- •II часть
- •1.Миниатюризация
- •1.1.Мотивация проведения исследований в области нт
- •1.2.Планы и стратегия развития
- •1.3.Границы изменения масштабов
- •1.4.Связь размеров структур с их функциональностью
- •1.4.1.Распределение атомов и связанные с этим свойства
- •1.4.2.Отношения величина - свойства
- •4 Связь размеров структур с их функциональностью
- •2.1.Введение
- •2.2.Биологические строительные блоки
- •2.2.1. Размеры строительных блоков и наноструктуры
- •2.2.2.Основные объекты нанобиотехнологии
- •2.2.3.Строительные блоки.Синтетические и биологические.
- •2.3.Принципы самосборки
- •2.3.1.Нековалентные взаимодействия
- •2.3.2.Межмолекулярная упаковка
- •2.3.3.Биологическая самосборка
- •2.4.1.Самосборка (Другой источник информации): Понятия и определения
- •2.4.2.Типы межмолекулярных взаимодействий
- •2.4.3.Измерение свойств веществ в наномировом масштабе.
- •3.Нанобиотехнология
- •3.1.Проблемы определения используемых понятий
- •3.2.Технологии типа от нано к био
- •3.3.Технологии типа от био к нано
- •3.4.Нанобиотехнология и молекулярные устройства
- •3.4.1.Общие вопросы
- •3.1. Основные направления развития биотехнологии
- •3.4.2. Молекулярные устройства.3.4.2.1. Общие вопросы
- •3.4.2.2.Молекулярные пинцеты
- •4.4.2.3.Ротаксаны и катенаны
- •4.4.2.4.Вращательное движение
- •4.4.2.5.Возвратно-поступательное движение
- •4.4.2.6.Схемы сборки путем нанизывания кольцевых молекулярных
- •4.Биотехнология, медицина и здравоохранение
- •4.1. Состояние исследований и разработок
- •4.2. Цели, проблемы и решения
- •4.3. Инфраструктура, стратегия и приоритеты
- •4.4. Достижения и новые парадигмы
- •4.4.1. Изучение особенностей биологических систем
- •4.4.2. Нанонаука и нанотехнология в процессах создания биологических тканей (тканевая инженерия)
- •4.4.3. Биологическое детектирование боевых отравляющих веществ
- •4.4.4. Флуоресцентные биологические метки на основе полупроводниковых нанокристаллов
- •4.5.5. Нанотехнология изготовления днк-чипов
- •4.5.Иомиметические нанотехнологии
- •4.5.1. Днк как строительный материал нанотехнологий
- •4.5.1.1. Направленная сборка с помощью днк
- •4.5.1.2. Днк как шаблон для молекулярной электроники
- •4.5.1.3. Моторы и наномашины на основе днк
- •4.5.2.1. Действие биологических моторов
- •4.5.2.2. Биологические моторы как часть синтетических систем
- •4.5.3. Искусственный фотосинтез
- •4.7. Использование наноустройств в космических исследованиях
- •5.2.1.Основные технические характеристики микроскопа "supra 60vp"
- •5.3. Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.3.1. Общие принципы сканирующей зондовой микроскопии
- •5.4.Сканирующая зондовая микроскопия
- •5.5.Сканирующая туннельная микроскопия
- •5.7.Атомно-силовые измерения в биологических системах
- •6. Технология рекомбинантных днк
- •6.1.Векторы для Escherichia coli
- •6.2.Идентификация клонированных днк
- •6.3.Экспрессия эукариотических белков в е. Coli
- •6.4. Генетическая инженерия с участием других клеток-хозяев
- •6.5.Получение инсулина на основе методов генетической инженерии
- •6.6.Синтез соматотропина
- •6.7.Получение интерферонов
- •6.8.Генная инженерия растений
- •6.8.1.Получение трансгенных растений
- •6.8.1.6.Применение методов генетической инженерии для улучшения аминокислотного состава запасных белков растений
- •6.8.1.7.Повышение эффективности процесса фотосинтеза
- •6.8.1.8.Генно-инженерные подходы к решению проблемы усвоения азота
- •6.8.1.9.Устойчивость растений к фитопатогенам
- •6.8.1.10.Устойчивость растений к гербицидам
- •6.8.1.11.Устойчивость растений к насекомым
- •6.8.1.12.Устойчивость растений к абиотическим стрессам
- •6.9.1.Типы питания микроорганизмов
- •6.9.2.Типы энергетического обмена у микроорганизмов
- •6.9.3.Питательные среды для культивирования микроорганизмов
- •6.9.4.Источники углерода
- •6.9.5.Источники азота
- •6.9.6.Источники витаминов, гормонов и микроэлементов
- •6.9.7.Биохимические и биофизические факторы роста
- •6.9.8.Конструирование питательных сред для выращивания микроорганизмов
- •6.9.9.Технология приготовления питательных сред
- •6.9.10.Пастеризация как вариант термической стерилизации
- •6.9.11.Стерилизация фильтрацией
- •6.9.12Особенности культивирования эукариотических клеток в качестве продуцентов.
- •10. Что такое паспорт культуры?
- •1. Каковы причины введения международных правил в фармацевтическую практику?
- •9. Экобиотехнология
- •9.1. Введение
- •9.2. Состояние исследований и разработок
- •9.3. Цели, проблемы и решения
- •9.4. Инфраструктура, стратегия и приоритеты
- •9.5. Достижения и новые парадигмы
- •9.6.Биотехнология утилизации твердых отходов.
- •9.6.1. Биотехнология утилизации твердых отходов
- •9.6.2.Биотехнология очистки сточных вод
- •9.7.Биоэнергетика
- •9.8. Ксенобиотики и их биодеградация
5.4.Сканирующая зондовая микроскопия
Методы сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) в своем роде совершенно уникальны, поскольку они позволяют получить изображение отдельных атомов, а в некоторых случаях и напрямую их перемещать. Впрочем, их принципы просты, как и все гениальное. Например, для наиболее распространенной разновидности СЗМ — атомно-сило-вой микроскопии (АСМ) — он заключается в следующем. Над исследуемым образцом на крошечной высоте перемещается остроконечная металлическая игла (кан-тилевер), которая постепенно, линия за линией, сканирует его поверхность. Острие щупа взаимодействует с атомами, находящимися на исследуемой поверхности: силы Ван-дер-Ваальса притягивают острие к поверхности, а электростатические силы отталкивают его. Таким образом, при прохождении иглы над неровной поверхностью положение щупа немного изменяется, а эти смещения уже можно обнаружить с помощью достаточно чувствительных детекторов.
Прототипом подобных приборов послужил сканирующий туннельный микроскоп, идея которого была предложена Расселом Юнгом в 1966 г. Через 5 лет он опубликовал описание прибора под названием Topografiner с разрешением 3 А.
Вскоре, в 1979 г. Генрихом Рорером и Гердом Биннигом из Цюрихского отделения фирмы IBM был создан первый сканирующий туннельный микроскоп, имевший уже атомарное разрешение. Патент на это изобретение был получен в 1982 г., а уже в 1986 г. за разработку сканирующего туннельного микроскопа Г. Рореру и Г. Биннингу была присуждена Нобелевская премия.
Принцип сканирующей туннельной микроскопии весьма близок к принципу АСМ: между поверхностью и находящимся над ней острием щупа поддерживается небольшая разность потенциалов (несколько десятых долей вольта). За счет туннельного эффекта между иглой и поверхностью протекает электрический ток, сила которого зависит от высоты кончика иглы над образцом. По мере сканирования иглой поверхности автоматическая система управления с помощью специальных пьезоэлектрических двигателей изменяет высоту щупа так, чтобы сила туннельного тока оставалась постоянной.
В методе магнитно-силовой микроскопии положение зонда реагирует на изменение магнитного поля над образцом. Таким образом может быть получена карта рельефа поверхности на атомном уровне, но только для проводящих материалов.
На изображении показаны стандартные кремниевые зонды GOLD (вид сбоку — слева и вид зонда спереди — справа).
Зонд имеет форму тетраэдра, последние 500 нм до кончика зонда — цилиндрической формы. Высота зонда — 14—16мкм; типичный радиус кривизны зонда без покрытия — 10 нм.
Растровая электронная микроскопия. © НТ-МДТ, опубликовано с разрешения
5.5.Сканирующая туннельная микроскопия
Как уже упоминалось, первым зондовым микроскопом, изобретенным и реализованным Г. Биннигом и Г. Рёрером в полном объеме современной структуры, был прибор, основанный на принципе квантового туннелирования электронов между металлическим острием и близко расположенным по отношению к нему проводящим образцом. Зонды для сканирующей туннельной микроскопии (STM - Scanning Tunneling Microscopy) могут быть изготовлены различными способами (рис. 4.10).
Рис.5.9. Два основных способа создания острых игл-зондов для тунельной микроскопии:
Рис.5.10. Схема,поясняющая физические принципы работы сканирующего туннельного микроскопа (STM):
Принципиально важно, чтобы вблизи кончика образовались атомарно-острые выступы. Несмотря на кажущуюся грубость методов травления и разрезания, из-за вытяжки проволоки перед ее разрывом почти всегда образуются тонкие перемычки, которые после разрушения преобретают очень высокую остроту. Один из этих выступов затем и используется в качестве зонда.
При уменьшении зазора между зондом и образцом до нескольких ангстрем волновые функции электронов, находящихся на кончике острия и в ближайших к нему атомах исследуемой поверхности, перекрываются (рис. 5.10), и при подаче небольшого напряжения (0,01... 10 В) на зонд возникает туннельный ток. Роль барьера играет вакуумированный зазор между зондом и поверхностью. При зазоре < 1 нм его с хорошей точностью можно считать свободным от молекул воздуха даже при атмосферном давлении (среднее расстояние между молекулами воздуха при нормальных физических условиях X ~п^1Ъ~ 3 нм, где п0 =
= 2,69 * 1025 м~3 - число Лошмидта).
Хотя STM можно реализовать не только на воздухе, но и в жидкости, наибольшее применение находят методы, требующие высокого вакуума, поскольку только в этом случае можно достичь атомного разрешения (при понижении температуры до нескольких десятков Кельвинов и хорошей виброизоляции прибора).
Так как в области зазора волновая функция электрона спадает по экспоненте
здесь т - масса электрона; Е = eU - его энергия, где е - заряд электрона; U -приложенное напряжение), то и туннельный ток через зазор экспоненциально сильно зависит от его величины Az = z1 – z2.
Рис.5.11. Две основные моды туннельной микроскопии:
[здесь p(EF) - плотность состояний электронов в образце вблизи уровня Ферми].
Для обычных значений высоты барьера W « 5 эВ (что соответствует величине работы выхода электрона из типичных металлов) туннельный ток падает примерно на порядок величины при увеличении зазора на 0,1 нм. Столь резкая зависимость I, = f (Az) и положена в основу работы туннельного микроскопа. За короткое время удалось достигнуть действительно атомарного разрешения (1983 г.), что открыло дверь в мир наноструктур широкому кругу специалистов различных областей.
Рис.5.12.
Изображение бактерии с удовлетворительным разрешением можно шчучить и с помощью оптической микроскопии — н том нет ничего сложного. И только методы СЗМ позволяют получить их трехмерное п шбражепие.
Рис.5.13
Рис.5.14 и рис.5.15.
Рис.5.16.
Рис 5.17 и рис.5.18.
5.6.Атомно-силовая микроскопия
Как и туннельная, атомно-силовая микроскопия (AFM - Atomic Force Microscopy) была изобретена Г. Биннигом с соавторами через несколько лет после создания STM (в 1986 г.). Принцип действия атомно-силовой микроскопии со всеми ее многочисленными разновидностями заключается в измерении сил взаимодействия между зондом и поверхностью. Как правило, зонд устанавливают (или формируют зацело) на свободном конце кантилевера, деформация которого и измеряется тем или иным способом (рис. 5.19.).
При этом могут быть использованы как нормальная FN, так и тангенциальная Fx (латеральная) составляющая силы взаимодействия зонда с поверхностью. Независимо от природы этих сил (например, это может быть ван-дер-ваальсово
Рис.5.19. Изгиб и кручение консольной балочки (кантилевера)с зондом на свободном конце под действием нормальной FN (а) и латеральной сил Ft (б):
Рис.5.20. Схема возникновения и использования межатомных сил в различных модах атомно-силовой сканирующей микроскопии.
взаимодействие) имеются две области - притяжения (на большом расстоянии от поверхности) и отталкивания (на малом) (рис. 5.20).
Обе можно использовать в различных модах AFM (контактных, бесконтактных и промежуточных - полуконтактных или квазиконтактных). Более подробно эти разновидности будут описаны ниже.
Наибольшее распространение получили оптические методы регистрации деформации кантилевера, в частности метод оптического рычага (рис. 5.21).
Сфокусированный луч лазера падает на тыльную поверхность кантилевера (обычно зеркальную) и после отражения от нее попадает на четырехоконный фотоприемник. Предварительной юстировкой пучка добиваются такого состояния, чтобы в отсутствие деформации кантилевера (зонд удален от объекта исследования на большое расстояние) сигналы со всех четырех сегментов были равны между собой. После попарного вычитания их на дифференциальном входе предварительного усилителя сигнал на выходе отсутствует (левый нижний фрагмент на рис. 5.21).
Рис.5.21. Схема змерения сил взаимодейсвия зонда с поверхностью методом оптического рычага:
При возникновении нормальной силы F# вследствие взаимодействия зонда с исследуемой поверхностью сигнал с сегментов а и Ъ становится больше, чем с с и d, и это регистрируется электроникой. Если к нормальной силе FN добавляется латеральная F„ то сигналы со всех четырех сегментов отличаются друг от друга (нижний правый фрагмент на рис. 5.21), что дает возможность раздельно измерять обе компоненты силы.
Большую роль в любой сканирующей зондовой микроскопии, в том числе и в AFM, играют обратные связи между измерительным узлом и позиционером (пьезоактуатором) . Они необходимы для реализации различных мод микроскопии и защиты зонда от повреждений в случае задевания за большие неровности на поверхности образца. Как и в сканирующей туннельной микроскопии, возможны работа с отключенной обратной связью и прямая регистрация сил взаимодействия или рельефа поверхности. Но гораздо чаще работают с включенной обратной связью, и сигнал, возникающий в ней, записывают в компьютер в качестве локальной характеристики поверхности.
Рис.5.22. Другие принципы регистрации изгиба кантиливера в AFM:
Менее распространены в AFM другие способы регистрации прогиба кантилевера (рис.5.22), однако при использовании его в роли сенсора пьезоэлектрические и пьезорезистивные преобразователи становятся более предпочтительными вследствие простоты и малых габаритных размеров.
Зонды для AFM представляют собой острые иглы с радиусом закругления на кончике от единиц до десятков нанометров (рис. 5.23).
Они могут быть сформированы на кремниевой балочке - кантилевере прямо- или треугольного сечения (в плане) или на треугольной проволочной петле. Коэффициент жесткости кантилевера, в значительной мере определяющий чувствительность AFM, может варьироваться в широких пределах (10-4... 10 Н/м). Косвенно он также определяет и резонансную частоту а>о, и добротность колебаний кантилевера, которые имеют большое значение для реализации различных колебательных мод силовой микроскопии.
Рис. 5.23. Зонды для AFM:
а - обычный пирамидальный зонд из нитрида кремния; б - зонд с острием, выращенным методом электронно-лучевого осаждения; в - зонд с прикрепленной к
вершине нанотрубкой [4.4, 4.9,4.18]
Рис.5.24. и рис.5.25.
