодер­ жащего полиамида.