- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Значения напряженности критического поля
Материал |
НС(0), А/м |
Материал |
НС(0), А/м |
алюминий |
0,79 |
осмий |
0,5 |
кадмий |
0,24 |
рений |
1,6 |
галлий |
0,41 |
тантал |
6,6 |
индий |
2,2 |
таллий |
1,4 |
ртуть |
3,3 |
олово |
2,4 |
Необходимо отметить, что величина критического поля будет зависеть также и от формы сверхпроводника, и его ориентации в магнитном поле [2].
Выталкивание магнитного потока из сверхпроводника, которое обсуждалось выше, имеет место в том случае, если сверхпроводниковый образец является односвязанным (сплошным). Если же образец имеет полость, например, сверхпроводниковое кольцо, картина изменится. При охлаждении в магнитном поле до Т<ТСпоток будет вытолкнут из сверхпроводника, однако он останется в полости. Ранее было установлено, что выталкивание магнитного поля происходит за счет возникающих сверхпроводящих токовj, создающих противополе. Поскольку магнитный поток в полости существует, очевидно, существуют его создающие токиj2,направленные встречно токамj1(рис. 1.6).
Рис. 1.6. Выталкивание магнитного поля
Поскольку сопротивление в сверхпроводнике отсутствует, токи будут незатухающими. Если выключить внешнее магнитное поле, магнитный поток внутри кольца станет поддерживаться незатухающими токами.
Ф. Лондон предположил, что захваченный магнитный потокФдолжен быть равенцелому числу квантов потокаФ0, то есть:
, (1.9)
где n– целое число;
q– заряд;
h– постоянная Планка.
Впоследствии это предположение было экспериментально подтверждено, однако заряд qоказался равен удвоенному заряду электрона:
. (1.10)
Этот факт говорит о том, что частицы, состоящие из двух электронов есть не что иное, как куперовские пары. Вероятно, что величина nв (1.9) связана с квантовым числом куперовских пар. Как уже отмечалось, поведение сверхпроводящего конденсата (куперовских пар) жестко коррелировано и при переходе в следующее состояние, с иным квантовым числом, все пары должны перейти в это состояние.
Квантование магнитного потока в кольце представляет собой пример макроскопического квантового эффекта.
Такое кольцо можно рассматривать как систему, имеющую n возможных стационарных состояний, и использовать в соответствующих условиях.
1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
Выше мы говорили о выталкивании магнитного поля из объема сверхпроводника при Т<ТСи переходе его в нормальное состояние в сильном магнитном поле приН>НС. Все эти физические особенности относятся к так называемымсверхпроводникам первого рода, к которым принадлежат почти все чистые металлы. Они характеризуются низкой температурой перехода и невысоким значением критического тока, что ограничивает их практическое применение.
В работах А.А. Абрикосова создана теория сверхпроводниковвторого рода, которые имеют два критических поляHC1иHC2, и верхнее критическое полеHC2может достигать очень больших значений, критические токи очень высоки (табл. 1.3), магнитное поле в смешанном состоянии проникает внутрь сверхпроводника в виде двухмерной решетки вихревых линий.
Таблица 1.3