- •1.5.1.Фундаментальное уравнение термодинамики равновесных процессов для неоднородных многокомпонентных систем. Определение химического потенциала.
- •1.5.2.Зависимость химического потенциала
- •1.5.3.Химический потенциал компонента
- •1.5.4.Термодинамическое равновесие неоднородных многокомпонентных систем в изобарно-изотермических условиях.
- •1.6. Фазовые равновесия.
- •1.6.1.Условия фазового равновесия.
- •1.6.2.Термодинамическая вариантность многокомпонентных многофазных систем.
- •1.6.3.Правило фаз Гиббса.
- •1.7.1.Особенности изменения состава системы при химических превращениях.
- •2.1.5.Уравнение Навье-Стокса
- •2.1.1. Термическое распыление графита
- •2.1.2. Лазерное распыление графита
- •4.2 Уравнение баланса массы примесного компонента
- •1 Массовый поток примесного компонента
- •2 Уравнение конвективной диффузии
- •2. Плотность теплового потока. Закон Фурье
- •3. Уравнение энергии
- •2.4. Система уравнений переноса
- •1. Сплавы простой металл - простой металл
- •2. Переходный металл - металлоид
- •3. Сплавы переходный металл — переходный металл
- •4 Спонтанная поляризация Векторная сумма всех электронных и атомных дипольных моментов элементарной ячейки дипольного кристалла составляет ее электрический момент
- •Условие существования спонтанной поляризации
- •Применение нанотрубок
- •1. Варианты применения, основанные на размерах и механических свойствах нт
- •1.1. Острие (иглы) для стм
- •1.2. Производство нанотрубных щипчиков
- •1.3. Использование зависимости электрических свойств нт от механической нагрузки
- •1.4. Электрохимический преобразователь электрической энергии в механическую
- •Фоторезисты
- •Совмещение и экспонирование
- •9.2. Модель Дила-Гроува термического окисления кремния. Получение основного уравнения
- •.5. Классификация сегнетоэлектриков
- •Кристаллы, родственные сегнетоэлектрикам
- •7 Диэлектрическая проницаемость и структура сегнетоэлектриков
- •8 Диэлектрическая нелинейность в электрическом поле
- •Эффективная нелинейность
- •5.3.1. Распределение нелетучей примеси в кристалле,
- •5.3.2. Многократная зонная перекристаллизация
- •Инжекция неосновных носителей тока
- •Эффективность светодиодов
- •Характеристики и параметры сид
- •5.4.1 Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
- •5.4.2. Уравнение Бартона – Прима – Слихтера для расчета
- •14.2 Стадии и режимы протекания процессов химического осаждения из газовой фазы
- •4.1.1 Общие сведения о процессах ХимГфо в технологии материалов и структур твёрдотельной электроники
- •4.1.2 Стадии протекания процесса
- •4.1.3. Режимы протекания процессов
- •4.2.2. Компонентный состав и базисные реакции в системе
- •4.2.3. Система уравнений химического равновесия
- •4.2.4. Массовая производительность реактора
- •1 Билет16
- •Вопрос 5.Оптические резонаторы. Свойства плоского резонатора. Потери в оптических резонаторах.
- •Основные технологические методы получения
- •Структура нанокомпозитов
- •Выбор компонент для получения композиционных материалов.
Основные технологические методы получения
Наиболее универсальным и реально используемым способом получения гранулированных материалов является методы ионного распыления. Можно выделить три основные схемы напыления гранулированных нанокомпозитов.
а) Реактивное распыление – распыление металлической мишени с дополнительным введением в распылительную систему химически активного газа. Цель – получение в виде осаждаемой пленки некое химическое соединение.
При реактивном распылении процесс можно проводить при постоянном напряжении мишень-подложка.
b и c – необходимо высокочастотное распыление поскольку при постоянном смещении мишень-подложка на внешней поверхности диэлектрика будет быстро формироваться поверхностный заряд из положительных ионов. Этот заряд будет препятетвовать дальнейшей ионной бомбардировйе диэлектрика.
Образование
положительного заряда можно, в принципе,
предотвратить несколькими способами,
например, бомбардируя диэлектрик
одновременно ионным и электронным
пучками, или давая возможность этому
заряду стекать по поверхности мишени
п
ри
ее малых размерах и прямо сквозь
диэлектрик при достаточно высоких
температурах, или же располагая
металлическую сетку на поверхности
мишени или вблизи ее. В
последнем случае с помощью сетки
создается электрическое поле, необходимое
для притяжения части положительных
ионов и для образования вторичных
электронов, которые нейтрализуют заряд
ионов, осевших на поверхность диэлектрика.
Хотя
эти способы и могут быть приемлемыми в
той или иной степени для травления
поверхности диэлектрика ионной
бомбардировкой, однако в случае нанесения
диэлектрических пленок они не подходят
из-за возникающих проблем, связанных с
неоднородностью толщины или высоким
уровнем загрязнения получаемых пленок.
Наиболее распространенные варианты решения такой проблемы – использование компенсаторов и применение высокочастотного распыления.
Экспериментально установлено, что в ВЧ разряде плазма имеет значительный положительный потенциал относительно обоих электродов. Этот высокий потенциал является следствием того, что подвижность электронов намного больше подвижности ионов. Из-за весьма малой длительности одного полупериода приложенного напряжения дойти до соответствующего электрода за это время сможет сравнительно небольшое число ионов. Электронов же за каждый полупериод попадает на электроды значительно больше. В результате этого ток высокой частоты, измеряемый во внешней цени, почти полностью обусловлен электронами плазмы, достигающими электродов в течение чередующихся полупериодов.
Таким образом, в качестве простейшей интерпретации можно считать, что поток электронов, достигающий мишени в течении.
Структура нанокомпозитов
Очень важным фактом является то, что в зависимости от соотношения между металлической и диэлектрической фазами структура (морфология) композитов меняется радикально:
Для композитов объемной долей металла (Xv) меньшей 50 ат.% металлические гранулы электрически изолированы друг от друга в объеме матрицы, и поэтому такие среды близки по своим свойствам к изоляторам. Такие композиты чаще всего называются наногранулированные композиты Проводимость в таких композитах осуществляется посредством механизмов, обеспечивающих перенос заряда через диэлектрик. В основном это туннелирование электронов между металлическими гранулами через диэлектрический барьер или прыжковая проводимость электронов по локализованным состояниям в диэлектрической матрице.
К
онкретный
размер гранул в данном композите
определяется объемным соотношением
между металлической и диэлектрической
фазами. Причем, существует практически
линейная корреляция между содержанием
фазы и размерами гранул. Типичные
размеры металлических гранул в композитах
находятся в пределах 1-2 – 8-12 нм.
Данное обстоятельство обеспечивает технологическую легкость и простоту формирования композита с заданными размерами металлических гранул. Таким образом, важным параметром, влияющим на свойства гранулированных материалов и определяющим и морфологию и сами эти свойства, является размер гранул, который задается объемной долей металла (Xv), изменяющейся от 0 до 1.
В сплавах с большой величиной Хv, из металлических гранул формируется своеобразная сплошная «металлическая сетка» (иногда говорят бесконечный кластер) пронизывающая весь образец композита. Для композитов с большой долей металлической фазы ( 0,6 Xv) имеет смысл говорить о металлической среде, в которую вкраплены участки диэлектрической фазы (рис. а). Для таких композитов электроперенос осуществляется по металлической фазе (по металлической сетке) и следовательно в композитах реализуется металлическая проводимость. Если металлическая фаза композитов является ферромагнитной то формирование сплошной металлической среды приводит к проявлению макроскопического ферромагнетизма у композитов.
Структура композитов, полученных осаждением из газовой фазы характеризуется изотропностью и сравнительно небольшим разбросом размеров гранул. Как показывают прямые измерения формирующиеся гранулы близки по форме с сфероидам, а не к вытянутым, столбчатоподобным образованиям. Обычный разброс гранул по диаметрам составляет 0,5-1 нм, не более.
