- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная часть
- •Порядок выполнения работы
- •Задание 1. Определение входной емкости осциллографа с0
- •Задание 2. Определение диэлектрической проницаемости твердого диэлектрика
- •Контрольные вопросы
- •Используемая литература
- •Теоретическое введение
- •Перепишем соотношение (1.7) в виде
- •Так как объемная плотность энергии электрического поля
- •Экспериментальная часть
- •Лабораторная работа 2-03 Определение емкости конденсаторов при помощи мостиковой схемы
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Определение удельного сопротивления проводника
- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов измерений
- •Изучение температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников
- •Фрагмент 2
- •Экспериментальная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная часть
- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная установка
- •Контрольные вопросы
- •Изучение зависимости мощности и кпд источника тока от величины нагрузки
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Экспериментальная часть Приборы и оборудование
- •Методика измерений
- •Экспериментальная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Принципиальная электрическая схема
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Изучение работы осциллографа
- •Введение
- •Контрольные вопросы.
- •1. Савельев и.В. Курс обшей физики: Электричество и магнетизм.Волны. Оптика: Учебное пособие. T.2.- 2-е изд.- м.:Наука. 1982.-§ 73. -с.210-212.
- •Проверка закона Био-Савара-Лапласа и определение горизонтальной составляющей магнитного поля Земли
- •Теоретическое введение
- •Лабораторная работа 2-15 Изучение эффекта Холла в полупроводнике
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Задание
- •Порядок действий.
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Приборы и оборудование
- •Методика измерений
- •По закону Фарадея эдс индукции по вторичной обмотке
- •Из выражения (5.15) и (5.16) получаем
- •Экспериментальная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная часть
- •Метод измерения
- •Индукция магнитного поля соленоида, длина l которого соизмерима с диаметром d:
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Определение удельного заряда электрона с помощью индикатора 6е5с
- •Введение.
- •Описание метода и установки.
- •5. Зисман г.А. Тодес о.М. Курс общей физики. Электричество.-4-е изд. -м.: Наука. 1972. - § 36,37. С.226-238.
- •Теоретическое введение
- •Функциональная схема представлена на рисунке 7.7 где:
- •Контрольные вопросы
- •Изучение явления резонанса в колебательном контуре
- •Теоретическое введение
- •Электрическая схема установки
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теоретическое введение
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
Экспериментальная установка
Рис.
16.
На рис. 17 показана схема расположения приборов и ручек управления на лицевой панели установки:
Рис.
17.
Порядок выполнения работы
1. Ознакомьтесь с правилами техники безопасности. Выполните указанные в них рекомендации.
2. Ознакомьтесь с установкой. Включите измерительные приборы, дайте им прогреться.
3. Измерьте и запишите комнатную температуру Tк.
4. Температурные зависимости Rм(t) и Rпр(T) в данной работе изучают в диапазоне температур от Tк до Tк+(60 70)К. Измерение рекомендуется проводить примерно через 5К. Поэтому, пользуясь градуировочным графиком термопары, найдите шаг измерения термоэдс термопары Т в эксперименте, т.е. изменение термоэдс Uт, соответствующее нагреву образца на T = 5К Занесите в таблицу те значения Uт, при которых в дальнейшем будете проводить измерение.
5. Нажать кнопку нагрева 4 и, не отпуская ее, измерить значения сопротивления полупроводника (переключатель 5 в положение "п/п" ) и металла (переключатель 5 в положение "мет" ) при значениях тока I от min до 800 mA через каждые 100 mA.
6. Опустить кнопку нагрева 4 и повторить измерения аналогично п.2 в процессе охлаждения образцов.
7. Вычислить среднее значение сопротивлений Rп/п и Rмет, полученных при нагревании (п.2) и охлаждении (п.3) образцов по формуле:
Rср = ( Rнагр + Rохл ) / 2.
8. Используя градуировочный график , определить температуру образца Ò по значению силы тока в нагревательной цепи.
9. Результат занести в таблицу по форме 5.
Форма 5.
|
Нагрев |
Охлаждение |
Среднее |
|
|||
I , 106А |
Rп/п , 103 Ом |
Rме , 103 Ом |
Rп/п , 103 Ом |
Rме , 103 Ом |
Rп/п , 103 Ом |
Rме , 103 Ом |
Т |
|
|
|
|
|
|
|
|
10. В процессе нагрева и охлаждения образцов их сопротивление изменяет-ся, что ведет к изменению тока в их цепи. Не забывайте следить за постоянством тока через образец.
11.После окончания измерений выключите приборы и источники питания
12 Постройте графики зависимостей Rм=f(t) и lnRпр=f(1/T). Определите температурный коэффициент сопротивления для металла и ширину запрещенной зоны полупроводника.
13.По формуле (1) найдите концентрацию электронов в металле (м= 8600 кг/м3; M = 0,064 кг/моль; zCu = 1; n = 8. 1028 м3 ) Вычислите для металла , и un , если /S= 0,1 м 1.