Защита пзу

Версиями 8051АН и 80С51ВН с защитой ПЗУ являются 8051АНР и 80С51ВНР соответственно. Для реализации защиты ПЗУ была отключена программная проверка и доступ к внешней памяти ограничен 4-мя Кб. Более подробная информация в описаниях к этим микросхемам.

Режим ONCE ™

Режим ONCE (“on-circuit emulation”) облегчает тестирование и отладку систем используя устройство без необходимости удалять устройство из цепи. Режим ONCE вызывается:

1. Установкой низкого логического уровня на ALE во время сброса и высокого уровня наPSEN#

2. Удержания низкого уровня на ALE при деактивации сброса.

Пока устройство работает в режиме ONCE, выводы порта 0 находятся в неопределенном состоянии, а на выводах других портов,ALE иPSEN# - высокий уровень. Цепь осциллятора остается активной. Когда устройство работает в этом режиме, эмулятор или проверяющий процессор может быть использован для управления схемой. Нормальный режим восстанавливается после сброса.

Внутричиповые осцилляторы

HMOS – версии

Схема внутричиповых осцилляторов дляHMOS (HMOS-1 иHMOS-2) версийMSC-51 представляет собой одноуровневый линейный инвертор(рис. 7.29), используемый в качестве контролируемого кристаллом осциллятора с положительным реактивным сопротивлением (рис. 7.30). При этом кристалл работает в своем основном режиме – как индуктивное сопротивление в параллеьлном резонансе с внешней емкостью кристалла.

Рисунок 7.29. Внутричиповый осциллятор для HMOS версийMSC-51

Рисунок 7.30. Использование HMOS во внутричиповых осцилляторах

Спецификация кристалла и значения емкостей (С1 и С2 на рис. 7.30) не критичны. На любой частоте, при хорошем качестве кристалла могут быть использованы 30 пФ конденсаторы. При использовании керамического резонатора их значения должны быть выше – примерно 47 пФ (эти значения должны быть согласованы с производителями керамического резонатора).

В общем случае, кристаллы, используемые с этими устройствами имеют следующие параметры:

Со (шунтовая емкость) – 7 пФ макс.

С_L (нагрузочная емкость) – 30 пФ3 пФ

Управляющий уровень – 1мВт

Рисунок 7.31. Зависимость эквивалентного сопротивления от частоты

Частота, допуск и диапазон температур определяются системными требованиями.

Более подробное рассуждение на тему спецификации кристалла, керамических резонаторов и выбора значений емкостей C1 и С2 может быть найдено на страницах приложенияAP-155«Осцилляторы для микроконтроллеров».

Для управления частями HMOS при помощи внешнего тактирующего сигнала, необходимо приложить его к выводуXTAL2 и заземлить выводXTAL1, как показано на рис. 7.32. При этом может быть использован нагрузочный резистор, но только в случае если уровеньV_OH превышает значениеV_{IN MIN} спецификацииXTAL2.

Рисунок 7.32. Управления частями HMOS MCS-51при помощи внешнего тактирующего сигнала

CHMOS версии

Схема внутричипового осциллятора для 80С51ВН, показаная на рис. 7.33, представляет собой одноуровневый линейный инвертор (рис. 7.29), используемый в качестве контролируемого кристаллом осциллятора с положительным реактивным сопротивлением, точно так же как и вHMOS версиях. Тем не менее, имеется несколько важных отличий.

Первое отличие состоит в том, что 80С51ВН может программно отключать осциллятор прописывая 1 в бит PD регистраPCON. Второе отличие состоит в том, что внутренняя схема синхронизации 80С51ВН управляется сигналом сXTAL1 а не сXTAL2, как вHMOS-версиях.

Резистор обратной связи R_{f ­} на рис. 7.33, состоит из параллельных полевых транзисторов с каналамиn- иp-типа, управляемые битомPD регистраPCON. Т.о.R_f открыт когдаPD=1. ДиодыD1 иD2, работающие как зажимы VCC иVSS, являются паразитными для транзисторовR_f

Осциллятор может быть использован с такими же внешними компонентами, как и в HMOS-версии (рис. 7.34). Обычно, С1=С2=30пФ когда в качестве элемента обратной связи используется кварцевый кристалл, и С1=С2=47пФ, когда используется керамический резонатор.

Для управления частями HMOS при помощи внешнего тактирующего сигнала, необходимо приложить его к выводуXTAL1, а выводXTAL2 оставить свободным, как показано на рис. 7.35.

Рисунок 7.33. Внутричиповый осциллятор для СHMOS версийMSC-51

Рисунок 7.34. Использование СHMOS во внутричиповых