- •Тема 1 Введение.
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •Техническая система и иерархические уровни технической системы
- •Место технической системы среди других систем предприятия
- •Раздел 2 электронная гигиена
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •Раздел 3
- •Тема 4 «Оборудование для обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата финишной и суперфинишной обработки пластин
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •Требования к системе нагрева изделий
- •Индукционный нагрев
- •Принципиальная схема индукционного нагрева
- •Резистивныи нагрев
- •Схемы электрических печей сопротивления: а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев; 1 — нагреваемый материал; 2 — выключатель или магнитный пускатель; 3 —- электронагревательный элемент
- •Электронно-лучевой нагрев
- •Электронно-лучевой испаритель с электронной пушкой Пирса
- •Лучистый нагрев
- •Принципиальная схема термической установки с лучистым нагревом:
- •Плазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ионно-лучевых источниках
- •Схемы возбуждения вч-разряда:
- •Нагрев лазером
- •Типовая схема лазерной технологической установки:
- •Раздел 4 классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллов полупроводников
- •Конструкция установки для выращивания монокристаллов полупроводников методом чохральского
- •Конструкции тепловых узлов установок для выращивания монокристаллов полупроводников
- •Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:
- •Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их свойства
- •Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
- •Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
- •Галогенные лампы
- •Современные галогенные лампы предлагают целый ряд существенных преимуществ
- •Галогенно-вольфрамовый цикл
- •Раздел 5 оборудование для операций очистки
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе
- •Конструкции узлов крепления пластин на столе:
- •Конструкция узлов обработки изделий:
- •Способы интенсификации процесса очистки
- •Пьезоэлектрические излучатели
- •Типы магнитострикционных излучателей:
- •Рабочие ванны с различными типами мешалок:
- •Типы распылительных форсунок:
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •Раздел 6 Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоёв
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Способы проведения жидкостной эпитаксии
- •Установка для жидкостной эпитаксии
- •Циклограмма давлений в установке каждения слоев при пониженном давлении
- •Раздел 7 Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •Раздел 8
- •Раздел 8.1 Оборудование для ионной имплантации.
- •Оборудование для очистки с применением низкотемпературной плазмы, радикалов и ионов
- •Установка с реактором диодного типа и анодной связью:
- •Установка плазмохимической обработки
- •Оборудование для плазмохимического удаления фоторезиста
- •Реакционно-разрядные камеры с подачей газа по четырем направлениям с равномерным рассредоточением потока (г) по отдельным трубкам и четырехсторонним рассредоточением потока (д)
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения гонких пленок
- •Вакуумная установка непрерывного действия "Магна-2м" для нанесения однослойных и многослойных тонких пленок магнетронным распылением:
- •Раздел 9 Газовые и вакуумные системы Общие сведения о вакуумной технике
- •Области вакуума
- •Пластинчато-роторный
- •Пластинчато-статорный
- •Плунжерный
- •Форвакуумный насос
- •Турбомолекулярный насос
- •Модернизированные диффузионные паромасляные насосы
- •Некоторые характеристики рабочих жидкостей высоковакуумных диффузионных насосов
- •Магниторазрядный вакуумный насос норд-25
- •Конденсационный насос со встроенным криогенератором
- •Газовые системы
- •Схемы смесителей:
- •Типовые конструкции клапанов:
- •Корпус; 6 — пружина; 7 — мембрана
- •Регулятор расхода газа: а — конструкция; б — схема включения
- •Магнитные электроразрядные вакууметры
- •Откачка химически активных газов.
- •Объемный дозатор поршневого типа
- •Тэрмоэлектрические преобразователи и термометры сопротивления
- •Общий вид (а) и рабочие концы хромель-алюмелевой (б), платинородий-платиновой (в) и малоинерционной (г) термопар
- •Градуировочные кривые термопар: 1 - хромель-копелевой хк, 2 - хромель-алюмелевой ха, 3 - из сплава нк-са, 4 - платинородий-платиновой пп, 5 - платинородий-платинородиевой пр30/6
- •Платиновые термометры сопротивления:
- •Приборы для измерения и регулирования температуры
- •Автоматический одноточечный потенциометр с ленточной диаграммой ксп4
- •Оптический пирометр и яркости его нити при температурах ниже и выше температуры нагретого тела (б, в) и равной ей (г) :
- •Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
- •Раздел 10 Установки совмещения и экспонирования
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •Оборудование для перспективных методов литографии.
- •Система эос
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •Оптико-механическое оборудование для изготовления фотошаблонов
- •Способ генерирования.
- •Фотоповторитель для изготовления эталонных фотошаблонов.
- •Оптическая схема фотоповторителя
- •Раздел 11 Оборудования для сборки имс и заключительных операций
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Общая характеристика установки эм-4480
- •Технические данные установки эм-4480
- •Учебный элемент «Устройство и работа составных частей установки эм-4480»
- •Установка присоединения выводов эм-4480
- •Тумба управления
- •Устройство микросварки
- •Станина
- •Пульт управления
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 12 Оборудование для испытаний и измерений
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
- •Раздел 13 Промышленные роботы и гибкие производственные системы
- •Раздел 14 Ремонт, наладка и профилактические работы.
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Тема. Коэффициенты, характеризующие эффективность работы оборудования.
- •Конюхов и.Е. Ремонт технологического оборудования. Тема. Ремонтно-технологические характеристики оборудования.
- •Надежность.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Методика расчета ремонтного цикла и внутрициклового обслуживания.
- •Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
1 - центрифуга, 2,7- корпуса, 3 - резиновый отстойник, 4 - колпачок, 5 - фильтр, 6 - мешалка, 8 - шестеренчатый насос
Ручной режим - для проверки работоспособности станка.
Автоматический режим резки слитка по программе пакетов и одиночных пластин. Суммарная толщина пакетов не должна превышать 25 мм.
Наладка станка. Ежедневный осмотр, очистка барабана и кожухов от отходов резания, очистки фильтра, и чаши центрифуги, смазывание, устранять неисправности, от которых зависит качество отрезаемых пластин и работоспособность станка.
Важнейшими характеристиками станка являются: торцевое биение посадочного места по инструмент, точность подачи слитка на шаг, скорость подачи алмазного диска и частота его вращения.
Биение - не более 0.01 мм контролируется ИГМ индикатором с ценой деления 0.001 и шкалой 0 - 1 мм. Точность подачи слитка +/- 0.007 мм измеряют тем же индикатором, только чтобы штифт касался корпуса каретки подачи слитка. Задав на пульте управления толщину пластины 0.2 - 1 мм сравнивают ее с показаниями индикатора. Точность устанавливают подтягивая винты, соединяющие раздвижные опоры каретки, что устраняет образовавшийся люфт.
Скорость подачи алмазного круга измеряют индикатором И4-10 и секундомером, а затем сравнивают, с заданной скоростью по приборам.
Разница должна быть не более +/- 3.75 мм/мин для интервала от 6 до 50 мм/мин и +/- 7.5 мм/мин для интервала от 50 до 75 мм/мин.
При большем отклонении регулируют, вращая соответствующий вентиль гидросистемы.
Частоту вращения шпинделя измеряют тахометром и сравнивают с заданной по приборным станка. Разница не более +/- 2.5%. Регулируют частоту вращения шпинделя, вращая ручку потенциометра.
Оборудование для шлифовки и полировки п/п пластин.
Цель операции шлифовки в производстве кристаллов п/п заключается в следующем:
- удаление разрушенного слоя кристаллической решетки
- получение параллельности плоскостей пластины
- доведение до определенной толщины
- обеспечить чистоту обработки поверхности.
Параметры режима шлифовки:
- давление на шлифуемые пластины
- скорость вращения шлифовального круга
- размер зерен абразива
- твердость абразивного материала
- концентрация и скорость подачи эмульсии
Качество поверхности шлифованной пластины зависит от чистоты обработки шлифовального круга и материала, из которого этот круг сделан.
И так, существенно влияет абразив - меньше размер зерна, меньше его твердость - выше степень совершенства поверхности.
Абразивные материалы по зернистости разделяются на группы:
1. Шлифзерно (11 групп размер зерна с 200 до 16)
2. Шлифпорошки (мелкие зерна абразива 7 групп с 15 до 3)
3. Микропорошки от М40 до З т.е. от 40 до 5 мк.
В п/п используются микропорошки. Чаще всего применяют от 15 мк и меньше. Материал для абразива электрокорунд , корунд (окись алюминия), а так же карбид кремния. Микропорошки: электрокорунд белый марки (Э98) 98 А120з, 0.15% FeO, 2% SiCb - для резки слитков. Электрокорунд (Э90) до М7 идет и для резки и для шлифовки. Корунд природный имеет зернистость до М7 - хуже чем Э90
Карбид кремния (КЗ) - имеет более высокую твердость. Посторонние вкрапления оказывают меньшее влияние на образование царапин - и этот материал чаще используют.
Шлифуют в 2 этапа черновая шлифовка - (10 - 14 мк зерна) и чистовая - (5-7 мк зерна).
Применяются 2 способа шлифовки: одностороннее шлифование (т.е. одну сторону вначале, потом другую). Клеют пластины пицеюном (смесью воска с канифолью),воск, канифоль, шеллак и некоторые другие материалы.
По такому принципу работает станок односторонней шлифовки с-15. Имеется 4 шпинделя т.е. можно закрепить сразу 4 оправки по 7 пластин = 28.
С-15 имеет две стороны вращения шлифовального круга 60 об/мин - 120 об/мин. Шпиндели вращаются со скоростью 190 об/мин
Второй способ шлифовки. Шлифовка пластин без наклейки
Применятся специальные с металлическими сепараторами, толщина которых определяет толщину получаемых после шлифовки пластин.
Нa шлифкруге помещают не менее трех сепараторов, в каждом из которых помещают по шесть полных пластин.
Важно отметить, что при шлифовке должна быть обеспечена плоско параллельность поверхностей и не хуже +/- 2 мкм на площади пластин диаметром 100 мм при получении худшей плоско параллельности, и после проведения изолирующей диффузии наблюдается разброс по толщине изолированных областей, в которых создаются активные элементы, это приводит к разбросу Э/П.
Механические методы полировки
Химические способы полировки, широко используемые в п/п производстве, имеют существенные недостатки: образование чечевицеобразной формы, за счет повышенной скорости травления Si на краях.
Поэтому все чаще используется механические способы полировки.
После тонкой шлифовки проводят грубую полировку. Грубая полировка производится на фторопластовом полировальном круге, используют при этом корундовые или алмазные пасты с размером абразива 1мкм. Время грубой полировки от 30 мин до 1 часа. Такое полирование снижает шероховатость поверхности до 0,02 0.08 мкм (200 - 800А). После грубой полировки - тонкая полировка. Имеется две разновидности топкой механической полировки:
Оптическая и металлографическая.
При оптической полировке используют абразивы - оксид хрома, оксид циркония и другие окислы, применяемых в оптической промышленности. На основе этих окислов приготавливается водная суспензия, которая подается на поверхность полировального круга.
Металлографическая полировка - определяется свойствами материала полировальника.
Такими материалами могут быть: силон, нейлон, политекс.
На такой полировальник наносят алмазную пасту пластину 0,25 мкм (2500 А) или пудру окисла алюминия с величиной зерна 0,1 - 0.3 мк.
Толщина нарушенного слоя после глубокой полировки 0,7 до 1.0 мкм.
Обычно механическую полировку применяют в комбинации с химической или электрохимической. Удаляют с помощью электрохимполировки нарушенный слой до 10 - 25 А, а плоскостность 1 мкм/см.
Для химической полировки используют HF - 1 ч. HNO3 - 3 ч. Подбор зависит от необходимой скорости вращения.
