- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Основные свойства некоторых втсп
№ п/п |
Соединение (сокр. обозн.) |
Сингония |
Размеры элементарной ячейки, А0 |
ТСП |
1 |
(La1-xSrx)CuO4 |
Тетрагональная |
a=b=3,78 c=13,2 |
37,5 |
2 |
YBa2Cu3O7-x (Y-123) |
ромбическая |
a=3,82 b=3,88 c=13,2 |
90 |
3 |
Bi2Sr2Ca2Cu2O8 (Bi-2212) |
ромбическая |
a=5,41 b=5,42 c=30,9 |
80 |
4 |
Bi4Sr4CaCu3O14 (Bi-4413) |
ромбическая |
a=5,411 b=5,417 c=27 |
84 |
5 |
Bi2Sr2Ca2Cu3O10 (Bi-2223) |
ромбическая |
a=5,41 b=5,41 c=37,1 |
110 |
6 |
Tl2Ba2CuO6 (Tl-2201) |
ромбическая |
a=5,411 b=5,473 c=23,24 |
90 |
Окончание табл. 2.1
№ п/п |
Соединение (сокр. обозн.) |
Сингония |
Размеры элементарной ячейки, А0 |
ТСП |
7 |
Tl2Ba2CaCu2O8 (Tl-2212) |
тетрогональная |
a=b=3,86 c=29,3 |
112 |
8 |
Tl2Ba2Ca2Cu3O10 (Tl-2223) |
тетрогональная |
a=b=3,85 c=35,9 |
125 |
9 |
HgBa2CuO4 (Hg-1201) |
тетрогональная |
a=b=3,86 c=9,51 |
94 |
10 |
HgBa2CaCu2O6 (Hg-1212) |
тетрогональная |
a=b=3,86 c=12,7 |
121 |
11 |
HgBa2Ca2Cu3O8 (Hg-1223) |
тетрогональная |
a=b=3,86 c=15,9 |
139 |
Аналогично можно записать общие формулы для висмутсодержащих или ртутьсодержащих ВТСП групп:
Bi2Sr2Can-1CunO2n+4, (2.2)
HgBa2Can-1CunO2n+2, (2.3)
Как оказалось изготовить однофазные образцы висмутовых, таллиевых и др. соединений довольно сложно. Обычно получается комбинация фаз, каждая из которых имеет свое число слоев CuO и CaO на ячейку и свои критические параметры. Это вызывает наличие не критической температуры, но температурного интервала в 4-6 К.
Такое «сосуществование» затрудняет темпы проведения ряда экспериментов, связанных с учетом характеристик конкретной фазы или ее поведения в магнитном поле и т.д.
Далее, при рассмотрении структуры ВТСП, мы предполагаем однофазность материала.
Как уже отмечалось, структура ВТСП материалов, особенно внутри групп (2.1), (2.2) и других, имеет общие элементы. Поэтому рассмотрим структуру фаз: YBa2Cu3O7-x (ромбическая сингония) и Bi2Sr2Ca2Cu2O8в качестве примеров.
Рис. 2.1. Кристаллическая структура YBa2Cu3O6,5+, δ ≈ 0,5; ● –Ba, ▲ –Y, • –Cu, ○ –O
Структура фазы (Y-123) показана на рис. 2.1. Ее можно представить в виде последовательности слоев, расположенных перпендикулярно оси С:
… (CuO )(BaO)(CuO2)(Y)( CuO2)(BaO)( CuO ) … (2.4)
где – вакансия атома кислорода.
Особенностью данной структуры является относительная легкость изменения ее кислородной стехиометрии, при этом состав медного слоя (Z=0) изменяется отCuO2(=-0,5) до (CuO) (=0,5).
При = -0,5 элементарная ячейка тетрагональная и составYBa2Cu3O6обладаетполупроводниковымисвойствами. Однако при-0,2 структура становится ромбической (ab) вследствие заселения атомами кислорода позиций в плоскости (x,y,o) и обладаетсверхпроводниковымисвойствами. При этом с возрастаниемпроисходит увеличениеTС.
Введение дополнительных катионовв ВТСП может преследовать три цели. Во-первых, это поиск новых сверхпроводников или увеличение температуры перехода уже существующих, во-вторых, – усиление фазообразования и, наконец, в-третьих, – дополнительные катионы могут вводиться с целью увеличения пиннинга магнитных вихрей, как на включениях получающихся несверхпроводящих фаз, так и на дефектах структуры образующихся при этом.
Необходимо отметить, что замещение атомовиттрия на иные, изменяет свойства соединения.
Так, замещение атомов иттрия на атомы празеодима приводит к потере сверхпроводимости. Замещение атомов иттрия на атомы тория сдвигает температуру перехода (ТС=67 К). Легирование иттриевой керамики некоторыми лантанидами может оказаться перспективным, поскольку существенно изменяет температуру перитектического распада фазыY-123. Дело в том, что иттриевая позиция представляет собой слабое место в структуре сверхпроводящей фазы, поскольку ион иттрия сжимает структуру, создает структурные искажения. Так, замена атомов иттрия на атомы с более крупным радиусом (Na3+ ,S3+,En3+,Gd3+и др.) стабилизирует структуру и обеспечивает более высокие характеристики ВТСП материалов.
Например, японские специалисты склоняются к полному замещению иттрия в структуре на неодим.
Замещение атомов меди на другие, как правило, приводит к снижению температуры перехода до 60 – 65 К.
В завершение необходимо отметить, что кроме рассмотренной фазы Y-123 могут образоваться и другие сверхпроводящие фазы:YBa2Cu4O8, Yba4Cu7O14с температурами перехода соответственно 80 К и 40 К.
Структура другого популярного ВТСП, соединения Bi-2212 показана на рис. 2.2.
Рис. 2.2. Модель структуры Bi2Sr2Ca2Cu2O8: ● –Bi, Δ –Sr, ▲-Ca, ■ –Cu, ○ –O
Необходимо отметить, что структуры висмутовых и таллиевых ВТСП материалов имеют много общего и представляют собой когерентное срастание блоков перовскита и NaCl. В данном случае набор плоскостей по оси С выглядит следующим образом:
(CuO2) (Ca )(CuO2)(SrO)(OBi)(BiO)(OSr)(O2Cu) … (2.5)
В данной структуре первые 3 плоскости соответсвуют перовскитному блоку, а последние 5 – блоку по типу NaCl. Атом кальция занимает позицию, аналогичную позиции иттрия (рис. 2.1) и обладающую высокой концентрацией анионных вакансий.
В настоящее время проведено много работ, связанных с введением каких-либо добавокв сверхпроводники рядаBiSr2Can-1CunOx. Это могут быть катионы, замещающие позиции в кристаллической решетке, или нейтральные добавки. К примеру, катионPb2+ позволяет улучшить электрофизические характеристики сверхпроводника, в частности, увеличить его критический ток. Замещение редкоземельными элементами и замещение свинцовых катионов приводит к увеличению пиннинга, а последнее увеличивает и значение критического магнитного поля. Введение серебра также позволяет увеличивать критический ток.
В завершение разговора о структуре ВТСП кристаллов, следует выделить основные характеристики, обоснование которых выходит за рамки данного пособия, но которые являются общими для всех полученных материалов:
Структуры фаз являются производными от структуры перовскита.
Структуры имеют большое число анионных вакансий, концентрацию которых можно варьировать (температура и скорости обжига, время и давление выдержки в кислороде и т.д.).
В структурах имеются атомы медив различных степенях окисления (IIиIII). Вследствие изменения количества атомов кислорода в структуре происходит понижение уровня Ферми и образование дырок.
Структуры ВТСП фаз – слоистые, непременным их элементом является наличие плоскостей (CuO2). Образование слоистых структур происходит либо из-за упорядочения анионных вакансий, либо из-за нарушения идеальной последовательности слоев вдоль оси 4-го порядка.
В этих перовскитоподобных структурах В-позиции заняты только атомами меди. Синтез структур с иными атомами в В-позициях пока результатов не дал.