- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
Режим |
Рис. |
Параметры |
UС, К |
Jст, А/см2 (Т,В). |
MTG-метод |
2.6 а |
Т1= 1100С (1 мин.) V= 12С/И Т2= 800С охлаждение с печью grad Т50С/см |
90 |
17000, (77 К); 4000, (77 К, 1 Тл) |
MTG-метод, модифицированный |
2.6 б |
Т1= 1100С (1 мин.) V1= 1С/мин. Т2= 1030С V2= 1С/2 Т3= 980С охлаждение с печью |
90 |
75000, (77 К); 37000, (77 К, 0,6 Тл). L= 10 мм; D= 0,5 мм |
Медленное охлаждение закалённого расплава MTG-метод |
2.6 в |
Т1= 1450С V1> 103С/с. Т2= 1100С V2= 12С/2 Т3= 1000С Т4= 980С |
90 |
45000, (77 К). L= 5 см, D=250 мкм. |
Зонная плавка, ZMT-метод |
2.6 г |
Т1= 1100С Т2= 1300С Т3= 980С |
92 |
30000, (77 К); 1100, (1 Тл). 60·5 мм. |
2. Модифицированный MTG-метод (MTG-M). Отличие данного метода состоит в увеличении скорости охлаждения в интервале 1100-1030С, уменьшения в интервале 1030-980С. Очевидно, в первом интервале ослабляется рост частиц Y-211, расслаивание системы на две фазы, что, в свою очередь, способствует успешной кристаллизации фазы Y-123.Во втором интервале усиливается пресыщение в системе, как и в случае MTG.
3. Медленное охлаждение закаленного расплава (QMG). Метод использует аморфизированную матрицу, полученную плавлением прессовки с последующей закалкой. Матрица содержит, главным образом, оксиды бария и меди с однородно распределенными в ней кристаллов Y2O3. Существенным для получения матрицы является высокая скорость охлаждения. Она достигается применением медных пластин, охлаждаемых жидким азотом; металлических сплавов (103-104 С/с): движущейся металлической ленты с жидким гелием (105 С/с).
Все это дает возможность увеличить скорость кристаллизации на основном участке. На основе частиц Y2O3 происходит формирование частиц Y-211, равномерно распределяемых в объеме, а затем преобразование их в частицы Y-123. В результате удалось увеличить скорость кристаллизации с 1 до 10С/ч, по сравнению с применяемым ранее без ухудшения функциональных свойств.
Достоинством метода является и некоторое снижение требований к исходной заготовке, используемой для глубокого (1450С) плавления.
4. Зонная плавка. (ZMT). Применение зонной плавки позволяет увеличить размеры получаемых изделий в сравнении с другими методами. Однако на этом пути имеется ограничение, связанное с падением механической прочности образцов вследствие микрорастрескивания как отдельных кристаллов, так и контактов между ними. Наблюдаемое явление связано с градиентами температуры, анизотропией термического расширения. Кроме того, возникает высокая концентрация напряжений из-за переходов Y-211Y-123 и развитие механических напряжениq в микротрещине. Результаты ZMT для Y-123 приведены в табл. 2.3.
Мы кратко рассмотрели основные методы получения Y-123 объемных сверхпроводников, использующие плавление, кристаллизацию и структурные переходы. Кроме приведенных методов существуют их модификации. Так, например, в ряде методов (MPMG, PMP) используют дополнительный помол как исходных реагентов, так и промежуточных продуктов, что приводит к повышению степени диспергирования и однородности смещения компонентов смеси.
Важной альтернативой QMG-методу может служить введение химических добавок (допирование) в исходный материал – PDMG-метод. Введение, например, платины в исходную смесь, вероятно, не только оказывает воздействия на процессы зародышеобразования, но тормозит развитие фазы Y-211.
Как уже отмечалось, затравкой фазы Y-123 служат кристаллы фазы Y-211. Очевидно, что наличие большего числа мелко дисперсных частиц Y-211 приводит в процессе кристаллизации к получению качественных ВТСП. Поэтому мы приводим здесь график зависимости среднего размера частиц фазы Y-211 от выбранного метода.
Рис. 2.8. Зависимость среднего размера частиц Y-211 в расплаве для различных методов изготовленияY-123
Приведенная зависимость помогает выбрать приемлемый метод, но необходимо помнить, что в некоторых случаях большую роль могут играть другие фазы, например, купрат бария.