- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
Режим |
Рис. |
Параметры |
ТС, К |
JС, A/см2 (Т,В) |
Изотермический отжиг закаленных расплавов |
2.5 а |
Т1 = 1150°С Т2 = 850°С (70 ч) |
90 |
200 (77 К) |
Изотермический отжиг медленно охлажденных расплавов |
2.5 б |
Т1 = 1200°С Т2 = 600°С Т3 = 815°С (48 ч) Воздух + кислород |
86 |
3000 (60 К) |
Медленная кристаллизация из расплава |
2.6 а |
Т1 = 880 – 920°С V1 = 0,5 – 5°С/ч |
90 |
1000 (77 К) |
2.6 б |
Т1 = 1100°С Т2 = 900°С (10 мин) V1 = 0,5 – 5°С/ч |
92 |
100000 (15 К, 1 Тл) | |
2.6 в |
Т1 = 500 – 600°С (2-5 ч) Т2 = 915°С (10 – 20 мин) V1= 30°С/ч Т3 = 895°С (1 – 2 ч) V2= 2 – 6°С/ч Т4 = 855°С (5 – 20 ч) кислород |
90 |
500 (77 К) | |
2.6 г |
Т1 = 870°С (1-3 ч) Т2 = 900°С (5 – 15 мин) Т3 = 915°С (10 – 20 мин) V1= 30°С/ч Т4 = 895°С (1 – 2 ч) V2 = 2 – 6°С/ч Т5 = 855°С (5 – 20 ч) кислород |
92 |
500 (77 К) | |
Зонная плавка |
2.5 г |
V1= V2 = 10 – 30°С/ч Т1 = 950°С Т2 = 850°С Vх = 10 – 20 мм/ч |
90 |
10000 (77 К) |
Практически все они требуют сложного технологического оборудования: печи с высоким градиентом температуры, лазерные и высокочастотные нагреватели, прецизионные системы позиционирования образцов, специальные материалы тиглей и подложек и т.д. Однако получаемые результаты во многом оправдывают затраты.
Для текстурирования материала используют градиент температуры в печи или метод зонной плавки. Зонная плавка проводится обычно путем нагревания узкой зоны, предварительно спеченной до высокой плотности заготовки и продвижения такой зоны по всему образцу с определенной скоростью (1-200 мм/ч). Нагрев осуществляется специальными лазерными или резистивными печами. Температура нагретой зоны устанавливается в пределах 900 – 1000°С и специальные приемы удерживают расплав от растекания. Часто после зонной плавки применяют дополнительный отжиг, позволяющий сформированному материалу образовать Bi-2212 фазу.
Как показывает практика, этот метод также не свободен от недостатков: затруднен контроль температуры в зоне расплава, хрупкость получаемых изделий, невозможность получения фазы Bi-2223.
Однако именно эти методы наиболее перспективны для практического применения.
2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
Значительное увеличение плотности критического тока объемных ВТСП материалов достигнуто в 1988 г., когда С. Джин предложил метод получения Y-123 кристаллизацией из частично расплавленного состояния. После этого технология расплавного получения ВТСП материалов совершенствовалась, были предложены новые решения. В этом разделе мы ознакомимся с наиболее распространенными и эффективными из них, оценим достоинства и недостатки, а также оценим результаты, полученные при реализации этих методов на практике (табл. 2.3). Интересно сравнить методы для получения Y-123 с расплавными методами для получения Bi-2212.
В числе методов расплавных технологий Bi-2212 можно выделить четыре:
медленное охлаждение частичного (структурированного) расплава, MTG– метод (рис. 2.7, а);
модифицированный MTG– метод (рис. 2.7, б);
медленное охлаждение закаленного расплава , QMG– метод (рис. 2.7, в;
зонная плавка (рис. 2.7, г).
Рис. 2.7. Температурные режимы T(t) расплавных технологийY-123:T – температура, t – время, V – скорости изменения температуры (табл. 2.3), L – длина. Масштабы не выдержаны
1. Медленное охлаждение частичного расплава (MTG). Характерным отличием данных методов является использование не прессовки смеси, как в случае Bi-2212, но керамической заготовки Y-123, полученной спеканием и механической гомогенизацией. При Т = 1100°С фаза Y-123 претерпевает распад с образованием расплава, содержащего окислы бария и меди, и твердой фазы Y–211. По мере охлаждения, начиная с температуры 1030°С, становится возможным протекание обратного процесса с образованием фазы Y123. При медленной скорости охлаждения на этой стадии возникает небольшое пересыщение в системе, что способствует росту крупных совершенных кристаллитов Y-123 и формированию когерентных границ между ними.
Обычно для усиления ориентированного роста зерен, на стадии кристаллизации используют температурный градиент до 50 град/см.
Результаты, полученные путем использования данного метода, приведены в табл. 2.3.
Таблица 2.3