- •1.5.1.Фундаментальное уравнение термодинамики равновесных процессов для неоднородных многокомпонентных систем. Определение химического потенциала.
- •1.5.2.Зависимость химического потенциала
- •1.5.3.Химический потенциал компонента
- •1.5.4.Термодинамическое равновесие неоднородных многокомпонентных систем в изобарно-изотермических условиях.
- •1.6. Фазовые равновесия.
- •1.6.1.Условия фазового равновесия.
- •1.6.2.Термодинамическая вариантность многокомпонентных многофазных систем.
- •1.6.3.Правило фаз Гиббса.
- •1.7.1.Особенности изменения состава системы при химических превращениях.
- •2.1.5.Уравнение Навье-Стокса
- •2.1.1. Термическое распыление графита
- •2.1.2. Лазерное распыление графита
- •4.2 Уравнение баланса массы примесного компонента
- •1 Массовый поток примесного компонента
- •2 Уравнение конвективной диффузии
- •2. Плотность теплового потока. Закон Фурье
- •3. Уравнение энергии
- •2.4. Система уравнений переноса
- •1. Сплавы простой металл - простой металл
- •2. Переходный металл - металлоид
- •3. Сплавы переходный металл — переходный металл
- •4 Спонтанная поляризация Векторная сумма всех электронных и атомных дипольных моментов элементарной ячейки дипольного кристалла составляет ее электрический момент
- •Условие существования спонтанной поляризации
- •Применение нанотрубок
- •1. Варианты применения, основанные на размерах и механических свойствах нт
- •1.1. Острие (иглы) для стм
- •1.2. Производство нанотрубных щипчиков
- •1.3. Использование зависимости электрических свойств нт от механической нагрузки
- •1.4. Электрохимический преобразователь электрической энергии в механическую
- •Фоторезисты
- •Совмещение и экспонирование
- •9.2. Модель Дила-Гроува термического окисления кремния. Получение основного уравнения
- •.5. Классификация сегнетоэлектриков
- •Кристаллы, родственные сегнетоэлектрикам
- •7 Диэлектрическая проницаемость и структура сегнетоэлектриков
- •8 Диэлектрическая нелинейность в электрическом поле
- •Эффективная нелинейность
- •5.3.1. Распределение нелетучей примеси в кристалле,
- •5.3.2. Многократная зонная перекристаллизация
- •Инжекция неосновных носителей тока
- •Эффективность светодиодов
- •Характеристики и параметры сид
- •5.4.1 Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
- •5.4.2. Уравнение Бартона – Прима – Слихтера для расчета
- •14.2 Стадии и режимы протекания процессов химического осаждения из газовой фазы
- •4.1.1 Общие сведения о процессах ХимГфо в технологии материалов и структур твёрдотельной электроники
- •4.1.2 Стадии протекания процесса
- •4.1.3. Режимы протекания процессов
- •4.2.2. Компонентный состав и базисные реакции в системе
- •4.2.3. Система уравнений химического равновесия
- •4.2.4. Массовая производительность реактора
- •1 Билет16
- •Вопрос 5.Оптические резонаторы. Свойства плоского резонатора. Потери в оптических резонаторах.
- •Основные технологические методы получения
- •Структура нанокомпозитов
- •Выбор компонент для получения композиционных материалов.
5.3.1. Распределение нелетучей примеси в кристалле,
полученном после первого прохода расплавленной зоны
вдоль однородно легированного исходного слитка
Найдем распределение нелетучей примеси в кристалле, полученном после первого прохода расплавленной зоны вдоль однородно легированного исходного слитка. Пусть длина зоны равна l, поперечное сечение получаемого слитка, расплавленной зоны и слитка, играющего роль подпитывающей фазы, равны S. До этапа схода зоны со слитка объём расплавленной зоны остаётся неизменным в ходе процесса VЖ = S·l = const. Поскольку примесь нелетуча, не будет происходить изменения её концентрации в паровой фазе dNП = 0. Равновесный коэффициент распределения примеси будем считать постоянным (K0 = const). Рассмотрим квазистатический режим кристаллизации, при котором примесь успевает однородно распределиться по всему объему расплавленной зоны (рис. 5.6). В этом случае уравнения материального баланса (5.4) и баланса объемов (5.5) примут вид
NтвdVтв + VжdNж + NподпdVподп = 0 , (5.11)
dVтв + dVподп = 0 . (5.12)
NЖ
NТВ
Подпитыв
фаза
NПОДП
S
К0 < 1
Готовый
кристалл
NЖ
Рис.5.6. Схема процесса квазистатической зонной перекристаллизации
Проинтегрируем уравнение материального баланса примесного компонента (5.11) с учетом уравнения баланса объемов (5.12). Заменив в (5.12) dVподп на - dVтв , получим
dVтв (Nтв – Nподп) = -VЖdNж. (1)
В соответствии с определением (5.1) для равновесного коэффициента распределением примеси и условием K0 = const имеем
dNж = dNтв/K0 . (2)
Изменение объема твердой фазы представим в виде (см. рис. 5.6)
dVтв= Sdx . (3)
Объем жидкой фазы до этапа кристаллизации последних порций расплава при сходе зоны со слитка будет равен
Vж = Sl . (4)
С учетом (2) – (4) уравнение (1) примет вид
.
(5)
После интегрирования обеих частей уравнения (5) в пределах, соответствующих изменению координаты x от нулевого до текущего значения, будем иметь
,
(6)
откуда находим
.
(7)
Установим связь между Nтв (0) и Nподп. Поскольку Nподп = const (рассматриваем первый проход зоны вдоль однородно легированного исходного слитка), то после расплавления «первой» зоны, концентрация в ней легирующей примеси будет совпадать с Nподп . Первая бесконечно малая порция твердой перекристаллизованной фазы будет содержать примесные атомы с концентрацией
Nтв
(0) = K0
= K0Nподп
. (8)
Это позволяет переписать равенство (7) в виде
.
(5.13)
Формула (5.13) дает теоретическое распределение примеси по длине перекристаллизованного слитка после первого прохода зоны в условиях:
полного выравнивания состава жидкой фазы;
отсутствия массового взаимодействия между паровой и конденсированными фазами;
NПОДП = const;
K0 = const.
Она не описывает распределение примеси в хвостовой части перекристаллизованного слитка длинной l, где зона «сходит» со слитка и реализуется режим нормальной направленной кристаллизации. Там при K0 < 1 в твердую фазу выделяется вся примесь, накопившаяся в расплавленной зоне. Формула (5.13) и рис. 5.7 показывают, что концентрация примеси заметно меняется лишь в начальной части кристалла.
NТВ/NПОДП
Рис. 5.7. Теоретические кривые распределения нелетучей примеси по длине кристалла, полученного однократной зонной перекристаллизацией однородно легированного исходного слитка. Числа у кривых указывают значения равновесного коэффициента распределения примеси
Однако зонная перекристаллизация может быть повторена многократно и тем самым может быть повышена степень очистки.
