- •1.5.1.Фундаментальное уравнение термодинамики равновесных процессов для неоднородных многокомпонентных систем. Определение химического потенциала.
- •1.5.2.Зависимость химического потенциала
- •1.5.3.Химический потенциал компонента
- •1.5.4.Термодинамическое равновесие неоднородных многокомпонентных систем в изобарно-изотермических условиях.
- •1.6. Фазовые равновесия.
- •1.6.1.Условия фазового равновесия.
- •1.6.2.Термодинамическая вариантность многокомпонентных многофазных систем.
- •1.6.3.Правило фаз Гиббса.
- •1.7.1.Особенности изменения состава системы при химических превращениях.
- •2.1.5.Уравнение Навье-Стокса
- •2.1.1. Термическое распыление графита
- •2.1.2. Лазерное распыление графита
- •4.2 Уравнение баланса массы примесного компонента
- •1 Массовый поток примесного компонента
- •2 Уравнение конвективной диффузии
- •2. Плотность теплового потока. Закон Фурье
- •3. Уравнение энергии
- •2.4. Система уравнений переноса
- •1. Сплавы простой металл - простой металл
- •2. Переходный металл - металлоид
- •3. Сплавы переходный металл — переходный металл
- •4 Спонтанная поляризация Векторная сумма всех электронных и атомных дипольных моментов элементарной ячейки дипольного кристалла составляет ее электрический момент
- •Условие существования спонтанной поляризации
- •Применение нанотрубок
- •1. Варианты применения, основанные на размерах и механических свойствах нт
- •1.1. Острие (иглы) для стм
- •1.2. Производство нанотрубных щипчиков
- •1.3. Использование зависимости электрических свойств нт от механической нагрузки
- •1.4. Электрохимический преобразователь электрической энергии в механическую
- •Фоторезисты
- •Совмещение и экспонирование
- •9.2. Модель Дила-Гроува термического окисления кремния. Получение основного уравнения
- •.5. Классификация сегнетоэлектриков
- •Кристаллы, родственные сегнетоэлектрикам
- •7 Диэлектрическая проницаемость и структура сегнетоэлектриков
- •8 Диэлектрическая нелинейность в электрическом поле
- •Эффективная нелинейность
- •5.3.1. Распределение нелетучей примеси в кристалле,
- •5.3.2. Многократная зонная перекристаллизация
- •Инжекция неосновных носителей тока
- •Эффективность светодиодов
- •Характеристики и параметры сид
- •5.4.1 Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
- •5.4.2. Уравнение Бартона – Прима – Слихтера для расчета
- •14.2 Стадии и режимы протекания процессов химического осаждения из газовой фазы
- •4.1.1 Общие сведения о процессах ХимГфо в технологии материалов и структур твёрдотельной электроники
- •4.1.2 Стадии протекания процесса
- •4.1.3. Режимы протекания процессов
- •4.2.2. Компонентный состав и базисные реакции в системе
- •4.2.3. Система уравнений химического равновесия
- •4.2.4. Массовая производительность реактора
- •1 Билет16
- •Вопрос 5.Оптические резонаторы. Свойства плоского резонатора. Потери в оптических резонаторах.
- •Основные технологические методы получения
- •Структура нанокомпозитов
- •Выбор компонент для получения композиционных материалов.
Совмещение и экспонирование
Экспонирование и совмещение— операции, обеспечивающие перенос изображения с фотошаблона на пластину, — связаны между собой (рис. 3.10). Для получения точной передачи размеров изображения фотошаблона необходимо одновременно и взаимосвязанно изменять и время экспонирования, и время проявления рисунка. Поскольку одинаково недопустимы как недодержки, так и передержки при экспонировании, оптимальная экспозиция определяется экспериментально. Характер дефектов при неправильно выбранной экспозиции в позитивных и негативных фоторезистах различен.
матических установок требуются специальные опорные знаки в виде непрозрачных штрихов на фотошаблоне и канавок, вытравленных на подложке. Ширина канавок должна быть в 2-4 раза больше ширины штриха.
Вначале с помощью микроскопа / оператор производит грубое совмещение, затем включается фотоэлектрическая система, выполняющая точное совмещение. Размер, форма и контрастность знаков совмещения играют решающую роль в обеспечении точности процесса.
В качестве источников света при экспонировании обычно используют ртутные лампы 2 высокого или сверхвысокого давления мощностью от 100 до 500 Вт, интенсивно излучающие в коротковолновой области спектра, что соответствует полосе максимальной чувствительности большинства фоторезистов (300-450 нм). Это излучение через конденсор 3 попадает на фотошаблон. При контактной фотолитографии разрешающая способность процесса во многом определяется надежностью контакта между экспонируемой пластиной 7 и фотошаблоном 4. За счет зазора 5 между шаблоном и фоторезистом б возникает френелевская дифракция, размывающая контуры изображения. Для уменьшения зазора используют вакуумный или пневматический прижим шаблона к пластине.
В современных прецизионных установках совмещения и экспонирования используются два метода совмещения: визуальный и фотоэлектрический. От выбора метода зависят точность, разрешение и производительность процесса. Аппаратурная точность совмещения может достигать ±0,1 мкм, хотя реально удается получать только ± (0,7 - 0,8) мкм. Для работы авто
Билет 9
Билет 9.1 Особенности магнитных свойств АМС (причина низких значений коэрцитивной силы АМС по сравнению с кристаллическими аналогами)
Магнитомягкость АС
Аморфные ферромагнетики относятся к магнитомягким материалам, т.е. они обладают низкими значениями коэрцитивной силы, высокими значениями магнитной проницаемости. Действительно, рекордные низкие значения коэрцитивной силы были получены именно в железо - никелевых аморфных сплавах достигнуты значения Нс = 0,15 А/м, что является безусловным рекордом, а значения Нс ~ 0.4 -0.5 А/м, (что является рекордом для кристаллических сплавов) встречается довольно часто у АС. Также в АС достигнуты значения проницаемости равные 750 000, что также является рекордным значением.
Причина таких значений кроется в структуре АС. В идеальном аморфном ферромагнетике магнитные моменты расположены как на рис. 1 - параллельно друг другу и направление суммарного магнитного момента в этом случае совпадает с направлением каждого магнитного момента. Такая ситуация никогда не реализуется в кристаллическом состоянии. Во-первых, в кристаллах существует так называемая кристаллографическая анизотропия. Суть ее сводится к тому, что в зависимости от направления внутри кристалла процесс намагничивания этого кристалла происходит с большими или меньшими затратами энергии. Т.е. внутри кристалла есть направления, вдоль которых происходит спонтанная ориентация магнитного момента. Если нет внешних воздействий (внешнего поля, например) то в поликристалле магнитные моменты монокристалликов ориентированы преимущественно вдоль кристаллографических осей легкого намагничивания. В поликристалле эти оси ориентированы случайным образом. Только специальны обработки (например отжиг во внешнем магнитном поле) позволяют уменьшить кристаллографическую анизотропию.
Кроме того, поскольку неупорядоченная аморфная структура макроскопически однородна во всем объеме образца, свойства также должны быть однородными. Однородность структуры проявляется, в частности, в том, что в аморфном состоянии отсутствуют такие дефекты, препятствующие перемещению границ доменов (толщина которых обычно ~102 А), как. границы зерен, поры, включения и т. д. Поэтому при перемагничивании АС движение доменных стенок не осложняется явлением пиннинга стенок на структурных дефектах.
АС можно рассматривать и как материал с очень высокой плотностью дефектов, однако сами дефекты чрезвычайно малы (размером не более нескольких межатомных расстояний) и поэтому доменная стенка оказывается значительно больше , чем размер этих дефектов. В таких условиях стенка как бы не замечает этих дефектов. Если пиннинг и происходит, то он во-первых слабый, а во-вторых он равномерный и усредненный по объему материала. Доменная стенка перемещается в поле постоянной силы, и это не может привести к фиксированию её в каких-то выделенных местах.
Можно ожидать, что именно благодаря этим своим особенностям аморфные ферромагнетики имеют чрезвычайно высокую магнитную проницаемость и низкую коэрцитивную силу.