- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
В 1933 г. В. Мейсснер и Р. Оксенфельд, изучая распределение магнитного потока вокруг оловянных и свинцовых образцов, охлажденных в магнитном поле до температуры их сверхпроводящих переходов, обнаружили, что магнитный поток выталкивается из образца при Т<ТС. Таким образом, сверхпроводник ведет себя, как идеальный диамагнетик, где магнитная индукцияB0. Это же явление было зарегистрировано и для других сверхпроводников. Явление, заключающееся в том, что внутри сверхпроводника магнитная индукция равна нулю, получило названиеэффекта Мейсснера-Оксенфельда.
Рассмотрим подробнее данный эффект. Поместим сверхпроводник в однородное магнитное поле при температуре больше критической. Индукция магнитного поля внутри сверхпроводника пропорциональна напряженности внешнего поля H:
, (1.4)
где – магнитная проницаемость материала;
– магнитная постоянная.
Поскольку материал не является ферромагнетиком (≈ 1), поле внутри сверхпроводника практически не искажается (рис. 1.3, а).
а) б)
Рис. 1.3. Сверхпроводник в магнитном поле H: а) Т>ТС, б)Т<ТС
Теперь охладим сверхпроводник до температуры Т<ТС. Если полеHнедостаточно сильное, будет наблюдаться эффект Мейсснера: внутри сверхпроводника установится состояние сB=0 (рис. 1.3, б). Это значит, что на поверхности сверхпроводника появились циркулирующие сверхпроводящие токиj, которые в объеме создают встречное магнитное поле индукции –B. Такое состояние является термодинамически равновесным, т.е. оно устанавливается при любой последовательности операций охлаждения и включения магнитного поля и остается стабильным, пока не изменяются поле или температура.
Поверхностный характер сверхпроводящих токов обусловлен вторым уравнением Максвелла:
rotB=j. (1.5)
Поскольку поле Bв условиях эффекта Мейсснера в образце отсутствует,rotBтакже обращается в нуль. Из (1.5) следует, что в этом объеме отсутствуют и токиj. Однако магнитное поле не может быть вытолкнуто из всего объема сверхпроводника до самой поверхности, т.к. это привело бы к скачку магнитного поля от 0 до величиныBи существованию бесконечно больших поверхностных токов. Следовательно, магнитное поле проникает в приповерхностный слой сверхпроводника на некоторую глубину– глубину проникновения. В этом же слое текут и сверхпроводящие токи. Для оценки глубины проникновения используют следующее выражение:
B(x)=B(0)exp(-x/), (1.6)
где B(0) – индукция магнитного поля вне сверхпроводника;
B(x) – индукция магнитного поля внутри сверхпроводника;
x– текущая координата.
Теория сверхпроводимости дает оценку для глубины проникновения:
, (1.7)
где m– масса электрона.
Решение уравнения (1.6) в виде графика приведено на рис. 1.4.
Рис. 1.4. Распределение магнитного поля вне (N) и внутри (S) сверхпроводника
Оценка величины для большинства сверхпроводников имеет порядок 10-5–10-6см.
В случае протекания высокочастотного тока по проводнику наблюдается скин-эффект: выталкивание тока на приповерхностный слой. Эффект вызван взаимодействием (отталкиванием) токов. На первый взгляд, между скин-эффектом и эффектом Мейсснера имеется аналогия. Нужно заметить, что аналогия имеет место чисто формальная, поскольку сверхпроводящие токи – постоянные. Механизм эффекта Мейсснера имеет иную природу – квантовую и будет обсуждаться ниже.
Эффект Мейсснера позволяет сверхпроводнику в неоднородном магнитном поле левитировать, т.е. висеть без опоры и подвеса сколь угодно долго. Это явление лежит в основе “магнитной подушки”, движения, например, железнодорожного вагона над опорной плоскостью. В этом случае трение практически отсутствует. Экспериментальная ветка железной дороги на магнитной подушке испытывается в Японии.
При рассмотрении эффекта Мейсснера выше уже была сделана оговорка о недостаточно сильном магнитном поле. Имелось в виду сохранение сверхпроводящего состояния, поскольку существует критическое полеНС, превышение которого приводит к нарушению сверхпроводимости. Взаимодействие нормальных или сверхпроводящих электронов с магнитным полем определяет энергию системы. Если в слабом полеН<НСэнергетически выгодным является сверхпроводящее состояние, то в сильном полеН>НСтаким состоянием становится нормальное. Так появляется третий критический параметр сверхпроводника – критическая напряженностьНС. Критическая напряженность поляНС(Т) уменьшается с ростом температуры, т.е. тепловой и магнитный факторы усиливают друг друга:
НС(Т)=НС(0)[1-(Т/ТС)2], (1.8)
где НС(0) – критическая напряженность при нулевой температуре.
Рис. 1.5. Область нормального Nи сверхпроводящегоSсостояния
Значения напряженности критического поля для различных сверхпроводников имеют разные значения (табл. 1.2).
Таблица 1.2