- •Тема 1 Введение.
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •Техническая система и иерархические уровни технической системы
- •Место технической системы среди других систем предприятия
- •Раздел 2 электронная гигиена
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •Раздел 3
- •Тема 4 «Оборудование для обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата финишной и суперфинишной обработки пластин
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •Требования к системе нагрева изделий
- •Индукционный нагрев
- •Принципиальная схема индукционного нагрева
- •Резистивныи нагрев
- •Схемы электрических печей сопротивления: а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев; 1 — нагреваемый материал; 2 — выключатель или магнитный пускатель; 3 —- электронагревательный элемент
- •Электронно-лучевой нагрев
- •Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
- •Лучистый нагрев
- •Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
- •Плазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ионно-лучевых источниках
- •Схемы возбуждения вч-разряда:
- •Нагрев лазером
- •Типовая схема лазерной технологической установки:
- •Раздел 4 классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллов полупроводников
- •Конструкция установки для выращивания монокристаллов полупроводников методом чохральского
- •Конструкции тепловых узлов установок для выращивания монокристаллов полупроводников
- •Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:
- •Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их свойства
- •Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
- •Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
- •Галогенные лампы
- •Современные галогенные лампы предлагают целый ряд существенных преимуществ
- •Галогенно-вольфрамовый цикл
- •Раздел 5 оборудование для операций очистки
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе:
- •Конструкция узлов обработки изделий:
- •Способы интенсификации процесса очистки
- •Пьезоэлектрические излучатели
- •Типы магнитострикционных излучателей:
- •Рабочие ванны с различными типами мешалок:
- •Типы распылительных форсунок:
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •Раздел 6 Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоёв
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Способы проведения жидкостной эпитаксии
- •Установка для жидкостной эпитаксии
- •Циклограмма давлений в установке каждения слоев при пониженном давлении
- •Раздел 7 Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •Раздел 8
- •Раздел 8.1 Оборудование для ионной имплантации.
- •Оборудование для очистки с применением низкотемпературной плазмы, радикалов и ионов
- •Установка с реактором диодного типа и анодной связью:
- •Установка плазмохимической обработки
- •Оборудование для плазмохимического удаления фоторезиста
- •Реакционно-разрядные камеры с подачей газа по четырем направлениям с равномерным рассредоточением потока (г) по отдельным трубкам и четырехсторонним рассредоточением потока (д)
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения гонких пленок
- •Вакуумная установка непрерывного действия "Магна-2м" для нанесения однослойных и многослойных тонких пленок магнетронным распылением:
- •Раздел 9 Газовые и вакуумные системы Общие сведения о вакуумной технике
- •Области вакуума
- •Пластинчато-роторный
- •Пластинчато-статорный
- •Плунжерный
- •Форвакуумный насос
- •Турбомолекулярный насос
- •Модернизированные диффузионные паромасляные насосы
- •Некоторые характеристики рабочих жидкостей высоковакуумных диффузионных насосов
- •Магниторазрядный вакуумный насос норд-25
- •Конденсационный насос со встроенным криогенератором
- •Газовые системы
- •Схемы смесителей:
- •Типовые конструкции клапанов:
- •Корпус; 6 — пружина; 7 — мембрана
- •Регулятор расхода газа: а — конструкция; б — схема включения
- •Магнитные электроразрядные вакууметры
- •Откачка химически активных газов.
- •Объемный дозатор поршневого типа
- •Тэрмоэлектрические преобразователи и термометры сопротивления
- •Общий вид (а) и рабочие концы хромель-алюмелевой (б), платинородий-платиновой (в) и малоинерционной (г) термопар
- •Градуировочные кривые термопар: 1 - хромель-копелевой хк, 2 - хромель-алюмелевой ха, 3 - из сплава нк-са, 4 - платинородий-платиновой пп, 5 - платинородий-платинородиевой пр30/6
- •Платиновые термометры сопротивления:
- •Приборы для измерения и регулирования температуры
- •Автоматический одноточечный потенциометр с ленточной диаграммой ксп4
- •Оптический пирометр и яркости его нити при температурах ниже и выше температуры нагретого тела (б, в) и равной ей (г) :
- •Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
- •Раздел 10 Установки совмещения и экспонирования
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •Оборудование для перспективных методов литографии.
- •Система эос
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •Оптико-механическое оборудование для изготовления фотошаблонов
- •Способ генерирования.
- •Фотоповторитель для изготовления эталонных фотошаблонов.
- •Оптическая схема фотоповторителя
- •Раздел 11 Оборудования для сборки имс и заключительных операций
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Общая характеристика установки эм-4480
- •Технические данные установки эм-4480
- •Учебный элемент «Устройство и работа составных частей установки эм-4480»
- •Установка присоединения выводов эм-4480
- •Тумба управления
- •Устройство микросварки
- •Станина
- •Пульт управления
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 12 Оборудование для испытаний и измерений
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
- •Раздел 13 Промышленные роботы и гибкие производственные системы
- •Раздел 14 Ремонт, наладка и профилактические работы.
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Тема. Коэффициенты, характеризующие эффективность работы оборудования.
- •Конюхов и.Е. Ремонт технологического оборудования. Тема. Ремонтно-технологические характеристики оборудования.
- •Надежность.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Методика расчета ремонтного цикла и внутрициклового обслуживания.
- •Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
Электроны, эммитируемые катодом 4, смонтированным на изоляторе 5, вытягиваются ускоряющим полем через отверстие в аноде 2. Электронный луч1 фокусируется электромагнитной линзой 9 и фокусирующим электродом 3 и отклоняется магнитным полем катушки 10 в тигель 11. Так как рассеиваемая на катоде мощность может составлять сотни ватт, то для охлаждения катодной ножки применяют радиатор 6, помещенный в защитный кожух 7, через который вентилятором продувается воздух. Анод может охлаждаться водой, подаваемой через ввод 8. В электронно-лучевых испарителях с пушкой Пирса, применяемых в микроэлектронике, используют ускоряющие напряжения до 30 кВ.
Лучистый нагрев
Нагрев обрабатываемого тела потоком лучистой энергии от высокоинтенсивного источника излучения с определенными спектральными характеристиками называют лучистым, нагревом. Поток лучистой энергии в зависимости от температуры и физических свойств излучателя представляет собой электромагнитные волны ультрафиолетового, оптического и инфракрасного спектров.
Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом показана на рис. ниже.
Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
1 — кварцевый реактор; 2 — источник излучения; 3 — рефлектор; 4 — кожух печи; 5 — фланцы реактора; 6 — патрубки для создания технологической среды
Основными конструктивными элементами установок с использованием лучистого нагрева являются: нагреватель-излучатель 2, рефлектор 3, отражающий и фокусирующий излучение, кварцевый реактор 1 для размещения обрабатываемых изделий; вспомогательные устройства для крепления или перемещения изделия, охлаждения рефлектора, излучателя, реактора и т. д.
В зависимости от того, в каком диапазоне длин волн излучается максимум энергии, источники излучения бывают для ультрафиолетового, оптического и инфракрасного нагрева. Требования к источникам излучения:
малые размеры;
широкий диапазон излучения энергии;
отсутствие загрязнения обрабатываемого изделия;
малая инерционность и возможность гибкого автоматического управления процессом;
удобство обслуживания;
возможность ведения процесса в различных средах.
Применяемые для нагрева источники излучения могут быть подразделены на резистивные и газоразрядные.
Технические характеристики различных источников излучения
|
|
Резистивные |
излучатели |
|
Газоразрядные излучатели |
|
Наименование технической характеристики |
спираль из сплава ОХ27Ю5А |
силитовый стержень |
стержень из дисилицида молибдена |
лампы галогенные |
дуговые лампы высокой интенсивности |
ксеноновые лампы |
Температура рабочего тела |
До 1300 |
1400 |
1250—1650 |
2200—3000 |
6000 |
6000 |
нагревателя °С |
|
|
|
|
|
|
Длина волны максимума излучения, мкм |
1,83 |
1,72 |
1,54 |
>•» |
0,6 |
— |
|
|
|
|
|
|
|
Диапазон λ1—λ2, излучения |
1,2—8 |
1,1-8,5 |
1—6,5 |
0,75—5 |
0,3—2,1 |
Селективный характер излучения |
90% энергии, мкм |
|
|
|
|
|
|
Тепловой баланс источника, %: |
|
|
|
|
|
|
Излучение |
80—90 |
80—90 |
80—90 |
86 |
35 |
40—60 |
Конвекция и теплопровод- |
20—10 |
20—10 |
20—10 |
14 |
37 |
30—20 |
ность |
|
|
|
|
|
|
Тепловые потери, % |
--- |
— |
— |
— |
28 |
30—20 |
Мощность, кВ-А |
0,5 |
0,5—10 |
0,5—10 |
0,05—20 |
до 20—15 |
0,8—20 |
Стабильность лучистого потока |
Высокая |
Низкая |
Высокая |
Высокая |
Низкая |
Низкая |
Срок службы, ч |
2000—7000 |
1500—2000 |
1500—2000 |
1500—200Q |
От десятков минут до десятков часов |
300—2000 |
Особенности эксплуатации |
Чувствительна |
Значительная |
Большие |
Рабочее |
Необходимость |
Необходимость, |
|
к наличию |
зависимость |
пусковые токи, |
положение — |
светозащиты |
светозащиты |
|
примесей |
сопротивления |
хрупкость, |
горизонтальное, |
и вентиляции |
и вентиляции, |
|
щелочных |
от температуры |
рабочее |
ограничена |
(удаление |
взрывоопасность. |
|
металлов |
и срока |
положение — |
температура |
озона) |
при использо- |
|
|
наработки, образуется налет на рефлекторе |
вертикальное |
колбы и выводов, необходимость светозащиты |
|
вании пускового устройства |
В устройствах, использующих инфракрасный (ИК) нагрев, широко применяют резистивные излучатели. Наиболее полно отвечает предъявляемым к источникам излучения требованиям галогенная лампа ИК-нагрева. При эксплуатации галогенной лампы следует учесть, что температура цоколей лампы не должна превышать 350 °С из-за возможности разрушения вследствие различия коэффициентов термического расширения кварца и металла, используемого для нити накала. Спектральный состав излучаемой энергии практически ограничивается диапазоном длин волн 0,8—3,5 мкм, что определяется относительно низкой долей излучения кварца.
Существует целый ряд ламп дугового, тлеющего, ВЧ и импульсного разряда с различными рабочими средами (воздух, пары ртути, водород, дейтерий, ксенон и др.), в которых происходит разряд. В микроэлектронике применяют дуговые, ксеноновые и ртутные лампы сверхвысокого давления (СВД).
Существенным недостатком газоразрядных излучателей является сложность источника питания, так как хотя дуговой разряд обычно протекает при низком напряжении и значительном токе, но для его зажигания необходимо высокое напряжение. После возникновения дугового разряда ток устанавливается, газ ионизируется и напряжение падает.
Дуговой разряд нестабилен по своей геометрии и мощности, что затрудняет использование газоразрядных ламп для прецизионного нагрева. Газоразрядные лампы создают повышенную опасность в эксплуатации из-за интенсивной ультрафиолетовой и видимой радиации, взрывоопасности и значительного образования озона. Для снижения температуры кварцевой колбы некоторых газоразрядных ламп применяют автономную систему охлаждения дистиллированной водой.
Из рассмотрения технических характеристик различных источников излучения можно заключить, что для ультрафиолетового нагрева (λ<0,4 мкм) можно использовать ртутные и водородные лампы; для оптического нагрева (λ,= 0,3 - 0,8 мкм) — дуговые источники, ксеноновые лампы; для инфракрасного нагрева в ближней области спектра (λ= 0,7 - 3,5 мкм) — галогенные лампы, а в средней области спектра ,(λ>3,5 мкм) - проволочные нагреватели из нихрома и других сплавов.
