- •Тема 1 Введение.
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •Техническая система и иерархические уровни технической системы
- •Место технической системы среди других систем предприятия
- •Раздел 2 электронная гигиена
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •Раздел 3
- •Тема 4 «Оборудование для обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата финишной и суперфинишной обработки пластин
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •Требования к системе нагрева изделий
- •Индукционный нагрев
- •Принципиальная схема индукционного нагрева
- •Резистивныи нагрев
- •Схемы электрических печей сопротивления: а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев; 1 — нагреваемый материал; 2 — выключатель или магнитный пускатель; 3 —- электронагревательный элемент
- •Электронно-лучевой нагрев
- •Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
- •Лучистый нагрев
- •Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
- •Плазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ионно-лучевых источниках
- •Схемы возбуждения вч-разряда:
- •Нагрев лазером
- •Типовая схема лазерной технологической установки:
- •Раздел 4 классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллов полупроводников
- •Конструкция установки для выращивания монокристаллов полупроводников методом чохральского
- •Конструкции тепловых узлов установок для выращивания монокристаллов полупроводников
- •Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:
- •Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их свойства
- •Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
- •Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
- •Галогенные лампы
- •Современные галогенные лампы предлагают целый ряд существенных преимуществ
- •Галогенно-вольфрамовый цикл
- •Раздел 5 оборудование для операций очистки
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе:
- •Конструкция узлов обработки изделий:
- •Способы интенсификации процесса очистки
- •Пьезоэлектрические излучатели
- •Типы магнитострикционных излучателей:
- •Рабочие ванны с различными типами мешалок:
- •Типы распылительных форсунок:
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •Раздел 6 Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоёв
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Способы проведения жидкостной эпитаксии
- •Установка для жидкостной эпитаксии
- •Циклограмма давлений в установке каждения слоев при пониженном давлении
- •Раздел 7 Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •Раздел 8
- •Раздел 8.1 Оборудование для ионной имплантации.
- •Оборудование для очистки с применением низкотемпературной плазмы, радикалов и ионов
- •Установка с реактором диодного типа и анодной связью:
- •Установка плазмохимической обработки
- •Оборудование для плазмохимического удаления фоторезиста
- •Реакционно-разрядные камеры с подачей газа по четырем направлениям с равномерным рассредоточением потока (г) по отдельным трубкам и четырехсторонним рассредоточением потока (д)
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения гонких пленок
- •Вакуумная установка непрерывного действия "Магна-2м" для нанесения однослойных и многослойных тонких пленок магнетронным распылением:
- •Раздел 9 Газовые и вакуумные системы Общие сведения о вакуумной технике
- •Области вакуума
- •Пластинчато-роторный
- •Пластинчато-статорный
- •Плунжерный
- •Форвакуумный насос
- •Турбомолекулярный насос
- •Модернизированные диффузионные паромасляные насосы
- •Некоторые характеристики рабочих жидкостей высоковакуумных диффузионных насосов
- •Магниторазрядный вакуумный насос норд-25
- •Конденсационный насос со встроенным криогенератором
- •Газовые системы
- •Схемы смесителей:
- •Типовые конструкции клапанов:
- •Корпус; 6 — пружина; 7 — мембрана
- •Регулятор расхода газа: а — конструкция; б — схема включения
- •Магнитные электроразрядные вакууметры
- •Откачка химически активных газов.
- •Объемный дозатор поршневого типа
- •Тэрмоэлектрические преобразователи и термометры сопротивления
- •Общий вид (а) и рабочие концы хромель-алюмелевой (б), платинородий-платиновой (в) и малоинерционной (г) термопар
- •Градуировочные кривые термопар: 1 - хромель-копелевой хк, 2 - хромель-алюмелевой ха, 3 - из сплава нк-са, 4 - платинородий-платиновой пп, 5 - платинородий-платинородиевой пр30/6
- •Платиновые термометры сопротивления:
- •Приборы для измерения и регулирования температуры
- •Автоматический одноточечный потенциометр с ленточной диаграммой ксп4
- •Оптический пирометр и яркости его нити при температурах ниже и выше температуры нагретого тела (б, в) и равной ей (г) :
- •Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
- •Раздел 10 Установки совмещения и экспонирования
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •Оборудование для перспективных методов литографии.
- •Система эос
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •Оптико-механическое оборудование для изготовления фотошаблонов
- •Способ генерирования.
- •Фотоповторитель для изготовления эталонных фотошаблонов.
- •Оптическая схема фотоповторителя
- •Раздел 11 Оборудования для сборки имс и заключительных операций
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Общая характеристика установки эм-4480
- •Технические данные установки эм-4480
- •Учебный элемент «Устройство и работа составных частей установки эм-4480»
- •Установка присоединения выводов эм-4480
- •Тумба управления
- •Устройство микросварки
- •Станина
- •Пульт управления
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 12 Оборудование для испытаний и измерений
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
- •Раздел 13 Промышленные роботы и гибкие производственные системы
- •Раздел 14 Ремонт, наладка и профилактические работы.
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Тема. Коэффициенты, характеризующие эффективность работы оборудования.
- •Конюхов и.Е. Ремонт технологического оборудования. Тема. Ремонтно-технологические характеристики оборудования.
- •Надежность.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Методика расчета ремонтного цикла и внутрициклового обслуживания.
- •Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
Установки для очистки газов и воды
Основные процессы изготовления полупроводниковых приборов выполняют в газовых средах высокой чистоты, которые делятся на восстановительные (водород и его смеси с инертными газами), нейтральные (азот и инертные газы) и окислительные (кислород, пары воды). Наиболее широко используются водород, азот и аргон. В промышленных масштабах водород (для производства полупроводниковых приборов и микросхем) получают электролизом из воды, а азот и аргон — сжижением и ректификацией воздуха. Газы промышленного изготовления по своим характеристикам непригодны для использования в качестве защитной атмосферы при технологических процессах, непосредственно связанных с изготовлением р-n-переходов. Поэтому их дополнительно очищают от примесей.
Из всех примесей, встречающихся в водороде, аргоне и азоте, вредное влияние на качество полупроводниковых приборов и микросхем при их производстве оказывают в основном кислород и пары воды. Чем меньше содержание влаги в каком-либо газе, тем при более низкой температуре она начинает конденсироваться. Температуру, при которой происходит конденсация влаги, содержащейся в газе, называют температурой точки росы или точкой росы. Естественно, чем ниже точка росы, тем меньше влаги содержится в газе. Газы, очищенные в достаточной степени от кислорода и паров воды, надежно обеспечивают безокислительный нагрев при всех технологических процессах.
Очищают газы в специальных установках (рис. ниже).
Схема установки очистки газов:
1 - ротаметры, 2 - дозатор водорода, 3,4 - реакторы с палладированным алюмогелем и оксидом меди, 5 - холодильник, 6 - фильтр, 7 - адсорберы, 8 - вентили, 9 - подогреватели воздуха (азота) для регенерации
Очищаемый водород через ротаметр 1 подают в реактор 3 с палладированным алюмогелем, где происходит каталитическое связывание кислорода с водородом, в результате которого образуется вода. При очистке азота и аргона от кислорода водород специально в оптимальных количествах вводят в реактор 3 через ротаметр 1 и дозатор 2. Чтобы исключить конденсацию образовавшейся воды, реактор подогревают.
Очистка газов от водорода происходит в реакторе 4 с оксидом меди, нанесенным на активный глинозем. При этом свободный водород, вступая во взаимодействие с оксидом меди, восстанавливает его с образованием воды. Здесь же газ вторично очищается от кислорода, так как восстановленная медь снова вступает в реакцию с кислородом, связывая его. Для интенсификации процесса восстановления реактор 4 также подогревают. Таким образом, пройдя оба реактора, газ освобождается от кислорода, но при этом увлажняется образующейся водой, которая конденсируется в трубчатом холодильнике 5 и в виде конденсата удаляется из него.
Для окончательной осушки очищаемых газов служат два работающих поочередно адсорбера 7, заполненные в зависимости от необходимой степени осушки силикагелем или цеолитом*. При работе одного из адсорберов в другом происходит регенерация адсорбента азотом (или воздухом), который, проходя через вентили 8 и подогреватель 9, нагревается до необходимой температуры. Регенерируют адсорбент в течение времени, необходимого для восстановления его полной работоспособности. Очищенный и осушенный газ направляется к потребителю через вентиль 8 и фильтр 6, служащий для улавливания механических примесей, выносимых газом из установки очистки.
Очисткой по такой технологической схеме получают аргон и азот с содержанием кислорода до 5 • 10-4 % и точкой росы от -60 до -70 °С и водород — с содержанием кислорода до 1 • 10-4 % и точкой росы от -65 до -70 °С. Для некоторых современных технологических процессов (например, эпитаксии) требуется водород повышенной чистоты, близкой к спектральной. Получают такой водород диффузионной очисткой, пропуская его через металлическую перегородку или мембрану из сплава палладия с платиной, серебром, золотом или другими металлами.
*Силикагель (пористый гель кремниевой кислоты) и цеолит (полигидрат алюмосиликата) - вещества-адсорбенты, служащие для поглощения влаги и других примесей газов хорошо развитыми поверхностями.
Установки для очистки водорода и кислорода УОГВ отличаются тем, что в них отсутствуют блоки примеси водорода (ИМ, К) и реактор Р с закисью меди. В остальном конструкция аналогична.
Наибольшую степень очистки водорода получают на диффузионных установках за счет диффузии через мембранные или трубчатые фильтры из палладиевого сплава, через которые водород в отличие от других газов легко диффундирует при температуре 430...470°С.
Схема установки для диффузионной очистки водорода показана на рис ниже.
Схема установки для диффузионной очистки водорода
Очищаемый технический водород через механический фильтр Ф и редуктор РД подают в печь с трубчатым водородным фильтром ПФ, который подогревают электронагревателем. Очищаемый газ нагревается и диффундирует из полости А через стенки трубок из палладиевого сплава в полость Б. Очищенный газ далее поступает в охладитель ОХЛ и через вентиль подается к потребителю. Часть водорода с концентрированным содержанием примесей удаляется из фильтра через трубку 1, охладитель, ротаметр Р и клапан и подается в скруббер для сжигания. Давление очищаемого и чистого газов контролируется мановакууметрами MB. Перед началом работы установки через ее рабочий объем пропускают инертный газ, а затем откачивают до давления около 1 Па (10-2 мм. рт. ст.) После включения нагревателя и прогрева трубчатого фильтра откачка отключается и начинается, подача водорода. Очищенный водород имеет температуре не выше 60 C.
Палладиевые фильтры обеспечивают содержание влаги в очищенном газе не болеe 4*10-6 кг/м3,а кислорода — до 10-6%, однако следует учитывать, они имеют высокую стоимость и ограниченный срок службы.
Не менее важным этапом производства полупроводниковых приборов и микросхем является очистка воды от примесей. Для промывки деталей и собранных конструкций приборов после различных химических операций используют деионизованную воду, получаемую обработкой дистиллированной воды (конденсата) ионообменными смолами (ионитами).
Обработка ионообменными смолами основана на их способности связывать ионы растворимых в воде примесей в нерастворимые органические соединения (рис. ниже).
Схема очистки воды ионообменными смолами:
1, 3 - катионитовая и анионитовая колонки, 2 - дегазатор
Очищаемую воду последовательно пропускают через две колонки 1 и 3, заполненные смолами, соответственно поглощающими катионы (катионитами) и связывающими анионы (анионитами). Процессы обмена катионов и анионов, называемые катионированием и анионированием, получили широкое распространение в производстве полупроводниковых приборов и микросхем для смягчения, обессоливания и обескремнивания воды. Для удаления углекислого газа после катионирования служит дегазатор 2, в котором очищаемая вода продувается противотоком воздуха.
Продолжительность рабочего цикла ионообменных смол определяется их обменной емкостью, т.е. способностью к ионному обмену. После использования ионита до заданного предела обменной емкости необходимо восстановить его обменную способность, удаляя задержанные из обрабатываемой воды ионы и вводя взамен них ионы, которые он отдавал воде в период рабочего цикла. Таким образом, восстановление истощенного ионита является процессом ионного обмена, проводимого в обратном порядке. В качестве катионитов обычно применяют смолу КУ-2-82, а в качестве анионитов — АН-31 или ЭДЭ-10П. Выпускаются эти смолы в виде мелких гранул.
Основными показателями качества деионизованной воды являются ее удельное электрическое сопротивление и содержание органических веществ. Чем больше сопротивление и меньше содержание органических веществ, тем качество деионизованной воды выше.
Установки централизованной очистки воды позволяют получать деионизованную воду, удельное электрическое сопротивление которой не ниже 2 МОм • см. Выпускаемые промышленностью ионообменные установки централизованной очистки воды УЦ-2, УЦ-5 и УЦ-10 (соответственно производительностью 2,5 и 10м3/ч) построены по типовой технологической схеме и изготовляются из унифицированных элементов.
Для промывки кристаллов и пластин с электронно-дырочными переходами применяют воду с более высоким удельным сопротивлением (10—12МОм • см), получаемую дополнительной очисткой в финишных ионообменных установках УФ-250 и УФ-400 соответственно производительностью 250 и 400 л/ч. Кроме того, для финишной очистки воды используют электроионитовые установки (например, УФЭ-250), принцип действия которых основан на одновременной очистке воды ионообменными смолами и постоянным током.
Для контроля содержания частиц загрязнений в жидкостях (в том числе и воде) разработаны приборы серии ЛАМ (ЛАМ-1, ЛАМ-2-03, ЛАМ-2-0,2), отличающиеся минимальным размером регистрируемых частиц и расходом пропускаемой жидкости. Принцип действия этих приборов основан на регистрации изменения освещенности при попадании частиц загрязнений в излучение многомодового гелий-неонового лазера. Результаты измерений передаются ЭВМ и обрабатываются. После стабилизации показаний прибора ЭВМ запоминает измеренные параметры, дату, время и номер подключенной точки (места измерения) и выводит эту информацию на цифропечать.
