- •Тема 1 Введение.
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •Техническая система и иерархические уровни технической системы
- •Место технической системы среди других систем предприятия
- •Раздел 2 электронная гигиена
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •Раздел 3
- •Тема 4 «Оборудование для обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата финишной и суперфинишной обработки пластин
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •Требования к системе нагрева изделий
- •Индукционный нагрев
- •Принципиальная схема индукционного нагрева
- •Резистивныи нагрев
- •Схемы электрических печей сопротивления: а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев; 1 — нагреваемый материал; 2 — выключатель или магнитный пускатель; 3 —- электронагревательный элемент
- •Электронно-лучевой нагрев
- •Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
- •Лучистый нагрев
- •Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
- •Плазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ионно-лучевых источниках
- •Схемы возбуждения вч-разряда:
- •Нагрев лазером
- •Типовая схема лазерной технологической установки:
- •Раздел 4 классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллов полупроводников
- •Конструкция установки для выращивания монокристаллов полупроводников методом чохральского
- •Конструкции тепловых узлов установок для выращивания монокристаллов полупроводников
- •Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:
- •Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их свойства
- •Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
- •Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
- •Галогенные лампы
- •Современные галогенные лампы предлагают целый ряд существенных преимуществ
- •Галогенно-вольфрамовый цикл
- •Раздел 5 оборудование для операций очистки
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе:
- •Конструкция узлов обработки изделий:
- •Способы интенсификации процесса очистки
- •Пьезоэлектрические излучатели
- •Типы магнитострикционных излучателей:
- •Рабочие ванны с различными типами мешалок:
- •Типы распылительных форсунок:
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •Раздел 6 Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоёв
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Способы проведения жидкостной эпитаксии
- •Установка для жидкостной эпитаксии
- •Циклограмма давлений в установке каждения слоев при пониженном давлении
- •Раздел 7 Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •Раздел 8
- •Раздел 8.1 Оборудование для ионной имплантации.
- •Оборудование для очистки с применением низкотемпературной плазмы, радикалов и ионов
- •Установка с реактором диодного типа и анодной связью:
- •Установка плазмохимической обработки
- •Оборудование для плазмохимического удаления фоторезиста
- •Реакционно-разрядные камеры с подачей газа по четырем направлениям с равномерным рассредоточением потока (г) по отдельным трубкам и четырехсторонним рассредоточением потока (д)
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения гонких пленок
- •Вакуумная установка непрерывного действия "Магна-2м" для нанесения однослойных и многослойных тонких пленок магнетронным распылением:
- •Раздел 9 Газовые и вакуумные системы Общие сведения о вакуумной технике
- •Области вакуума
- •Пластинчато-роторный
- •Пластинчато-статорный
- •Плунжерный
- •Форвакуумный насос
- •Турбомолекулярный насос
- •Модернизированные диффузионные паромасляные насосы
- •Некоторые характеристики рабочих жидкостей высоковакуумных диффузионных насосов
- •Магниторазрядный вакуумный насос норд-25
- •Конденсационный насос со встроенным криогенератором
- •Газовые системы
- •Схемы смесителей:
- •Типовые конструкции клапанов:
- •Корпус; 6 — пружина; 7 — мембрана
- •Регулятор расхода газа: а — конструкция; б — схема включения
- •Магнитные электроразрядные вакууметры
- •Откачка химически активных газов.
- •Объемный дозатор поршневого типа
- •Тэрмоэлектрические преобразователи и термометры сопротивления
- •Общий вид (а) и рабочие концы хромель-алюмелевой (б), платинородий-платиновой (в) и малоинерционной (г) термопар
- •Градуировочные кривые термопар: 1 - хромель-копелевой хк, 2 - хромель-алюмелевой ха, 3 - из сплава нк-са, 4 - платинородий-платиновой пп, 5 - платинородий-платинородиевой пр30/6
- •Платиновые термометры сопротивления:
- •Приборы для измерения и регулирования температуры
- •Автоматический одноточечный потенциометр с ленточной диаграммой ксп4
- •Оптический пирометр и яркости его нити при температурах ниже и выше температуры нагретого тела (б, в) и равной ей (г) :
- •Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
- •Раздел 10 Установки совмещения и экспонирования
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •Оборудование для перспективных методов литографии.
- •Система эос
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •Оптико-механическое оборудование для изготовления фотошаблонов
- •Способ генерирования.
- •Фотоповторитель для изготовления эталонных фотошаблонов.
- •Оптическая схема фотоповторителя
- •Раздел 11 Оборудования для сборки имс и заключительных операций
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Общая характеристика установки эм-4480
- •Технические данные установки эм-4480
- •Учебный элемент «Устройство и работа составных частей установки эм-4480»
- •Установка присоединения выводов эм-4480
- •Тумба управления
- •Устройство микросварки
- •Станина
- •Пульт управления
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 12 Оборудование для испытаний и измерений
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
- •Раздел 13 Промышленные роботы и гибкие производственные системы
- •Раздел 14 Ремонт, наладка и профилактические работы.
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Тема. Коэффициенты, характеризующие эффективность работы оборудования.
- •Конюхов и.Е. Ремонт технологического оборудования. Тема. Ремонтно-технологические характеристики оборудования.
- •Надежность.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Методика расчета ремонтного цикла и внутрициклового обслуживания.
- •Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
Пьезоэлектрические излучатели
Резонансная частота сложного излучателя определяется не только толщиной керамической пластинки, а общей толщиной пакета с накладками. В многослойных излучателях верхнюю накладку выполняют из алюминия, а нижнюю — из стали. Так как акустическое сопротивление алюминия в три раза меньше, чем у стали, то амплитуда колебаний на поверхности алюминиевой накладки в три раза больше.
Магнитострикционные излучатели бывают двух типов: стержневые и плоские. Стержневые излучатели выполняют из стандартных никелевых трубок. При работе трубка сильно нагревается вихревыми токами. Поэтому ее разрезают по образующей и охлаждают, используя для этого водяные рубашки. Более просты по конструкции и надежны в работе плоские излучатели, представляющие собой пакеты из вырубленных плоских листов магнитострикционного материала (железа, никеля, кобальта и их сплавов). В пакете плоского излучателя (рисунок ниже) различают стержни 1, окно 2 и ярмо 3, соединяющее стержни.
Типы магнитострикционных излучателей:
а – стержневой (1 – трубка, 2 – обмотка), б – плоский (1 – стержень; 2 – окно, 3 – ярмо, 4 – обмотка)
Магнито-стрикторы, как правило, используют для одностороннего излучения. Для этого на торец магнитостриктора, противоположный излучающему, наклеивают пористую резину. Колебания, отражаясь от этого торца, изменяют фазу на 180° и достигают излучающей поверхности в фазе с прямой волной. В магнитострикторе нагреваются как обмотка, так и пакет. Для сохранения нормальных условий работы температура в центральной части вибратора не должна превышать 75 °С. Поэтому магнитостриктор заключают в герметичный бачок с принудительным охлаждением водой, а обмотку 4 выполняют из специального провода типа БПВЛ.
Из практики известно, что с увеличением удельной мощности свыше 0,4 Вт/см2 степень очистки изменяется незначительно. Поэтому для очистки подложек и изделий полупроводникового производства можно рекомендовать установки, обеспечивающие интенсивность УЗ-колебаний в диапазоне 0,4—0,5 Вт/см2.
В последнее время стали применять УЗ-колебания с частотой около 400 кГц.
Использование таких колебаний вызвано следующими положительными факторами:
более качественной очисткой мелких отверстий, щелей и т. п. за счет уменьшения длины волны;
увеличением расстояния эффективного воздействия УЗ-колебаний;
уменьшением габаритных размеров и массы УЗ-генераторов и преобразователей.
В технологии изготовления микросхем перемешивание жидких реагентов можно осуществлять устройствами с твердым рабочим органом — механическими мешалками или с газообразным рабочим органом (сжатый воздух, азот и др.) — барботерами. Выбор этих устройств определяется характеристиками перемешиваемой среды, в основном вязкостью.
Необходимо помнить, что понятие «скорость перемешивания» неэквивалентна понятию «скорость обтекания». Так, при перемешивании мешалкой растворителя вблизи растворяемой твердой поверхности угловая скорость вращения мешалки значительно отличается от скорости движения жидкости относительно твердой поверхности растворяемого тела (подложки). Скорость движения жидкости (обтекания) может на один-два порядка отличаться от угловой скорости вращения мешалки и мало зависеть от нее.
Эффективность перемешивания определяется затратами энергии, необходимыми для получения заданного технологического результата. Практика использования различных конструкций перемешивающих устройств показала, что для невязких сред можно успешно использовать лопастные, пропеллерные и турбинные мешалки (рисунок ниже). При вращении лопастей таких мешалок на поверхности жидкости образуется воронка, глубина которой определяется диаметром мешалки и частотой ее вращения. Нормальная работа мешалки соответствует условиям, при которых глубина воронки меньше глубины расположения лопастей мешалки. Для исключения образования воронки у стенок аппаратов с быстроходными мешалками устанавливают радиальные отражательные перегородки шириной примерно 0,1 диаметра сосуда.
Равномерность перемешивания возрастает по мере опускания мешалки в жидкость и достигает максимума, когда расстояние от мешалки до днища сосуда составляет соответственно 0,1—0,3 и 0,5—1 диаметра для лопастных и для пропеллерных и турбинных мешалок.
К числу первых перемешивающих устройств, примененных на практике, относятся лопастные мешалки (рисунок ниже, а), отличающиеся простотой конструкции и низкой стоимостью. Как правило, они имеют две лопатой, плоскость которых перпендикулярна плоскости днища (прямые лопатки) или расположены под углом (наклонные лопатки). В последнем случае интенсивность перемешивания значительно выше. Лопатки мешалки создают главным образом окружную циркуляцию жидкости при незначительной радиально-осевой циркуляции. Лопастные мешалки с высокими лопатками (высотой 0,8—1,2 их диаметра) называют листовыми. Такие мешалки используют для Процессов растворения при линейных скоростях 1,5—4 м/с; они имеют низкую интенсивность перемешивания.
Совершенствование лопастных мешалок привело к разработке и широкому применению пропеллерных и турбинных мешалок. Пропеллерные мешалки, выполненные в виде корабельного винта (рисунок ниже, б), создают в аппарате интенсивную циркуляцию среды, что обусловлено возникновением насосного эффекта. Они отличаются от мешалок других типов малым расходом энергии. Частота вращения вала составляет 2—30 об/с. Преимуществом таких мешалок является возможность муфтового соединения вала мешалки с валом электродвигателя. Для исключения образования воронки кроме отражательных перегородок вал мешалки располагают эксцентрично или устанавливают под некоторым углом к оси ванны. Для усиления осевой циркуляции пропеллер помещают в диффузор (циркуляционную трубу).
Турбинные мешалки (рисунок ниже, в) представляют собой один или два диска с укрепленными на них лопатками. Если лопатки заключены между дисками наподобие колеса центробежного насоса, то такую мешалку называют закрытой турбиной. Наиболее простыми и эффективными являются мешалки с прямыми лопатками, расположенными радиально в плоскости, перпендикулярной дну ванны. Мешалки с изогнутыми лопатками потребляют меньшую мощность.
При обработке поверхности распыленным реагентом (или в виде струй) интенсификации процесса очистки достигают увеличением скорости обтекания поверхности реагентом. На межфазной поверхности поддерживается постоянная концентрация реагента за счет непрерывной смены распыленного реагента и удаления с нее продуктов реакции. Немаловажное значение в интенсификации процесса имеет гидравлическое воздействие капель (струй) на поверхность, подобно тому, как деиствует гидромонитор.
