- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Предисловие
После открытия высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в 1986 г. Г. Беднорцем и К. Миллером теоретические и практические работы в области криоэлектроники приобрели особую актуальность. Сверхпроводимость перешла из экзотической и труднодоступной области гелиевых температур в более дешевую и доступную область – область азотных температур. Действительно, создание и обслуживание температур порядка 77 К (жидкий азот) более дешево и менее сложно, чем создание и обслуживание криостатов с жидким гелием (4,2 К).
В связи с открытием ВТСП, получением ВТСП иттриевой, висмутовой, таллиевой керамики и достижением определенных успехов в области технологии ВТСП покрытий криоэлектроника получила новый импульс.
Низкотемпературная криоэлектроника на сегодняшний день – это область, имеющая достаточно высокий уровень теоретических и практических разработок как в плане цифровой, так и аналоговой аппаратуры. Ограничение составляет высокая стоимость и сложность создания и поддержания рабочих температур.
Высокотемпературная криоэлектроника сегодня сравнительно молода, и хотя здесь возможно преемственное использование результатов низкотемпературной области, необходимо учитывать особенности теоретического и практического планов.
Несмотря на большое количество публикаций по физике и технологии ВТСП материалов и структур, книги в этой области стали библиографической редкостью, а учебники отсутствуют совсем. Данное пособие является попыткой восполнить этот пробел.
Предлагаемое издание рассчитано на студентов, имеющих подготовку по общей физике, владеющих основными понятиями квантовой механики и статистической физики. Поскольку книга написана в первую очередь для студентов, обучающихся по направлению “Технология и проектирование электронных средств”, основное внимание в ней уделяется изучению вопросов проектирования и технологии. Главная цель пособия – дать представление об основных эффектах и явлениях в сверхпроводниках, на базе которых работают или могут быть созданы криоэлектронные устройства, описать современные технологии ВТСП материалов, изложить ваднейшие подходы к проектированию криоэлектронных устройств, как цифровых, так и аналоговых.
Первая глава пособия содержит сведения об эффектах и явлениях в сверхпроводниках и сверхпроводниковых структурах. В этой главе рассмотрена теория Бардина, Купера и Шриффера (теория БКШ). Уровень изложения позволит студентам понять и оценить рассматриваемые эффекты и явления. Здесь же проводится оценка применимости теории БКШ для ВТСП, рассмотрены отличия параметров в низко- и высокотемпературных сверхпроводниках.
Вторая глава посвящена свойствам и технологии получения ВТСП материалов. Рассмотрены методы получения монокристаллов, керамических образцов, а также различные методы получения толстых и тонких пленок. Представлены структура, электрические и магнитные свойства объемных ВТСП материалов и пленок.
В третьей главе исследуется применение СП эффектов и явлений. Рассмотрены логические и импульсные устройства на основе пленочных криотронов и эффектов Джозефсона, устройства памяти. Рассматриваются ВТСП квантовые интерферометры – СКВИДы и их применение. Здесь же описаны аналоговые ВТСП устройства: СВЧ резонаторы, приемники, болометры.
Четвертая глава представляет собой лабораторный практикум, где приводятся работы по изготовлению и исследованию параметров объемных и пленочных магнитных эффектов ВТСП материалов и элементов.
Пособие содержит также справочный материал, включающий параметры низкотемпературных и высокотемпературных сверхпроводников, контрольные вопросы для проверки знаний по каждому разделу, библиографический список, где достаточно полно представляется литература по изучаемым темам.
Автор с большой признательностью примет замечания и предложения по содержанию и оформлению книги, которые можно направлять по адресу 424000, г. Йошкар-Ола, пр. Ленина 3, МарГТУ, кафедра “Конструирование и производство радиоаппаратуры”.