- •Тема 1 Введение.
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •Техническая система и иерархические уровни технической системы
- •Место технической системы среди других систем предприятия
- •Раздел 2 электронная гигиена
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •Раздел 3
- •Тема 4 «Оборудование для обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата финишной и суперфинишной обработки пластин
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •Требования к системе нагрева изделий
- •Индукционный нагрев
- •Принципиальная схема индукционного нагрева
- •Резистивныи нагрев
- •Схемы электрических печей сопротивления: а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев; 1 — нагреваемый материал; 2 — выключатель или магнитный пускатель; 3 —- электронагревательный элемент
- •Электронно-лучевой нагрев
- •Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
- •Лучистый нагрев
- •Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
- •Плазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ионно-лучевых источниках
- •Схемы возбуждения вч-разряда:
- •Нагрев лазером
- •Типовая схема лазерной технологической установки:
- •Раздел 4 классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллов полупроводников
- •Конструкция установки для выращивания монокристаллов полупроводников методом чохральского
- •Конструкции тепловых узлов установок для выращивания монокристаллов полупроводников
- •Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:
- •Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их свойства
- •Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
- •Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
- •Галогенные лампы
- •Современные галогенные лампы предлагают целый ряд существенных преимуществ
- •Галогенно-вольфрамовый цикл
- •Раздел 5 оборудование для операций очистки
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе:
- •Конструкция узлов обработки изделий:
- •Способы интенсификации процесса очистки
- •Пьезоэлектрические излучатели
- •Типы магнитострикционных излучателей:
- •Рабочие ванны с различными типами мешалок:
- •Типы распылительных форсунок:
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •Раздел 6 Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоёв
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Способы проведения жидкостной эпитаксии
- •Установка для жидкостной эпитаксии
- •Циклограмма давлений в установке каждения слоев при пониженном давлении
- •Раздел 7 Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •Раздел 8
- •Раздел 8.1 Оборудование для ионной имплантации.
- •Оборудование для очистки с применением низкотемпературной плазмы, радикалов и ионов
- •Установка с реактором диодного типа и анодной связью:
- •Установка плазмохимической обработки
- •Оборудование для плазмохимического удаления фоторезиста
- •Реакционно-разрядные камеры с подачей газа по четырем направлениям с равномерным рассредоточением потока (г) по отдельным трубкам и четырехсторонним рассредоточением потока (д)
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения гонких пленок
- •Вакуумная установка непрерывного действия "Магна-2м" для нанесения однослойных и многослойных тонких пленок магнетронным распылением:
- •Раздел 9 Газовые и вакуумные системы Общие сведения о вакуумной технике
- •Области вакуума
- •Пластинчато-роторный
- •Пластинчато-статорный
- •Плунжерный
- •Форвакуумный насос
- •Турбомолекулярный насос
- •Модернизированные диффузионные паромасляные насосы
- •Некоторые характеристики рабочих жидкостей высоковакуумных диффузионных насосов
- •Магниторазрядный вакуумный насос норд-25
- •Конденсационный насос со встроенным криогенератором
- •Газовые системы
- •Схемы смесителей:
- •Типовые конструкции клапанов:
- •Корпус; 6 — пружина; 7 — мембрана
- •Регулятор расхода газа: а — конструкция; б — схема включения
- •Магнитные электроразрядные вакууметры
- •Откачка химически активных газов.
- •Объемный дозатор поршневого типа
- •Тэрмоэлектрические преобразователи и термометры сопротивления
- •Общий вид (а) и рабочие концы хромель-алюмелевой (б), платинородий-платиновой (в) и малоинерционной (г) термопар
- •Градуировочные кривые термопар: 1 - хромель-копелевой хк, 2 - хромель-алюмелевой ха, 3 - из сплава нк-са, 4 - платинородий-платиновой пп, 5 - платинородий-платинородиевой пр30/6
- •Платиновые термометры сопротивления:
- •Приборы для измерения и регулирования температуры
- •Автоматический одноточечный потенциометр с ленточной диаграммой ксп4
- •Оптический пирометр и яркости его нити при температурах ниже и выше температуры нагретого тела (б, в) и равной ей (г) :
- •Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
- •Раздел 10 Установки совмещения и экспонирования
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •Оборудование для перспективных методов литографии.
- •Система эос
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •Оптико-механическое оборудование для изготовления фотошаблонов
- •Способ генерирования.
- •Фотоповторитель для изготовления эталонных фотошаблонов.
- •Оптическая схема фотоповторителя
- •Раздел 11 Оборудования для сборки имс и заключительных операций
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Общая характеристика установки эм-4480
- •Технические данные установки эм-4480
- •Учебный элемент «Устройство и работа составных частей установки эм-4480»
- •Установка присоединения выводов эм-4480
- •Тумба управления
- •Устройство микросварки
- •Станина
- •Пульт управления
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 12 Оборудование для испытаний и измерений
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
- •Раздел 13 Промышленные роботы и гибкие производственные системы
- •Раздел 14 Ремонт, наладка и профилактические работы.
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Тема. Коэффициенты, характеризующие эффективность работы оборудования.
- •Конюхов и.Е. Ремонт технологического оборудования. Тема. Ремонтно-технологические характеристики оборудования.
- •Надежность.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Методика расчета ремонтного цикла и внутрициклового обслуживания.
- •Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
Система совмещения.
Система совмещения установки выполнена на базе фотоэлектрического микроскопа (ФЭМ), контролирующего положение знаков совмещения п/п относительно оси проекционного объектива.
Источник света 12, который через конденсоры 13, зеркало 11, волокнооптические световоды 10, светофильтры 9 и зеркала 5 направляет два луча на линзы 4, а через них на маски 3,18.Маски выполнены на верхних торцах светоделительных кубиков 2 и 19 закреплённых на измерительном ф/ш 20. Объектив 24 проецирует изображение реперных знаков масок З и 18 на поверхности подложки 25, перемещающийся на индукторе 26 относительно статора ЛШД. Отразившиеся от подложки лучи, в обратном направлении образуют в фокальной плоскости объектива т.е. в плоскости масок 3 и 18 автоколлимационное изображение их реперных знаков. Формирующие это изображение лучи отклоняются полупрозрачными гранями кубиков 2 и 19 на линзы 16,17 установленных на кубиках. Эти линзы строят уменьшенное изображение зрачка объектива 24 в плоскости фотоприёмников 14 датчика совмещения 15. Спектральный диапазон излучения, выделяемый диэлектрическими зеркалами 11, светофильтрами 9 и материалом масок 3 и 18 составляет 0,52 - 0,59 мкм.
Реперные знаки масок 3 и 18 выполнены в виде набора нерегулярно расположенных щелей в маскирующем покрытии, их изображение на подложке выглядит в виде светящихся полос. Реперные знаки подложки 28 аналогичны по форме и размерам знакам масок.
Отличие их состоит в том, что они выполнены в виде полос, рассеивающих падающее от них излучение. Расстояние между штрихами реперных знаков на маске и подложке выбрано таким, что при любом их взаимном положении, кроме одного точного, одновременно совпадают не более одного штриха. При точном совмещении происходит полное совпадение всех штрихов на подложке и маске. Поскольку знаки на подложке рассеивают излучение, момент совмещения знаков соответствует минимуму светового потока, попадающему через объектив 24 в фотоприёмники 14. По сигналам фотоприемников координатная измерительная система производит отсчёт координаты знака на подложке. После точной ориентации подложки и отсчёта координат её реперных знаков измерительный ф/шаблон заменяется ПФО. Для этого каретка 22 с закреплённым на ней ПФО 21 и измерительным шаблоном 20 смещается на шариковых направляющих 23 вдоль оси У. Привод каретки включает электродвигатель 8, червячный редуктор 7 и тяги 6. Крайние положения каретки задаются упорами, для точной ориентации измерительного шаблона и ПФО используются знаки базирования 29, положение которых контролируется датчиками базирования 1 и 30.
Система автофокусировки.
Необходимость применения такой системы и требования к ней определяются оптическими свойствами объективов. Глубина резкости ∆Z высокоразрешающих проекционных объективов определяется длинной волны ультрафиолетового излучения λ и числовой апертурой объектива А: ∆Z= λ/2А2
Для типовых значений λ =0,436 и А=0,25 - 0,28 глубина резкости составляет ∆Z=2,8 - 3,5 мКм. Неплоскостность п/п, особенно прошедших высоко температурную обработку, значительно превышает эти значения. В связи с этим на каждом шаге мультипликации производится точное размещение экспонируемой зоны подложки в пределах глубины резкости объектива. В установке ЭМ-584 используется оптический датчик фокусировки.
Апертура (отверстие) лат. - действующее отверстие оптической системы, определяемое размерами линз или диафрагм.
Угловая апертура - угол α между крайними лучами конического светового пучка, входящего в
оптическую систему.
Числовая А равна n sin α/2, где n - показатель преломления среды, в которой находится предмет.
Освещённость изображения пропорциональна квадрату числовой Апертуры. Разрешающая способность прибора (min расстояние между 2-мя близлежащими точками, при котором они всё ещё видны отдельно) пропорциональна апертуре.
Схема системы фокусировки
1 - волоконные световоды
2,7 - призма
3 - светофильтры
4,16,17-линзы
5 - бипризма
6 - лимба
8,9,10,11 -зеркала
12 - входной зрачок объектива
13 – подложка
14,15 -растры
18,19 - счетверенные фотодиоды
Световые потоки от волоконных световодов 1 направляются на призму 2, далее проходят через светофильтр 3, линзу 4 и с помощью бипризмы 5 освещают участки лимб. Прошедшие через лимб световые потоки отклоняются призмой 7, зеркалами 8,9,10,11 в направлении входного зрачка объектива 12. Увеличение линзы 4 выбрано таким, чтобы изображение торцов световодов 1 располагались в пределах входного зрачка объектива и были при этом максимально разнесены друг от друга. С помощью зеркал 8,9,10,11 изображение торцов световодов построены левыми и правыми каналами датчика, в плоскости зрачка объектива накладываются друг на друга. Объектив строит изображение освещенного участка лимба каждого канала, а на поверхности подложки 13 в не пределах рабочего поля кадра 10* 10. Отражённое от подложки излучение через объектив и зеркала 8,9,10,11 освещает растры 14,15. При этом на анализирующих растрах строится изображение лимба 6 освещенного лучами идущими под одинаковыми углами к оптической оси датчика от источников 1. Световые потоки, прошедшие растры, линзами 16,18 проецируются в плоскость фотоприёмных площадок счетверённых фотодиодов 18,19. увеличение линз 16,17 выбрано так чтобы на каждый из двух светочувствительных площадок счетверённого фотодиода строилось изображение торца только одного светодиода. Если подложка находится в плоскости, оптически сопряженной с плоскостью штрихов лимба 6, то изображение лимба построенные лучами обоих источников, лежат в плоскости штрихов анализирующего растра и совпадают друг с другом. При неподвижном лимбе и точном наложении в одной плоскости его штрихов на штрихи анализирующего растра световые потоки приходящие к светочувствительным площадкам фотоприёмника, равны по величине. Расфокусировка приводит к смещению плоскости резкого изображения лимба относительно плоскости штрихов растра и к ослаблению световых потоков, поступающих на площадку фотоприёмника. Это происходит из-за частичного экранирования непрозрачными штрихами растров 14,15 лучей, строящих изображение прозрачных участков лимба 6. Смещение изображений штрихов лимба перпендикулярно оптической оси приводит к увеличению светового потока на одну из площадок фотоприёмника и уменьшение потока на его вторую площадку. Поэтому при вращении лимба 6 изображение его штрихов перемещаются, по анализирующему растру, а световые пучки, строящие изображения прозрачных участков лимба периодически перекрываются непрозрачными штрихами анализирующих растров 14,15. Это приводит к модуляции световых потоков, поступающих на площадку фотоприёмников. При точной фокусировке световые потоки модулируются синхронно и переменные составляющие сигналов фотоприёмников не имеют сдвига фаз. При расфокусировке возникает фазовый сдвиг между сигналами двух площадок каждого фотоприёмника. Знак фазового сдвига и его величина указывает соответственно на направление и величину расфокусировки. Сигналы вырабатываемые двумя каналами датчиков фокусировки, поступает через систему управления на привод подъёма стола.
