- •1.5.1.Фундаментальное уравнение термодинамики равновесных процессов для неоднородных многокомпонентных систем. Определение химического потенциала.
- •1.5.2.Зависимость химического потенциала
- •1.5.3.Химический потенциал компонента
- •1.5.4.Термодинамическое равновесие неоднородных многокомпонентных систем в изобарно-изотермических условиях.
- •1.6. Фазовые равновесия.
- •1.6.1.Условия фазового равновесия.
- •1.6.2.Термодинамическая вариантность многокомпонентных многофазных систем.
- •1.6.3.Правило фаз Гиббса.
- •1.7.1.Особенности изменения состава системы при химических превращениях.
- •2.1.5.Уравнение Навье-Стокса
- •2.1.1. Термическое распыление графита
- •2.1.2. Лазерное распыление графита
- •4.2 Уравнение баланса массы примесного компонента
- •1 Массовый поток примесного компонента
- •2 Уравнение конвективной диффузии
- •2. Плотность теплового потока. Закон Фурье
- •3. Уравнение энергии
- •2.4. Система уравнений переноса
- •1. Сплавы простой металл - простой металл
- •2. Переходный металл - металлоид
- •3. Сплавы переходный металл — переходный металл
- •4 Спонтанная поляризация Векторная сумма всех электронных и атомных дипольных моментов элементарной ячейки дипольного кристалла составляет ее электрический момент
- •Условие существования спонтанной поляризации
- •Применение нанотрубок
- •1. Варианты применения, основанные на размерах и механических свойствах нт
- •1.1. Острие (иглы) для стм
- •1.2. Производство нанотрубных щипчиков
- •1.3. Использование зависимости электрических свойств нт от механической нагрузки
- •1.4. Электрохимический преобразователь электрической энергии в механическую
- •Фоторезисты
- •Совмещение и экспонирование
- •9.2. Модель Дила-Гроува термического окисления кремния. Получение основного уравнения
- •.5. Классификация сегнетоэлектриков
- •Кристаллы, родственные сегнетоэлектрикам
- •7 Диэлектрическая проницаемость и структура сегнетоэлектриков
- •8 Диэлектрическая нелинейность в электрическом поле
- •Эффективная нелинейность
- •5.3.1. Распределение нелетучей примеси в кристалле,
- •5.3.2. Многократная зонная перекристаллизация
- •Инжекция неосновных носителей тока
- •Эффективность светодиодов
- •Характеристики и параметры сид
- •5.4.1 Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
- •5.4.2. Уравнение Бартона – Прима – Слихтера для расчета
- •14.2 Стадии и режимы протекания процессов химического осаждения из газовой фазы
- •4.1.1 Общие сведения о процессах ХимГфо в технологии материалов и структур твёрдотельной электроники
- •4.1.2 Стадии протекания процесса
- •4.1.3. Режимы протекания процессов
- •4.2.2. Компонентный состав и базисные реакции в системе
- •4.2.3. Система уравнений химического равновесия
- •4.2.4. Массовая производительность реактора
- •1 Билет16
- •Вопрос 5.Оптические резонаторы. Свойства плоского резонатора. Потери в оптических резонаторах.
- •Основные технологические методы получения
- •Структура нанокомпозитов
- •Выбор компонент для получения композиционных материалов.
1.2. Производство нанотрубных щипчиков
Используя процессы манипуляции, описанные выше, в настоящее время отработана технология расположения двух параллельных нанотрубок на пирамидальной вершине Si, которые, и являются аналогом щипцов [7.4]. Для нанотрубных щипцов две электрически связанные проволочки, соединенные с нанотрубками, были приготовлены на вершине Si. Пленкой Ti/Pt покрывалась вершина пирамиды и связывалась с тремя проводящими дорожками, выполненными из Al, что приводило к формированию кантилевера путем использования обычной литографической техники, как показано на рис. 7.3 а. Пленка Ti/Pt была разделена на две части остро сфокусированным ионным лучом. Эти две независимые полоски связывались с одной или двумя алюминиевыми полосками, как показано на рис. 7.3 b. Чтобы управлять щипцами, прикладывалось напряжение между разделенными частями пленки Ti/Pt через Al дорожки. После монтажа двух нанотрубок на вершине пирамиды кремния, нанотрубные «руки» покрывают тонкой углеродной пленкой (толщиной от одного до нескольких нм), изолированной снаружи, где использована изолирующая природа углеродных пленок. Предварительно через нанесенную тонкую
Рис. 7.3. Изображения СЭМ кремниевого кантилевера, используемого в качестве основы для нанотрубных щипцов. (а) Пленка Ti/Pt покрывающая вершину и связанная с тремя Al линиями расположенными на кантилевере; (b) Пленка Ti/Pt, разделенная на две части фокусированным ионным лучом и две связи связывающие одну и две Al линии, соответственно
пленку углерода пропускается очень большой ток, когда две нанотрубные «руки» соединены, т.е. притягиваются друг к другу или притягивают проводящие частицы. Рис. 7.4 а показывает СЭМ картины приготовленных типичных пар нанотрубных щипцов. Две «руки» нанотрубок фиксируются приблизительно на вершине пирамиды из кремния. Их длина составляет 2,5 мкм, и они разделены между вершинами на расстояние 780 нм.
Рис. 7.4. Изображения нанотрубных щипцов, полученных при различных приложенных напряжениях: (а) U=0; (b) – 2 В; (с) – 4 В; U(d) > 4,5 B. (Сканирующая электронная микроскопия).
1.3. Использование зависимости электрических свойств нт от механической нагрузки
В нанотрубках обнаружен электромеханический эффект [178]. Сущность его состоит в значительном изменении электрической проводимости нанотрубки даже при небольшом изгибе. Таким образом, нанотрубка оказалась способна преобразовывать механическую энергию в электрическую и обратно.
Электромеханические характеристики металлической одностенной углеродной нанотрубки были изучены при воздействии острия атомно-силового микроскопа на нанотрубку (рис. 99).
В
эксперименте нанотрубка располагалась
на подложке в контакте с двумя
металлическими электродами. Центральная
часть нанотрубки свободно провисала
над подложкой, т. к. в этой области
подложки предварительно протравляли
канавку шириной около 600 нм, так, чтобы
нанотрубка могла прогибаться при
механическом воздействии острия
микроскопа. В процессе измерений
записывали временные зависимости
возвратно-поступательных перемещений
острия микроскопа и сопровождаемые ими
вариации электропроводности нанотрубки.
Установлено, что при смещении центра нанотрубки на величину требуется приложение силы, пропорциональной кубу величины : F() = 8YA (/l)3, где А — поперечное сечение нанотрубки, а Y — ее модуль Юнга, оцененный в 1,2 ТПа.
М
ожно
видеть, что деформация нанотрубки
сопровождается уменьшением проводимости.
Вариации проводимости обратимы — при
снятии нагрузки полностью восстанавливаются
и механические, и электрические свойства
нанотрубки. При
= 80 нм наблюдается более чем стократное
падение проводимости.
Численные расчеты, выполненные в рамках метода молекулярной динамики, свидетельствуют о том, что сильные вариации электропроводности при изгибе нанотрубки обусловлены локальными изменениями гибридизации атомов С в области изгиба с sp2 на sp3.
Изменение электрических свойств нанотрубок под действием механической деформации может использоваться в разнообразных электромеханических устройствах — там, где требуется преобразование механического сигнала в электрический. Простейшим из возможных применений этих эффектов может стать микрофон с активным преобразователем на основе нанотрубок. Это будет самый крошечный «жучок» с отличными частотными характеристиками.
